容错修复方法、堆叠芯片及存储介质与流程

本技术涉及集成电路，尤其涉及一种容错修复方法、堆叠芯片及存储介质。

背景技术：

1、堆叠芯片是当下芯片封装技术的研究热点，通过多个芯片的堆叠能有效提升芯片的性能，降低芯片的总体成本。但是，受限于芯片的尺寸、密度和工艺，在三维堆叠过程中，利用tsv(through siliconvia，硅穿孔)技术形成芯片间垂直互联通道时，会导致堆叠芯片存在多种缺陷，进而影响芯片间的电连接。

技术实现思路

1、本技术公开的一种容错修复方法、堆叠芯片及存储介质，旨在解决现有的三维堆叠过程中，利用tsv技术形成芯片间垂直互联通道时，会导致堆叠芯片存在多种缺陷，进而影响芯片间的电连接的问题。

2、第一方面，本技术提供了一种容错修复方法，应用于容错修复电路的控制电路，方法用于修复堆叠芯片的多个硅通道构件，所述堆叠芯片包括至少一个第一晶片和第二晶片，所述第一晶片内部设有多个硅通道构件，所述第一晶片堆叠于所述第二晶片上，所述容错修复电路还包括检测电路和多个修复电路，所述检测电路与所述硅通道构件电连接，所述修复电路的输入端连接在所述第一晶片和至少一个所述硅通道构件之间，所述修复电路的输出端连接在所述第一晶片和所述第二晶片之间，所述控制电路分别与所述检测电路和所述修复电路通信连接；所述方法包括：

3、对多个所述硅通道构件按照第一数量进行平均分组，获得所述第一数量的构件组；

4、将每个所述构件组内的硅通道构件划分为第一子数量的常规硅通道构件和第二子数量的冗余硅通道构件；

5、获取所述检测电路发送的所述构件组的状态信息；

6、根据所述状态信息确认所述构件组中损坏的所述常规硅通道构件的损坏数量；

7、控制所述修复电路激活所述损坏数量的冗余硅通道构件。

8、在一些实施例中，所述将每个所述构件组内的硅通道构件划分为第一子数量的常规硅通道构件和第二子数量的冗余硅通道构件，包括：根据所述第一子数量和所述第二子数量计算所述构件组的修复率；其中，所述修复率的公式如下：

9、

10、其中，p为修复率，n为构件组中硅通道构件的个数，为选取在n个硅通道构件中n个硅通道构件的失效概率，f为所述硅通道构件的失效率；更新所述第一子数量和所述第二子数量，以使得所述构件组的修复率符合预设修复条件。

11、在一些实施例中，所述更新所述第一子数量和所述第二子数量，包括：根据所述第一子数量和第二子数量获取预设比例；基于二分法更新所述预设比例，以完成所述第一子数量和所述第二子数量的更新。

12、在一些实施例中，所述修复电路包括多个第一多路选择模块和多个第二多路选择模块；所述第一多路选择模块连接在所述第一晶片的上表面和所述硅通道构件之间，所述第二多路选择模块连接在所述第一晶片和所述第二晶片之间；在所述对多个所述硅通道构件按照第一数量进行平均分组，获得所述第一数量的构件组之后，还包括：获取所述构件组中所述第一多路选择模块和所述第二多路选择模块的使用率。

13、在一些实施例中，所述第一晶片的上表面包括多个输入通道，所述第二晶片的上表面包括多个输出通道；所述控制所述修复电路激活所述损坏数量的冗余硅通道构件，包括：获取所述损坏数量的常规硅通道构件与所述第一晶片的上表面连接的输入通道的第一通道标识；获取所述损坏数量的常规硅通道构件与所述第二晶片的上表面连接的输出通道的第二通道标识；根据所述第一通道标识和所述第二通道标识确定可用于连接的目标输入通道和目标输出通道，将所述目标输入通道和所述目标输出通道与所述冗余硅通道构件电连接，以激活所述损坏数量的冗余硅通道构件。

14、在一些实施例中，所述检测电路包括状态检测模块和寄存模块，所述状态检测模块的输入端和所述硅通道构件电连接，所述状态检测模块的输出端和所述寄存模块电连接，所述状态检测模块用于输出所述硅通道构件的检测信号至所述寄存模块；所述获取所述检测电路发送的所述构件组的状态信息，包括：获取所述构件组对应的所述寄存模块存储的所述检测信号，根据所述检测信号获取所述构件组的状态信息。

15、第二方面，本技术提供了一种堆叠芯片，其特征在于，包括：

16、至少一个第一晶片，包括一上表面及相对于该上表面设置的一下表面，且所述上表面与所述下表面之间设有多个硅通道构件，构成所述上表面和所述下表面间的电性导通；

17、第二晶片，包括一上表面及相对于该上表面设置的一下表面，所述第一晶片的下表面堆叠在所述第二晶片的上表面；

18、容错修复电路，所述容错修复电路包括控制电路、检测电路和多个修复电路，所述检测电路与所述硅通道构件电连接，所述修复电路的输入端的一侧和所述第一晶片的上表面电连接，所述修复电路的输入端的另一侧与至少一个所述硅通道构件的一侧电连接，所述修复电路的输出端的一侧与所述硅通道构件的另一侧电连接，所述修复电路的输出端的另一侧与所述第二晶片电连接，所述控制电路分别与所述检测电路和所述修复电路通信连接；

19、其中，所述控制电路包括处理器、存储器、以及存储在所述存储器上并可被所述处理器执行的计算机程序，所述存储器存储有策略模型，其中所述计算机程序被所述处理器执行时，实现本技术任一实施例所提供的容错修复方法。

20、在一些实施例中，所述修复电路包括多个第一多路选择模块和多个第二多路选择模块；所述第一多路选择模块连接在所述第一晶片的上表面和所述硅通道构件之间，所述第二多路选择模块连接在所述第一晶片和所述第二晶片之间；所述检测电路包括状态检测模块和寄存模块，所述状态检测模块的输入端和所述硅通道构件电连接，所述状态检测模块的输出端和所述寄存模块电连接，所述状态检测模块用于输出所述硅通道构件的检测信号至所述寄存模块。

21、第三方面，本技术提供了一种存储介质，所提供的计算机可读存储介质上存储有计算机程序，实现本技术任一实施例所提供的容错修复方法。

22、本技术提供了一种容错修复方法、堆叠芯片及存储介质，方法应用于容错修复电路的控制电路，方法用于修复堆叠芯片的多个硅通道构件，堆叠芯片包括至少一个第一晶片和第二晶片，第一晶片内部设有多个硅通道构件，第一晶片堆叠于第二晶片上，容错修复电路还包括检测电路和多个修复电路，检测电路与硅通道构件电连接，修复电路的输入端连接在第一晶片和至少一个硅通道构件之间，修复电路的输出端连接在第一晶片和第二晶片之间，控制电路分别与检测电路和修复电路通信连接。方法通过对多个硅通道构件按照第一数量进行平均分组，获得第一数量的构件组；将每个构件组内的硅通道构件划分为第一子数量的常规硅通道构件和第二子数量的冗余硅通道构件；获取检测电路发送的构件组的状态信息；根据状态信息确认构件组中损坏的常规硅通道构件的损坏数量；控制修复电路激活损坏数量的冗余硅通道构件。进而通过将硅通道构件划分成第一数量的构件组，再将构件组内的硅通道构件划分为第一子数量的常规硅通道构件和第二子数量的冗余硅通道构件，以根据检测电路发送的构件组的状态信息确认构件组中损坏的常规硅通道构件的损坏数量，最终控制修复电路激活损坏数量的冗余硅通道构件。进而确保第一晶片和第二晶片堆叠过程中的电连接不受影响。

23、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本技术。