存储芯片的门限电压调节方法、装置、设备及存储介质与流程

本发明涉及电压调节的，尤其是一种存储芯片的门限电压调节方法、装置、设备及存储介质。

背景技术：

1、存储芯片的门限电压是指在存储芯片中用于识别逻辑“1”和“0”的电压阈值，门限电压通常定义为晶体管的栅极电压，当栅极电压高于该电压时，晶体管被认为处于“开”状态，输出被认为是逻辑“1”；当栅极电压低于该电压时，晶体管被认为处于“关”状态，输出被认为是逻辑“0”。

2、在对存储芯片的存储内容进行读写操作时，需要输出一连串的栅极电压信号以传输读写操作，从而实现对存储内容的读写操作的修改，而栅极电压信号需要通过门限电压进行判断，转换为高电平或低电平，从而实现信息的传输。

3、在存储芯片的过程中，门限电压一般处于固定的状态，这就使得当存储芯片的栅极电压信号随器件老化等原因发生变动时，门限电压无法及时做出相应的调节，从而导致存储内容出现错误。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种存储芯片的门限电压调节方法、装置、设备及存储介质，旨在解决现有技术中存储芯片的门限电压呈固定状态，无法针对栅极电压的变化及时调节，导致存储错误的问题。

2、本发明是这样实现的，第一方面，本发明提供一种存储芯片的门限电压调节方法，包括：

3、采集存储芯片在各个时刻的栅极电压信号、编译标准以及编译结果，将同一时刻对应的栅极电压信号、编译标准以及编译结果记录为一次信号编译行为，并根据时间顺序将各个所述信号编译行为构建为信号编译序列；

4、对所述信号编译序列的各个信号编译行为进行编译离散参数的特征提取，并将所述编译离散参数进行排列，以得到所述信号编译序列的编译离散序列；其中，所述编译离散参数用于描述所述信号编译行为中所述栅极电压信号与所述编译标准之间的距离；

5、将对应不同所述编译结果的各个所述编译离散参数划分为第一参数集合和第二参数集合，根据所述第一参数集合和所述第二参数集合进行编译标准的理论特征的计算，以获取理论编译标准；所述理论编译标准能够在保持所述信号编译序列的编译结果不变的前提下，令所述第一参数集合和所述第二参数集合中的编译离散参数的平均参数之间的差距为最小值；

6、对所述存储芯片进行存储误差的检测，并根据检测的结果将所述信号编译序列的各个信号编译行为区分为错误编译行为和正确编译行为；

7、根据所述理论编译标准对所述错误编译行为进行验证计算，以判断所述理论编译标准是否能够修正所述错误编译行为，若能够修正所述错误编译行为，则将所述理论编译标准确定为最终编译标准，并按所述最终编译标准进行门限电压的调节；

8、若不能够修正所述错误编译行为，则以所述理论编译标准为基准，生成若干预备编译标准，并分别对各个所述预备编译标准进行能否修正所述错误编译行为的验证计算，将最接近所述理论编译标准且能够修正所述错误编译行为的所述预备编译标准确定为最终编译标准，按所述最终编译标准进行门限电压的调节。

9、优选地，采集存储芯片在各个时刻的栅极电压信号、编译标准以及编译结果，将同一时刻对应的栅极电压信号、编译标准以及编译结果记录为一次信号编译行为，并根据时间顺序将各个所述信号编译行为构建为信号编译序列的步骤包括：

10、构建时刻坐标轴；所述时刻坐标轴具有依次排列的时刻坐标点；

11、持续对所述存储芯片的栅极电压信号、编译标准以及编译结果进行采集，并将同一时刻对应的栅极电压信号、编译标准以及编译结果组合为所述信号编译行为；

12、根据所述信号编译行为对应的时刻将所述信号编译行为设置在所述时刻坐标轴对应的时刻坐标点上。

13、优选地，对所述信号编译序列的各个信号编译行为进行编译离散参数的特征提取，并将所述编译离散参数进行排列，以得到所述信号编译序列的编译离散序列的步骤包括：

14、将各个所述信号编译行为的栅极电压信号与所述编译标准进行差值计算，得到各个所述信号编译行为的编译差值；

15、将各个所述编译差值归纳为离散参考集合，通过所述离散参考集合进行各个所述编译差值之间的比值关系的计算，并根据计算得到的各个所述编译差值之间的比值关系，生成各个所述编译差值的离散尺度；

16、根据各个所述信号编译行为的编译结果为对应的所述离散尺度赋予正向标记或负向标记，以生成所述信号编译行为的编译离散参数；

17、将各个所述编译离散参数进行排列，以得到所述编译离散序列。

18、优选地，将对应不同所述编译结果的各个所述编译离散参数划分为第一参数集合和第二参数集合，根据所述第一参数集合和所述第二参数集合进行编译标准的理论特征的计算，以获取理论编译标准的步骤包括：

19、将具有所述正向标记的所述编译离散参数划分为第一参数集合，将所述第一参数集合中所有所述编译离散参数的平均参数记为第一平均参数；

20、将具有所述负向标记的所述编译离散参数划分为第二参数集合，将所述第二参数集合中所有所述编译离散参数的平均参数记为第二平均参数；

21、以现有的所述编译离散序列中的所述编译标准为基准，通过深度搜索算法生成与现有所述编译标准相邻的若干预测标准，并计算对应各个所述预测标准的所述第一平均参数和所述第二平均参数的差距，将计算得到的各个差距分别记录为各个预测离散差距；

22、对各个所述预测离散差距进行对比分析，并根据对比分析的结果将具有最小数值的所述预测离散差距所对应的所述预测标准作为理论编译标准。

23、优选地，对所述存储芯片进行存储误差的检测，并根据检测的结果将所述信号编译序列的各个信号编译行为区分为错误编译行为和正确编译行为的步骤包括：

24、预先在所述存储芯片中规划一块检测存储区域，用于对存储内容进行备份，并将所述存储内容和所述信号编译行为之间的对应关系进行记录；

25、间隔预定时间根据所述检测存储区域中的存储内容对所述存储芯片中的存储内容进行核对，以得到核对结果，并根据所述核对结果在所述存储内容中标记出错误存储内容和正确存储内容，将对应所述错误存储内容的信号编译行为作为错误编译行为，将对应所述正确存储内容的信号编译行为作为正确编译行为。

26、第二方面，本发明提供一种存储芯片的门限电压调节装置，包括：

27、数据采集模块，用于采集存储芯片在各个时刻的栅极电压信号、编译标准以及编译结果，将互相对应的栅极电压信号、编译标准以及编译结果记录为一次信号编译行为，并根据时间顺序将各个所述信号编译行为构建为信号编译序列；

28、数据处理模块，用于对所述信号编译序列的各个信号编译行为进行编译离散参数的特征提取，并将所述信号编译序列的各个信号编译行为的编译离散参数进行排列，以得到所述信号编译序列的编译离散序列；其中，所述编译离散参数用于描述所述信号编译行为中所述栅极电压信号与所述编译标准之间的距离；

29、数据计算模块，用于基于所述编译离散序列进行编译标准的理论特征的计算，以获取理论编译标准；所述理论编译标准能够在保持所述信号编译序列的编译结果不变的前提下，令所述编译离散序列中各个编译离散参数之和为最小值；

30、误差检测模块，用于对所述存储芯片进行存储误差的检测，并根据检测的结果将所述信号编译序列的各个信号编译行为区分为错误编译行为和正确编译行为；

31、第一验证模块，用于根据所述理论编译标准对所述错误编译行为进行验证计算，以判断所述理论编译标准是否能够修正所述错误编译行为，若能够修正所述错误编译行为，则将所述理论编译标准确定为最终编译标准，并按所述最终编译标准进行门限电压的调节；

32、第二验证模块，用于在不能够修正所述错误编译行为时，以所述理论编译标准为基准，生成若干预备编译标准，并分别对各个所述预备编译标准进行能否修正所述错误编译行为的验证计算，将最接近所述理论编译标准且能够修正所述错误编译行为的所述预备编译标准确定为最终编译标准，按所述最终编译标准进行门限电压的调节。

33、第三方面，本发明提供一种存储芯片的门限电压调节设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现第一方面任一项所述的一种存储芯片的门限电压调节方法。

34、第四方面，本发明提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序在被处理器运行时使得所述处理器执行如第一方面中任一项所述的一种存储芯片的门限电压调节方法。

35、本发明提供了一种存储芯片的门限电压调节方法，具有以下有益效果：

36、本发明通过采集存储芯片在各个时刻的栅极电压信号、编译标准以及编译结果，得到由各个时刻的信号编译行为组成的信号编译序列，基于信号编译序列提取特征得到由编译离散参数组成的编译离散序列，通过对编译离散序列的分析，生成理论编译标准，并根据对存储芯片现有的错误编译行为对理论编译标准进行调节，得到最终编译标准，以使得门限电压能够修正错误编译行为，同时可以适应存储芯片的信号现状，解决了现有技术中存储芯片的门限电压呈固定状态，无法针对栅极电压的变化及时调节，导致存储错误的问题。