集成电路及其控制方法、芯片、终端与流程

本技术涉及存储，尤其涉及一种集成电路及其控制方法、芯片、终端。

背景技术：

1、铁电存储器件具有较低的读写电压、低功耗、小的器件尺寸、高的读写速度和良好的循环性能，且有抗辐照和非易失性等优点，有望用于构建新一代存储芯片。其中，氧化铪基铁电存储器件的铁电功能层的厚度可缩小至十纳米乃至亚十纳米，可实现高密度集成乃至三维集成，在构建超高密度存储芯片方面具有其独特的优势。

2、然而，氧化铪基铁电存储器件因其耐久性(endurance)较差，难以在多次擦写后，仍保持良好的铁电性能，因此，还不能广泛应用于商业存储器。

技术实现思路

1、本技术提供一种集成电路及其控制方法、芯片、终端，可以通过减小铁电电容的剩余极化强度，以延长铁电电容的耐久性。

2、第一方面，本技术提供一种集成电路，该集成电路包括铁电存储单元、比较电路和控制电路。铁电存储单元，用于在写入阶段写入第一数字信号，在读取阶段写入第二数字信号，并在读取阶段对铁电存储单元的极化状态进行翻转，以得到目标电压，将目标电压输入至比较电路；第一数字信号与第二数字信号不同。比较电路，用于对目标电压与参考电压进行比较，若目标电压大于参考电压，则向控制电路输入第一比较结果。控制电路，用于接收第一比较结果，控制铁电存储单元重复写入阶段和读取阶段，并逐渐减小读取阶段的读脉冲宽度和/或读电压，直至接收到比较电路输入的用于指示目标电压小于或等于参考电压的第二比较结果，选取首次接收第二比较结果前一次的读脉冲宽度和/或读电压，作为读取阶段的读脉冲宽度和/或读电压。

3、本技术中，根据公式q＝2pramfm可知，剩余极化强度与读取阶段读出的总电荷量正相关，而读取阶段的读电压和读脉冲宽度，决定了读取阶段读出的总电荷量。因此，本技术可以通过调节读取阶段的读电压和读脉冲宽度，来延长铁电电容的耐久性。

4、例如，以第一数字信号为1，第二数字信号为0为例，可以先写入第一数字信号1，后以读电压和读脉冲宽度进行读取操作，写入第二数字信号0。比较电路被使能后，对接收的目标电压和参考电压进行比较后，向控制电路输入第一比较结果1。为了避免当前的读电压和读脉冲宽度使得剩余极化强度过大，导致铁电电容被损伤，接着，继续写入第一数字信号1，控制电路控制读电压减小，和/或，控制电路控制读脉冲宽度减小，进行读取操作，写入第二数字信号0。若比较电路向控制电路输入第二比较结果0，则选取前一次的读电压和读脉冲宽度作为读取阶段的读电压和读脉冲宽度；若比较电路仍然向控制电路输入第一比较结果1，则仍然重复上述写入和读取操作，且控制电路控制读电压和/或读脉冲宽度逐渐减小，直至比较电路向控制电路输入第二比较结果0，选取比较电路输出第二比较结果0前一次的读电压和读脉冲宽度作为读取阶段的读电压和读脉冲宽度。这样一来，读取阶段的读电压和读脉冲宽度既可以确保参与铁电极化状态翻转的电荷足够多，剩余极化强度足以在读取阶段写入0，还可以避免因读电压和/或读脉冲宽度过大，导致剩余极化强度过大，从而损伤铁电电容，影响铁电电容的耐久性。

5、在一些可能实现的方式中，比较电路，还用于在目标电压大于参考电压时，向控制电路输入第二比较结果。控制电路，还用于接收第二比较结果，控制铁电存储单元重复写入阶段和读取阶段，并逐渐增大读取阶段的读脉冲宽度和/或读电压，直至接收到比较电路输入的第一比较结果，选取首次接收第一比较结果的读脉冲宽度和/或读电压，作为读取阶段的读脉冲宽度和/或读电压。

6、仍以第一数字信号为1，第二数字信号为0为例，在检测读取阶段是否读取充分时，比较电路还可以在第一次输出第二比较结果0，说明参与铁电极化状态翻转的电荷不够多，剩余极化强度不足以在读取阶段写入第二数字信号0。此情况下，同样可以通过调节读取阶段的读电压和读脉冲宽度，一方面，提高铁电电容的剩余极化强度，以确保铁电电容可以正常工作；另一方面，还可以避免铁电电容的剩余极化强度过大，损伤铁电电容。

7、例如，可以先写入第一数字信号1，后以读电压和读脉冲宽度进行读取操作，写入第二数字信号0。比较电路被使能后，对接收的目标电压和参考电压进行比较后，向控制电路输入第二比较结果0。接着，铁电电容可以正常工作，继续写入第一数字信号1，控制电路控制读电压增大，和/或，控制电路控制读脉冲宽度增大，进行读取操作，写入第二数字信号0。若比较电路向控制电路输入第一比较结果1，则选取本次的读电压和读脉冲宽度作为读取阶段的读电压和读脉冲宽度；若比较电路仍然向控制电路输入第二比较结果 0，则仍然重复上述写入和读取操作，且控制电路控制读电压和/或读脉冲宽度逐渐增大，直至比较电路向控制电路输入第一比较结果1，选取比较电路首次输出第一比较结果1时的读电压和读脉冲宽度作为读取阶段的读电压和读脉冲宽度。这样一来，既可以确保铁电电容满足其存储功能，还可以确保参与铁电极化状态翻转的电荷足够多，剩余极化强度足以在读取阶段写入0，避免因读电压和/或读脉冲宽度过大，导致剩余极化强度过大，从而损伤铁电电容，影响铁电电容的耐久性。

8、在一些可能实现的方式中，铁电存储单元包括晶体管和铁电电容，集成电路还包括字线、位线、以及板线。字线与晶体管的栅极电连接，位线与晶体管的第一极电连接，板线与晶体管的第二极电连接。可以通过控制字线、位线、以及板线的电位，以在写入阶段向铁电存储单元写入第一数字信号，在读取阶段向铁电存储单元写入第二数字信号。

9、一种情况下，第一数字信号为1，第二数字信号为0；位线还与比较电路的输入端电连接。在晶体管导通时，若位线为高电平，板线为低电平，则铁电电容用于在写入阶段写入第一数字信号。若板线为高电平，位线为低电平，则铁电电容用于在读取阶段写入第二数字信号。

10、此情况下，集成电路还包括第一电容，第一电容与比较电路的输入端和位线电连接。第一电容，用于接收铁电电容发生极化翻转时释放的电荷，并将接收的电荷以目标电压输出。在集成电路工作时，第一电容用于接收并存储铁电电容发生极化翻转时释放的电荷。当比较电路被使能时，第一电容将存储的电荷以电压形成输入至比较电路，即，第一电容向比较电路输入目标电压，该目标电压可以是撤去位线上的电压后，板线上的电压变化值。

11、另一种情况下，第一数字信号为0，第二数字信号为1；板线还与比较电路的输入端电连接。在晶体管导通时，若板线为高电平，位线为低电平，则铁电电容用于在写入阶段写入第一数字信号；若位线为高电平，板线为低电平，则铁电电容用于在读取阶段写入第二数字信号。

12、此情况下，集成电路还包括第二电容，第二电容与比较电路的输入端和板线电连接。第二电容，用于接收铁电电容发生极化翻转时释放的电荷，并将接收的电荷以目标电压输出。第二电容用于接收并存储铁电电容发生极化翻转时释放的电荷。当比较电路被使能时，第二电容将存储的电荷以电压形成输入至比较电路，即，第二电容向比较电路输入目标电压，该目标电压可以是撤去位线上的电压后，板线上的电压变化值。

13、第二方面，本技术提供一种集成电路，该集成电路包括铁电存储单元、比较电路和控制电路。铁电存储单元，用于在写入阶段依次写入第二数字信号和第一数字信号，在读取阶段写入第二数字信号，并在读取阶段对铁电存储单元的极化状态进行翻转，以得到目标电压，将目标电压输入至比较电路；第一数字信号与第二数字信号不同。比较电路，用于对目标电压与参考电压进行比较，若目标电压大于参考电压，则向控制电路输入第一比较结果。控制电路，用于接收第一比较结果，控制铁电存储单元重复写入阶段和读取阶段，并逐渐减小写入阶段写入第一数字信号的写脉冲宽度和/或写电压值，直至接收到比较电路输入的用于指示目标电压小于或等于参考电压的第二比较结果，选取首次接收第二比较结果前一次的写脉冲宽度和/或写电压值，作为写入阶段写入第一数字信号的写脉冲宽度和/或写电压值。

14、本技术中，根据公式q＝2pramfm可知，剩余极化强度与读取阶段读出的总电荷量正相关，而写入阶段写入第一数字信号的写电压和写脉冲宽度，决定了写入阶段写入第一数字信号的总电荷量。因此，本技术实施例可以通过调节写入阶段写入第一数字信号的写电压和写脉冲宽度，来延长铁电电容的耐久性。

15、例如，以第一数字信号为1，第二数字信号为0为例，可以依次写入第二数字信号0和第一数字信号1。之后，在读取阶段写入第二数字信号0。比较电路被使能后，对接收的目标电压和参考电压进行比较后，向控制电路输入第一比较结果1。为了避免当前写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度使得剩余极化强度过大，导致铁电电容被损伤，接着，继续依次在写入阶段写入第二数字信号0和第一数字信号1，控制电路控制写入第一数字信号1的写电压减小，和/或，控制电路控制写入第一数字信号1的写脉冲宽度减小，进行写入第一数字信号1的写入操作。若比较电路向控制电路输入第二比较结果0，则选取前一次的写电压和写脉冲宽度作为写入阶段写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度；若比较电路仍然向控制电路输入第一比较结果1，则仍然重复上述写入和读取操作，且控制电路控制写电压和/或写脉冲宽度逐渐减小，直至比较电路向控制电路输入第二比较结果0，选取比较电路输出第二比较结果0前一次的写电压和/或写脉冲宽度作为写入阶段写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度。

16、这样一来，写入阶段写入第一数字信号的写电压和写脉冲宽度既可以确保参与铁电极化状态翻转的电荷足够多，剩余极化强度足以在读取阶段写入0，还可以避免因写电压和 /或写脉冲宽度过大，导致剩余极化强度过大，从而损伤铁电电容，影响铁电电容的耐久性。

17、在一些可能实现的方式中，比较电路，还用于在目标电压大于参考电压时，向控制电路输入第二比较结果。控制电路，还用于接收第二比较过，控制铁电存储单元重复写入阶段和读取阶段，并逐渐增大写入阶段写入第一数字信号的写脉冲宽度和/或写电压值，直至接收到比较电路输入的第一比较结果，选取首次接收第一比较结果的写脉冲宽度和/或写电压值，作为写入阶段写入第一数字信号的写脉冲宽度和/或写电压值。

18、仍以第一数字信号为1，第二数字信号为0为例，在检测写入阶段是否写入充分时，比较电路第一次还可以输出第二比较结果0，说明参与铁电极化状态翻转的电荷不够多，剩余极化强度不足以在写入阶段写入第一数字信号1。此情况下，同样可以通过调节写入阶段写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度，一方面，提高铁电电容的剩余极化强度，以确保铁电电容可以正常工作；另一方面，还可以避免铁电电容的剩余极化强度过大，损伤铁电电容。

19、例如，可以先写入第二数字信号0，再写入第一数字信号1。之后，在读取阶段写入第二数字信号0。比较电路被使能后，对接收的目标电压和参考电压进行比较后，向控制电路输入第二比较结果0。接着，铁电电容可以正常工作，继续写入第一数字信号1，控制电路控制写入第一数字信号1的写电压增大，和/或，控制电路控制写入第一数字信号1 的写脉冲宽度增大，以进行写入第一数字信号1的写入操作。若比较电路向控制电路输入第一比较结果1，则选取本次的写电压和写脉冲宽度作为写入阶段写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度；若比较电路仍然向控制电路输入第二比较结果0，则仍然重复上述写入和读取操作，且控制电路控制写电压和/或写脉冲宽度逐渐增大，直至比较电路向控制电路输入第一比较结果1，选取比较电路首次输出第一比较结果1时的写电压和写脉冲宽度作为写入阶段写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度。

20、在一些可能实现的方式中，铁电存储单元包括晶体管和铁电电容；集成电路还包括字线、位线、以及板线。字线与晶体管的栅极电连接，位线与晶体管的第一极电连接，板线与晶体管的第二极电连接。可以通过控制字线、位线、以及板线的电位，以在写入阶段向铁电存储单元写入第一数字信号，在读取阶段向铁电存储单元写入第二数字信号。

21、一种情况下，第一数字信号为1，第二数字信号为0；位线还与比较电路的输入端电连接。在晶体管导通时，若板线为高电平，位线为低电平，则铁电电容用于在写入阶段和读取阶段写入第二数字信号；若位线为高电平，板线为低电平，则铁电电容用于在写入阶段写入第一数字信号。

22、此情况下，集成电路还包括第一电容，第一电容与比较电路的输入端和位线电连接。第一电容，用于接收铁电电容发生极化翻转时释放的电荷，并将接收的电荷以目标电压输出。在集成电路工作时，第一电容用于接收并存储铁电电容发生极化翻转时释放的电荷。当比较电路被使能时，第一电容将存储的电荷以电压形成输入至比较电路，即，第一电容向比较电路输入目标电压，该目标电压可以是撤去位线上的电压后，板线上的电压变化值。

23、另一种情况下，第一数字信号为0，第二数字信号为1；板线还与比较电路的输入端电连接。在晶体管导通时，若位线为高电平，板线为低电平，则铁电电容用于在写入阶段和读取阶段写入第二数字信号；若板线为高电平，位线为低电平，则铁电电容用于在写入阶段写入第一数字信号。

24、此情况下，集成电路还包括第二电容，第二电容与比较电路的输入端和板线电连接。第二电容，用于接收铁电电容发生极化翻转时释放的电荷，并将接收的电荷以目标电压输出。第二电容用于接收并存储铁电电容发生极化翻转时释放的电荷。当比较电路被使能时，第二电容将存储的电荷以电压形成输入至比较电路，即，第二电容向比较电路输入目标电压，该目标电压可以是撤去位线上的电压后，板线上的电压变化值。

25、第三方面，本技术提供一种芯片，包括第一方面或第二方面所述的集成电路。

26、第三方面以及第三方面的任意一种实现方式分别与第一方面、第一方面的任意一种实现方式、第二方面、以及第二方面的任意一种实现方式相对应。第三方面以及第三方面的任意一种实现方式所对应的技术效果可参见上述第一方面、第一方面的任意一种实现方式、第二方面、以及第二方面的任意一种实现方式所对应的技术效果，此处不再赘述。

27、第四方面，本技术提供一种终端，该终端包括电路板和第三方面所述的芯片，芯片设置于电路板上。

28、第四方面以及第四方面的任意一种实现方式分别与第一方面、第一方面的任意一种实现方式、第二方面、以及第二方面的任意一种实现方式相对应。第四方面以及第四方面的任意一种实现方式所对应的技术效果可参见上述第一方面、第一方面的任意一种实现方式、第二方面、以及第二方面的任意一种实现方式所对应的技术效果，此处不再赘述。

29、第五方面，本技术提供一种集成电路的控制方法，该集成电路包括铁电存储单元、比较电路和控制电路。所述集成电路的控制方法包括：利用铁电存储单元在写入阶段写入第一数字信号，在读取阶段写入第二数字信号，并在读取阶段对铁电存储单元的极化状态进行翻转，以得到目标电压，利用铁电存储单元将目标电压输入至比较电路；第一数字信号与第二数字信号不同。通过比较电路对目标电压与参考电压进行比较，若目标电压大于参考电压，则比较电路向控制电路输入第一比较结果。通过控制电路接收第一比较结果，控制铁电存储单元重复写入阶段和读取阶段，并逐渐减小读取阶段的读脉冲宽度和/或读电压，直至控制电路接收到比较电路输入的用于指示目标电压小于或等于参考电压的第二比较结果，选取首次接收第二比较结果前一次的读脉冲宽度和/或读电压，作为读取阶段的读脉冲宽度和/或读电压。

30、本技术中，根据公式q＝2pramfm可知，剩余极化强度与读取阶段读出的总电荷量正相关，而读取阶段的读电压和读脉冲宽度，决定了读取阶段读出的总电荷量。因此，本技术可以通过调节读取阶段的读电压和读脉冲宽度，来延长铁电电容的耐久性。

31、例如，以第一数字信号为1，第二数字信号为0为例，可以先写入第一数字信号1，后以读电压和读脉冲宽度进行读取操作，写入第二数字信号0。比较电路被使能后，对接收的目标电压和参考电压进行比较后，向控制电路输入第一比较结果1。为了避免当前的读电压和读脉冲宽度使得剩余极化强度过大，导致铁电电容被损伤，接着，继续写入第一数字信号1，控制电路控制读电压减小，和/或，控制电路控制读脉冲宽度减小，进行读取操作，写入第二数字信号0。若比较电路向控制电路输入第二比较结果0，则选取前一次的读电压和读脉冲宽度作为读取阶段的读电压和读脉冲宽度；若比较电路仍然向控制电路输入第一比较结果1，则仍然重复上述写入和读取操作，且控制电路控制读电压和/或读脉冲宽度逐渐减小，直至比较电路向控制电路输入第二比较结果0，选取比较电路输出第二比较结果0前一次的读电压和读脉冲宽度作为读取阶段的读电压和读脉冲宽度。这样一来，读取阶段的读电压和读脉冲宽度既可以确保参与铁电极化状态翻转的电荷足够多，剩余极化强度足以在读取阶段写入0，还可以避免因读电压和/或读脉冲宽度过大，导致剩余极化强度过大，从而损伤铁电电容，影响铁电电容的耐久性。

32、在一些可能实现的方式中，将目标电压输入至比较电路之后，所述集成电路的控制方法还包括：通过比较电路对目标电压与参考电压进行比较，若目标电压小于或等于参考电压，则比较电路向控制电路输入第二比较结果。通过控制电路接收第二比较结果，控制铁电存储单元重复写入阶段和读取阶段，并逐渐增大读取阶段的读脉冲宽度和/或读电压，直至控制电路接收到比较电路输入的第一比较结果，选取首次接收第一比较结果的读脉冲宽度和/或读电压，作为读取阶段的读脉冲宽度和/或读电压。

33、仍以第一数字信号为1，第二数字信号为0为例，在检测读取阶段是否读取充分时，比较电路还可以在第一次输出第二比较结果0，说明参与铁电极化状态翻转的电荷不够多，剩余极化强度不足以在读取阶段写入第二数字信号0。此情况下，同样可以通过调节读取阶段的读电压和读脉冲宽度，一方面，提高铁电电容的剩余极化强度，以确保铁电电容可以正常工作；另一方面，还可以避免铁电电容的剩余极化强度过大，损伤铁电电容。

34、例如，可以先写入第一数字信号1，后以读电压和读脉冲宽度进行读取操作，写入第二数字信号0。比较电路被使能后，对接收的目标电压和参考电压进行比较后，向控制电路输入第二比较结果0。接着，铁电电容可以正常工作，继续写入第一数字信号1，控制电路控制读电压增大，和/或，控制电路控制读脉冲宽度增大，进行读取操作，写入第二数字信号0。若比较电路向控制电路输入第一比较结果1，则选取本次的读电压和读脉冲宽度作为读取阶段的读电压和读脉冲宽度；若比较电路仍然向控制电路输入第二比较结果 0，则仍然重复上述写入和读取操作，且控制电路控制读电压和/或读脉冲宽度逐渐增大，直至比较电路向控制电路输入第一比较结果1，选取比较电路首次输出第一比较结果1时的读电压和读脉冲宽度作为读取阶段的读电压和读脉冲宽度。这样一来，既可以确保铁电电容满足其存储功能，还可以确保参与铁电极化状态翻转的电荷足够多，剩余极化强度足以在读取阶段写入0，避免因读电压和/或读脉冲宽度过大，导致剩余极化强度过大，从而损伤铁电电容，影响铁电电容的耐久性。

35、第六方面，本技术提供一种集成电路的控制方法，该集成电路包括铁电存储单元、比较电路和控制电路。集成电路的控制方法包括：利用铁电存储单元在写入阶段依次写入第二数字信号和第一数字信号，在读取阶段写入第二数字信号，并在读取阶段对铁电存储单元的极化状态进行翻转，以得到目标电压，利用铁电存储单元将目标电压输入至比较电路；第一数字信号与第二数字信号不同。通过比较电路对目标电压与参考电压进行比较，若目标电压大于参考电压，则比较电路向控制电路输入第一比较结果。通过控制电路接收第一比较结果，控制铁电存储单元重复写入阶段和读取阶段，并逐渐减小写入阶段写入第一数字信号的写脉冲宽度和/或写电压值，直至控制电路接收到比较电路输入的用于指示目标电压小于或等于参考电压的第二比较结果，选取首次接收第二比较结果前一次的写脉冲宽度和/或写电压值，作为写入阶段写入第一数字信号的写脉冲宽度和/或写电压值。

36、本技术中，根据公式q＝2pramfm可知，剩余极化强度与读取阶段读出的总电荷量正相关，而写入阶段写入第一数字信号的写电压和写脉冲宽度，决定了写入阶段写入第一数字信号的总电荷量。因此，本技术实施例可以通过调节写入阶段写入第一数字信号的写电压和写脉冲宽度，来延长铁电电容的耐久性。

37、例如，以第一数字信号为1，第二数字信号为0为例，可以依次写入第二数字信号0和第一数字信号1。之后，在读取阶段写入第二数字信号0。比较电路被使能后，对接收的目标电压和参考电压进行比较后，向控制电路输入第一比较结果1。为了避免当前写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度使得剩余极化强度过大，导致铁电电容被损伤，接着，继续依次在写入阶段写入第二数字信号0和第一数字信号1，控制电路控制写入第一数字信号1的写电压减小，和/或，控制电路控制写入第一数字信号1的写脉冲宽度减小，进行写入第一数字信号1的写入操作。若比较电路向控制电路输入第二比较结果0，则选取前一次的写电压和写脉冲宽度作为写入阶段写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度；若比较电路仍然向控制电路输入第一比较结果1，则仍然重复上述写入和读取操作，且控制电路控制写电压和/或写脉冲宽度逐渐减小，直至比较电路向控制电路输入第二比较结果0，选取比较电路输出第二比较结果0前一次的写电压和/或写脉冲宽度作为写入阶段写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度。

38、这样一来，写入阶段写入第一数字信号的写电压和写脉冲宽度既可以确保参与铁电极化状态翻转的电荷足够多，剩余极化强度足以在读取阶段写入0，还可以避免因写电压和 /或写脉冲宽度过大，导致剩余极化强度过大，从而损伤铁电电容，影响铁电电容的耐久性。

39、在一些可能实现的方式中，将目标电压输入至比较电路之后，所述集成电路的控制方法还包括：通过比较电路对目标电压与参考电压进行比较，若目标电压小于或等于参考电压，则比较电路向控制电路输入第二比较结果。通过控制电路接收第二比较过，控制铁电存储单元重复写入阶段和读取阶段，并逐渐增大写入阶段写入第一数字信号的写脉冲宽度和/或写电压值，直至控制电路接收到比较电路输入的第一比较结果，选取首次接收第一比较结果的写脉冲宽度和/或写电压值，作为写入阶段写入第一数字信号的写脉冲宽度和/或写电压值。

40、仍以第一数字信号为1，第二数字信号为0为例，在检测写入阶段是否写入充分时，比较电路第一次还可以输出第二比较结果0，说明参与铁电极化状态翻转的电荷不够多，剩余极化强度不足以在写入阶段写入第一数字信号1。此情况下，同样可以通过调节写入阶段写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度，一方面，提高铁电电容的剩余极化强度，以确保铁电电容可以正常工作；另一方面，还可以避免铁电电容的剩余极化强度过大，损伤铁电电容。

41、例如，可以先写入第二数字信号0，再写入第一数字信号1。之后，在读取阶段写入第二数字信号0。比较电路被使能后，对接收的目标电压和参考电压进行比较后，向控制电路输入第二比较结果0。接着，铁电电容可以正常工作，继续写入第一数字信号1，控制电路控制写入第一数字信号1的写电压增大，和/或，控制电路控制写入第一数字信号1 的写脉冲宽度增大，以进行写入第一数字信号1的写入操作。若比较电路向控制电路输入第一比较结果1，则选取本次的写电压和写脉冲宽度作为写入阶段写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度；若比较电路仍然向控制电路输入第二比较结果0，则仍然重复上述写入和读取操作，且控制电路控制写电压和/或写脉冲宽度逐渐增大，直至比较电路向控制电路输入第一比较结果1，选取比较电路首次输出第一比较结果1时的写电压和写脉冲宽度作为写入阶段写入第一数字信号1的写电压和写脉冲宽度。