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修复存储数据的方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:38:40

本发明涉及半导体,尤其是涉及一种修复存储数据的方法。

背景技术:

1、在晶圆上,半导体器件制作完成后,划片封装之前,会对晶圆进行测试,对晶圆上的待测器件(dut)进行测试是通过探针卡上的探针接触到晶圆表面上预留的测试用的pad上,然后通过测试程序,往探针上加载相应的测试电信号进行测试,得出整个晶圆上的晶粒(die)的一些性能信息,以此对晶圆上的多个晶粒进行筛选分bin。嵌入式闪存晶圆测试过程称之为cp测试(chip probing),cp测试是把坏的晶粒(die)挑出来。闪存(flash memory)在断电情况下仍能保持所存储的数据信息,是一种非易失性(non-volatile)存储器。其中,双分离栅闪存(nord cell)因传输效率高,在1~4mb的小容量时具有很高的成本效益,是市场上主要的非易失性存储器之一。

2、常规电路操作中,当闪存主存储区的存储数据损坏时,需要利用设置于存储阵列上其它区域的冗余单元的冗余数据进行替换。在双分离栅闪存(nord cell)的一些cp测试中,例如nord cell进行烘烤以对主存储区的存储数据的保持能力进行测试中,经过第一次测试,得到cp2数据,cp2数据经过第二次测试得到cp3数据。每次测试后均需要对主存储区的数据进行验证。cp2数据验证使用的是棋盘格数据,cp3数据验证使用的是反棋盘格数据。每次验证之后,如果发现存储数据有误,则需要对有误的数据使用冗余单元内存储的数据进行替换以修复存储数据。

3、现有技术中,主存储区有许多行和许多列的存储位,cp2数据存储的是棋盘格数据,例如,表1。而冗余单元的一个扇区(sector)有两行多列(与存储区的列数相同)冗余数据,冗余数据也是棋盘格数据,例如表2,当主存储区第一行(行地址0,为偶数行)或者第二行(行地址1,为奇数行)有一个存储位的存储数据有误时,则使用sector一起替换第一行和第二行的存储数据。同样的,按照行地址递增的规则验证每行存储数据是否有误,如果是某行有误,且该行是偶数行,则使用sector一起替换该行与该行下一行的存储数据。如果是某行有误,且该行是奇数行,则使用sector一起替换该行与该行上一行的存储数据。

4、表1

5、

6、表2

7、 0x0000 0xffff … 0x0000 0xffff 0xffff 0x0000 … 0xffff 0x0000

8、然而,如果冗余单元的一个sector只有一行冗余数据时,例如,只有表2的第一行冗余数据时。由于cp2数据是棋盘格数据,所以第一行的数据和第二行数据不同,如表1的第一行数据和第二行数据不同。当第一行的数据有误时,可以使用冗余数据替换,但是当第二行存储数据有误时,直接采用冗余数据替换,会导致替换后的整行数据都是有误的。按照行地址的命名规则,第一行是偶数行,第二行是奇数行,偶数行奇数行依次类推。所以一个sector只有一行冗余数据时,奇数行的存储数据不能使用冗余数据替换,即不能修复存储数据,只得丢弃该晶粒。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种修复存储数据的方法,当冗余单元的一个扇区只有一行冗余数据时,也可以对主存储区单元的奇数行存储数据进行替换。因此,当主存储区任意一行存储数据有误时,均可以使用冗余数据进行替换,从而修复存储数据。

2、为了达到上述目的,本发明提供了一种修复存储数据的方法,包括:

3、将主存储区的存储数据划分为若干行和若干列,所述存储数据的行地址按照二进制数的方式命名,且随着所述存储数据的行数加1,所述行地址的二进制数值加1;

4、将冗余单元一个扇区的冗余数据划分为一行和若干列,所述冗余数据的列地址按照二进制数的方式命名,且随着所述冗余数据的列数加1,所述列地址的二进制数值加1,所述冗余数据的列数与所述存储数据的列数相同;

5、读取所述存储数据,并判断所述存储数据是否与设定数据相同;

6、如果不相同,则认为是错误存储数据,获取错误存储数据的行地址,在所述冗余数据中查找列地址的后两位二进制数与所述错误存储数据的行地址的后两位二进制数相同的列,以该列的冗余数据作为第一位替补数据,并按照所述冗余数据的列地址递增的方式依次将对应列的冗余数据补入到第一位替补数据之后,使得所述替补数据的个数与存储数据的列数相同;以及

7、使用所述替补数据替换所述错误存储数据所在行的一整行存储数据,其中,所述存储数据、冗余数据和设定数据均为棋盘格数据或者均为反棋盘格数据。

8、可选的,在所述的修复存储数据的方法中,所述棋盘格数据为0开头,1和0交叉设置的数字串。

9、可选的,在所述的修复存储数据的方法中,行地址的二进制数值为偶数时,该均为0开头,1和0交叉设置的数字串。

10、可选的,在所述的修复存储数据的方法中,行地址的二进制数值为奇数时,该均为1开头,0和1交叉设置的数字串。

11、可选的,在所述的修复存储数据的方法中,所述反棋盘格数据为1开头,0和1交叉设置的数字串。

12、可选的,在所述的修复存储数据的方法中,行地址的二进制数值为偶数时,该行为1开头,0和1交叉设置的数字串。

13、可选的,在所述的修复存储数据的方法中,行地址的二进制数值为偶数时,该行为0开头,1和0交叉设置的数字串。

14、可选的,在所述的修复存储数据的方法中,读取所述存储数据,若其中存在至少一个存储数据与同一存储位的设定数据不同,则所述存储数据与设定数据不相同。

15、可选的,在所述的修复存储数据的方法中,当所述第一位替补数据为冗余数据第一列后的冗余数据,则该列后的所有列冗余数据按照列地址递增的方式依次补入到第一位替补数据之后,并且再将该列前的所有冗余数据按照列地址递增的方式依次补入到最后一列冗余数据之后,以作为替补数据。

16、可选的,在所述的修复存储数据的方法中,所述棋盘格数据的0和1是以十六进制的格式存储在所述主存储区和冗余单元中。

17、在本发明提供的修复存储数据的方法中,根据错误存储数据的行地址,在冗余数据中查找列地址的后两位二进制数与错误存储数据的行地址的后两位二进制数相同的列,以该列的冗余数据作为第一位替补数据,并按照冗余数据的列地址递增的方式依次将对应列的冗余数据补入到第一位替补数据之后,使得替补数据的个数与存储数据的列数相同,再使用替补数据替换错误存储数据的一整行存储数据。本发明当冗余单元的一个扇区只有一行冗余数据时,也能对主存储区单元的奇数行存储数据进行替换。因此,当主存储区任意一行存储数据有误时,均能使用冗余数据进行替换,从而修复了存储数据。

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