一种三维芯片、修复方法及电子设备与流程

本申请涉及芯片，尤其涉及一种三维芯片、修复方法及电子设备。

背景技术：

1、在3d ic技术中，当多片存储器晶圆进行3d堆叠后，若同一个位置的垂直方向上的多颗存储器芯片中的某一颗存储器芯片在其晶圆级测试时被判断为失效芯片，则该位置垂直方向上的所有存储器芯片都会被当作失效产品处理。

2、因此，现有的3d ic的存储器芯片的产品良品率较低。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种三维芯片、修复方法及电子设备，能够提高存储器芯片产品的良品率。

2、本申请实施例的第一方面，提供一种三维芯片，包括：

3、至少两个存储芯片单元，至少一个所述存储芯片单元内设置有冗余存储单元；

4、逻辑芯片单元，所述逻辑芯片单元包括控制模块，所述控制模块用于控制目标冗余存储单元替换目标失效存储单元，其中，至少部分所述目标冗余存储单元与至少部分所述目标失效存储单元设置于不同的所述存储芯片单元内。

5、在一些实施方式中，所述逻辑芯片单元还包括：

6、修复信息提供模块，所述修复信息提供模块连接所述控制模块，用于向所述控制模块提供所述目标失效存储单元的信息和所述目标冗余存储单元的信息，其中，所述目标失效存储单元的信息和所述目标冗余存储单元的信息是基于修复策略、所有的失效存储单元的信息以及所有的冗余存储单元的信息得到的。

7、在一些实施方式中，所述修复信息提供模块包括一次性可编程存储器和/或非易失存储器。

8、在一些实施方式中，所述逻辑芯片单元还包括:

9、信息译码器，所述信息译码器与所述控制模块电连接，所述信息译码器用于对所述目标存储单元的信息以及所述目标冗余存储单元的信息进行地址译码，以及判断所述目标失效存储单元和所述目标冗余存储单元是否存在。

10、在一些实施方式中，所述存储芯片单元还包括:

11、行列译码器，所述行列译码器的输入端与所述信息译码器电连接，所述行列译码器的输出端与所述存储芯片单元内所有的存储单元和所有的所述冗余存储单元电连接。

12、在一些实施方式中，所述存储芯片单元还包括：

13、选择状态模块，所述选择状态模块与所述控制模块电连接，相邻的所述存储芯片单元的所述选择状态模块电连接；

14、所述选择状态模块用于根据所属所述存储芯片单元中是否存在被替换的失效存储单元，以及所属所述存储芯片单元内是否存在用于替换所述失效存储单元的所述冗余存储单元，以进行选中或未选中的状态切换。

15、本申请实施例的第二方面，提供一种三维芯片的修复方法，所述三维芯片包括三维堆叠的逻辑芯片单元和至少两个存储芯片单元，所述修复方法包括：

16、确定所述三维芯片内的存储芯片单元内是否存在失效存储单元；

17、响应于所述存储芯片单元内存在所述失效存储单元，确定目标失效存储单元和目标冗余存储单元，其中，所述目标冗余存储单元是未替换所述失效存储单元的所述冗余存储单元，至少部分所述目标冗余存储单元与至少部分所述目标失效存储单元设置于不同的所述存储芯片单元内；

18、利用逻辑芯片单元内的控制模块，控制所述目标冗余存储单元替换所述目标失效存储单元。

19、在一些实施方式中，所述确定所述目标冗余存储单元，包括：

20、查找所述目标失效存储单元所属的所述存储芯片单元内是否存在未替换所述失效存储单元的所述冗余存储单元；

21、响应于所述目标失效存储单元所属的所述存储芯片单元内不存在未替换所述失效存储单元的所述冗余存储单元，确定所述目标失效存储单元所属的所述存储芯片单元之外的存储芯片单元上的未替换的所述冗余存储单元为所述目标冗余存储单元。

22、在一些实施方式中，所述确定所述目标冗余存储单元，包括：

23、确定距离所述目标失效存储单元最近的未替换的所述冗余存储单元为所述目标冗余存储单元。

24、在一些实施方式中，所述三维芯片的修复方法，还包括：

25、基于存储访问指令，确定所述存储访问指令对应访问的目标存储单元是否被替换；

26、响应于所述目标存储单元被替换，确定替换所述目标存储单元的所述冗余存储单元的地址为目标访问地址；

27、基于所述存储访问指令，根据所述目标访问地址，执行存储访问操作。

28、本申请实施例的第三方面，提供一种电子设备，包括：

29、如第一方面所述的三维芯片。

30、在一些实施方式中，所述电子设备，还包括：

31、外部非易失存储器，所述外部非易失存储器用于向控制模块提供封装后失效存储单元的信息和目标冗余存储单元的信息，其中，所述封装后失效存储单元是通过对封装后的所述三维芯片进行测试得到的失效存储单元。

32、针对现有技术存在的问题，本申请实施例提供的三维芯片、修复方法及电子设备，通过在逻辑芯片单元内设置控制模块，控制模块可以控制同一个存储芯片单元内的冗余存储单元替换失效存储单元，或者冗余存储单元替换属于不同芯片单元的失效存储单元，可以实现冗余存储单元跨芯片单元替换失效存储单元，进而在某个存储芯片单元上的冗余存储单元难以满足该存储芯片单元的失效存储单元的替换时，可以调用其他存储芯片单元上的冗余存储单元进行失效存储单元的替换，可以避免因冗余存储单元的数量不足导致失效芯片的产生，进而可以提高三维芯片的产品良率。

技术特征：

1.一种三维芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述逻辑芯片单元还包括：

3.根据权利要求2所述的三维芯片，其特征在于，所述修复信息提供模块包括一次性可编程存储器和/或非易失存储器。

4.根据权利要求2所述的三维芯片，其特征在于，所述逻辑芯片单元还包括:

5.根据权利要求4所述的三维芯片，其特征在于，所述存储芯片单元还包括:

6.根据权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述存储芯片单元还包括：

7.一种三维芯片的修复方法，其特征在于，所述三维芯片包括三维堆叠的逻辑芯片单元和至少两个存储芯片单元，所述修复方法包括：

8.根据权利要求7所述的三维芯片的修复方法，其特征在于，所述确定所述目标冗余存储单元，包括：

9.根据权利要求7所述的三维芯片的修复方法，其特征在于，所述确定所述目标冗余存储单元，包括：

10.根据权利要求7所述的三维芯片的修复方法，其特征在于，还包括：

11.一种电子设备，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，还包括：

技术总结才本申请公开一种三维芯片、修复方法及电子设备，涉及芯片技术领域，能够提高存储器芯片产品的良品率。一种三维芯片，包括：至少两个存储芯片单元，至少一个所述存储芯片单元内设置有冗余存储单元；逻辑芯片单元，所述逻辑芯片单元包括控制模块，所述控制模块用于控制目标冗余存储单元替换目标失效存储单元，其中，至少部分所述目标冗余存储单元与至少部分所述目标失效存储单元设置于不同的所述存储芯片单元内。技术研发人员：白亮,李乾男受保护的技术使用者：西安紫光国芯半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15