存储器装置及其操作方法与流程

本公开涉及电子装置，并且更具体地，涉及存储器装置及其操作方法。

背景技术：

1、存储器装置可以包括多个存储器单元。多个存储器单元的特性可以根据存储器单元的位置和使用频率而变化。随着对存储器单元执行存储器操作之后时间流逝，可能出现其中捕获在存储器单元中的电荷被释放的保留(retention)。保留可以指示存储器单元的劣化程度，并且可以导致在存储器控制器的控制下由存储器装置执行的读取操作、编程操作和擦除操作的可靠性降低。因此，存储器装置可以通过在执行存储器操作之前确定存储器单元的劣化程度并且基于根据劣化程度确定的目标参数执行存储器操作，来提高存储器操作的可靠性。

技术实现思路

1、本公开的实施方式提供了能够用根据存储器单元的劣化程度而优化的参数执行存储器操作的存储器装置及操作存储器装置的方法。

2、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可以包括多个存储器单元、外围电路和控制逻辑。外围电路可以对从多个存储器单元当中选择的存储器单元执行故障位检测操作。控制逻辑可以控制外围电路以基于在故障位检测操作中测量的故障位检测时间与参考时间之间的比较结果来设置与主操作相关的目标参数，并且基于目标参数对被选存储器单元执行主操作。

3、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括：对从多个存储器单元当中选择的存储器单元执行故障位检测操作；基于在故障位检测操作中测量的故障位检测时间与参考时间之间的比较结果来设置与要对被选存储器单元执行的主操作相关的目标参数；以及基于目标参数对被选存储器单元执行主操作。

4、根据本公开的实施方式，一种操作包括多个存储器单元的存储器装置的方法，该方法包括：初始化从多个存储器单元当中选择的至少一个存储器单元；感测被选存储器单元的单元电流以检测直到单元电流超过参考电流为止的时间；基于检测到的时间确定一个或更多个操作参数；以及基于操作参数，对被选存储器单元执行读取操作、编程操作和擦除操作中的至少一种。

5、根据本技术，提供了用根据存储器单元的劣化程度而优化的参数来执行存储器操作的存储器装置及其操作方法。

技术特征：

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述外围电路包括电流感测电路，所述电流感测电路基于单元电流与参考电流之间的比较结果来测量所述故障位检测时间，所述单元电流流过连接到所述多个存储器单元的多条位线。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述电流感测电路包括计数器，所述计数器测量从所述电流感测电路被激活的时间点到所述单元电流超过所述参考电流的时间点的时间作为所述故障位检测时间。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述计数器基于参考时钟来测量所述故障位检测时间。

5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑包括：

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述主操作包括读取操作、编程操作和擦除操作中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述操作参数储存器存储包括读取偏移表的所述偏移表，所述读取偏移表包括与所述读取操作相关的读取参数，并且

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述操作参数储存器存储包括编程偏移表的所述偏移表，所述编程偏移表包括与所述编程操作相关的编程参数，并且

9.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述操作参数储存器存储包括擦除偏移表的所述偏移表，所述擦除偏移表包括与所述擦除操作相关的擦除参数，并且

10.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述存储器操作控制器控制所述电流感测电路以在执行所述读取操作之前对所述被选存储器单元的沟道进行初始化的时段中执行所述故障位检测操作。

11.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述存储器操作控制器控制所述电流感测电路以在执行所述编程操作之前执行的编程验证操作的所述被选存储器单元的沟道被初始化的时段中执行所述故障位检测操作。

12.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述存储器操作控制器控制所述电流感测电路以在执行所述擦除操作之前执行的软编程验证操作的所述被选存储器单元的沟道被初始化的时段中执行所述故障位检测操作。

13.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，执行所述故障位检测操作的步骤包括以下步骤：基于单元电流与参考电流之间的比较结果来测量所述故障位检测时间，所述单元电流流过连接到所述多个存储器单元的多条位线。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，执行所述主操作的步骤包括以下步骤：执行读取操作、编程操作和擦除操作中的至少一种。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，设置所述目标参数的步骤包括以下步骤：基于所述故障位检测时间与所述参考时间之间的差值来设置所述目标参数，所述目标参数包括与所述读取操作相关的读取电压、读取通过电压、所述读取操作的感测时间、以及通过多条位线连接到所述被选存储器单元的页缓冲器的控制信号电平中的至少一个。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，设置所述目标参数的步骤包括以下步骤：基于所述故障位检测时间与所述参考时间之间的差值来设置所述目标参数，所述目标参数包括与所述编程操作相关的编程电压、编程通过电压和步进电压中的至少一个。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，设置所述目标参数的步骤包括以下步骤：基于所述故障位检测时间与所述参考时间之间的差值来设置所述目标参数，所述目标参数包括与所述擦除操作相关的擦除电压。

19.一种用于操作包括多个存储器单元的存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

技术总结本申请涉及存储器装置及其操作方法。本技术涉及电子装置。根据本技术，存储器装置可以包括多个存储器单元、外围电路和控制逻辑。外围电路可以对从多个存储器单元当中选择的存储器单元执行故障位检测操作。控制逻辑可以控制外围电路以基于在故障位检测操作中测量的故障位检测时间与参考时间之间的比较结果来设置与主操作相关的目标参数，并且基于目标参数对被选存储器单元执行主操作。技术研发人员：郑赞熙,郭东勋,朴世泉受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27