内存全面测试方法及装置与流程

本发明属于内存测试，具体涉及一种内存全面测试方法及装置。

背景技术：

1、终端用户对电子产品的且诸如手机卡顿和电脑蓝屏等的质量问题已经习以为常，这已成为大众的“集体经历”。随着人工智能、网络金融、无人驾驶和医疗智能化等智算产业的兴起，“算力”是核心动力，而算力底层基础建设对“可靠性”有着极高的要求，所以内存的性能以及品质对计算机的影响至关重要。

2、虽然现有内存测试方案采用了分步测试手段来对内存质量进行测试，但是，其对于内存的测试并不全面，因此，急需一种对内存测试更加全面的技术方案。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种内存全面测试方法及装置，用以解决现有内存测试方案对于内存测试存在并不全面进而影响测试结果准确性的问题。

2、为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

3、第一方面，提供了一种内存全面测试方法，包括：

4、利用预设的基础测试模板对目标内存进行基础测试，并根据得到的基础测试结果确定所述目标内存是否为非残次品；

5、当根据所述基础测试结果确定所述目标内存为非残次品时，先在预设的第一工作环境下对所述目标内存进行体制指标测试，得到运行参数，然后对所述运行参数进行数据分析，得到第一测试结果，最后根据所述第一测试结果与第一预设标准的第一对比结果确定所述目标内存是否为非残次品；

6、当根据所述第一对比结果确定所述目标内存为非残次品时，先在预设的第二工作环境下对所述目标内存进行可靠性测试，得到第二测试结果，然后根据所述第二测试结果与第二预设标准的第二对比结果确定所述目标内存是否为非残次品。

7、基于上述技术实现要素：，提供了一种对目标内存进行全面测试的新方案，即通过对目标内存依次进行基础测试、体制指标测试以及可靠性测试，可以实现对目标内存进行全面无遗漏的测试目的，进而可保障测试结果的准确性，避免出现目标内存被误判为残次品的现象，便于实际应用和推广。

8、在一个可能的设计中，所述基础测试包括有外观检测、dc参数测试和/或ac参数测试，其中，所述dc参数测试包括有在某个直流电压范围下的开路测试、短路测试、电流功耗测试和/或电压参数测试，所述某个直流电压范围至少覆盖由jedec标准所定义的最大/最小电压值，所述ac参数测试包括有用于测量与时间相关的电性参数的测试，所述电性参数包含有频率、访问延迟时间、刷新时间和/或数据保持时间。

9、在一个可能的设计中，所述第一工作环境包括有第一高温环境和第一低温环境，所述体制指标测试包括有核心参数测试和/或信号完整性测试，其中，所述核心参数测试包括有用于测量在jedec标准、原厂设计规范和/或客户加严测试标准中的任一参数的测试，所述信号完整性测试包括有rmt测试、在施加环境波动因素条件下的第二rmt测试和/或在同时施加环境波动因素条件及自身波动因素条件下的第三rmt测试，所述环境波动因素包含有温度和电压，所述自身波动因素包含有芯片内部数据拓扑复杂度。

10、在一个可能的设计中，所述第二工作环境包括有第二高温环境和第二低温环境，所述可靠性测试包括有反复上下电测试、老炼化测试和/或原厂自定义老化测试，其中，所述反复上下电测试是指对待测试内存进行反复上下电处理以便得到连续成功上电启动次数的测试，所述老炼化测试是指对待测试内存进行炼化以便达到参数不漂移且稳定可靠的状态的测试，所述原厂自定义老化测试是指按照原厂自定义老化测试条件、测试时间和判断标准进行老化的测试，所述老化是指待测试内存在上线过程中所产生参数漂移的现象，所述炼化是指通过检测手段使所述待测试内存渡过参数动荡阶段。

11、在一个可能的设计中，当所述体制指标测试包括有信号完整性测试并且所述信号完整性测试包括有在施加环境波动因素条件下的第二rmt测试或在同时施加环境波动因素条件及自身波动因素条件下的第三rmt测试时，该测试包括：取随机地址和随机数据做数据与地址的输入输出i/o训练，并在每次获得一个数据线眼图后，将训练计时翻倍，然后再次做所述输入输出i/o训练，直到在连续两次训练所得的两个数据线眼图收敛到完全一致时为止。

12、在一个可能的设计中，对所述运行参数进行数据分析，得到第一测试结果，包括：

13、持续监测所述运行参数，并对在所述运行参数中的每个参数的波动幅度进行综合叠加，得到用于作为第一测试结果的且用于表征芯片稳定性的芯片内部波动指数。

14、在一个可能的设计中，根据得到的基础测试结果确定所述目标内存是否为非残次品，包括：

15、根据得到的基础测试结果判断所述目标内存是否通过基本系统测试，若是，则确定所述目标内存为非残次品，否则进一步判断所述目标内存是否可芯片封装后修复，若否，则确定所述目标内存为残次品。

16、在一个可能的设计中，根据所述第一测试结果与第一预设标准的第一对比结果确定所述目标内存是否为非残次品，包括：

17、根据所述第一测试结果与第一预设标准的第一对比结果，判断所述目标内存的核心参数测试结果是否符合jedec标准以及所述目标内存是否通过rmt测试，若是，则确定所述目标内存为非残次品，否则进一步判断所述目标内存是否可芯片封装后修复，若否，则确定所述目标内存为残次品。

18、在一个可能的设计中，根据所述第二测试结果与第二预设标准的第二对比结果确定所述目标内存是否为非残次品，包括：

19、根据所述第二测试结果与第二预设标准的第二对比结果，判断所述目标内存在反复上下电测试结果中的连续成功上电启动次数是否达到预设的第一次数阈值，若是，则确定所述目标内存为非残次品，否则直接确定所述目标内存的质量等级为原厂品。

20、在一个可能的设计中，所述方法还包括：

21、当每次确定所述目标内存为残次品时，根据客户意见和/或所述目标内存所具备的修复条件，对所述目标内存进行修复测试，若通过所述修复测试，则最终确定所述目标内存为非残次品，否则最终确定所述目标内存为残次品。

22、在一个可能的设计中，在最终确定所述目标内存为非残次品后，所述方法还包括：

23、对所述目标内存进行出厂零错误测试，并根据出厂零错误测试结果确定所述目标内存的质量等级。

24、在一个可能的设计中，根据出厂零错误测试结果确定所述目标内存的质量等级，包括有如下步骤s501～s514：

25、s501.根据出厂零错误测试结果，判断所述目标内存在on-die ecc机制下的错误计数是否等于0，若是，则执行步骤s503，否则执行步骤s502；

26、s502.判断所述目标内存是否可芯片封装后修复，若否，则确定所述目标内存的质量等级为原厂品；

27、s503.判断所述目标内存已做优等品检测的次数是否大于等于预设的第二次数阈值，若是，则确定所述目标内存的质量等级为标准品，否则执行步骤s504；

28、s504.判断所述目标内存是否有老炼品检测失败记录，若是，则执行步骤s511，否则执行步骤s505；

29、s505.判断是否对所述目标内存做老炼品检测，若是，则执行步骤s506，否则执行步骤s511；

30、s506.开始对所述目标内存做老炼品检测，然后执行步骤s507；

31、s507.判断所述目标内存是否符合产品正态分布前半数以及通过所述第三rmt测试，若是，则执行步骤s508，否则执行步骤s511；

32、s508.判断所述目标内存是否通过客户自定义加严测试，若是，则执行步骤s509，否则执行步骤s513；

33、s509.判断所述目标内存在反复上下电测试结果中的连续成功上电启动次数是否达到预设的第三次数阈值，若是，则执行步骤s510，否则执行步骤s514；

34、s510.判断所述目标内存是否完全老炼化，若是，则确定所述目标内存的质量等级为优炼品；

35、s511.开始对所述目标内存做优等品检测，然后执行步骤s512；

36、s512.判断所述目标内存是否符合产品正态分布@-2个标准差以及通过所述第二rmt测试，若是，则执行步骤s513；

37、s513.判断所述目标内存是否通过加严系统测试，若是，则执行步骤s514；

38、s514.判断所述目标内存在反复上下电测试结果中的连续成功上电启动次数是否达到预设的第四次数阈值，若是，则确定所述目标内存的质量等级为优等品，否则确定所述目标内存的质量等级为标准品，其中，所述第四次数阈值低于所述第三次数阈值。

39、第二方面，提供了一种内存全面测试装置，包括有依次通信连接的基础测试模块、体制指标测试模块和可靠性测试模块；

40、所述基础测试模块，用于利用预设的基础测试模板对目标内存进行基础测试，并根据得到的基础测试结果确定所述目标内存是否为非残次品；

41、所述体制指标测试模块，用于当根据所述基础测试结果确定所述目标内存为非残次品时，先在预设的第一工作环境下对所述目标内存进行体制指标测试，得到运行参数，然后对所述运行参数进行数据分析，得到第一测试结果，最后根据所述第一测试结果与第一预设标准的第一对比结果确定所述目标内存是否为非残次品；

42、所述可靠性测试模块，用于当根据所述第一对比结果确定所述目标内存为非残次品时，先在预设的第二工作环境下对所述目标内存进行可靠性测试，得到第二测试结果，然后根据所述第二测试结果与第二预设标准的第二对比结果确定所述目标内存是否为非残次品。

43、上述方案的有益效果：

44、(1)本发明创造性提供了一种对目标内存进行全面测试的新方案，即通过对目标内存依次进行基础测试、体制指标测试以及可靠性测试，可以实现对目标内存进行全面无遗漏的测试目的，进而可保障测试结果的准确性，避免出现目标内存被误判为残次品的现象，便于实际应用和推广；

45、(2)还可以对非残次品进行准确的质量等级划分，进一步保障测试结果的准确性，利于产品分级使用以及定价。