存储器件及其操作方法与流程

本发明构思涉及非易失性存储器件以及该非易失性存储器件的操作方法，并且更具体地，涉及一种执行恢复操作的非易失性存储器件以及该非易失性存储器件的操作方法。

背景技术：

1、现有的半导体器件可能面临诸如在读取操作之后可能发生的劣化之类的问题。竖直nand(vnand)使用高集成度的包括多个堆叠的堆叠结构，并且因此，可能期望更精确的恢复控制方法。

技术实现思路

1、本发明构思提供了一种执行稳定的恢复操作的存储器件，并且通过针对存储器件的各个堆叠设置用于执行恢复操作的不同恢复时间点来减少或防止存储器件劣化。

2、根据本发明构思的一方面，一种存储器件包括字线区域，该字线区域在位线和公共源极线之间，并且包括包含第一堆叠、第二堆叠和第三堆叠的多个堆叠。在字线区域中第一区域包括第一堆叠，具有第一电阻值，在字线区域中第二区域包括第二堆叠，具有第二电阻值，其中，第二电阻值与第一电阻值不同，在字线区域中第三区域包括第三堆叠，具有与第一电阻值不同的第三电阻值，处理器被配置为控制第一区域、第二区域和第三区域的恢复顺序，其中，处理器被配置为在第一时间点处开始执行针对第一区域的第一恢复操作，并且例如当第一区域的恢复值满足第一预设标准时，在与第一时间点不同的第二时间点处或在第二时间点之后开始执行针对第二区域的第二恢复操作和针对第三区域的第三恢复操作。

3、根据本发明构思的另一方面，一种存储器件的用于恢复字线区域的操作方法，该字线区域在位线和公共源极线之间，并且包括在字线区域中具有第一电阻值的第一区域、在字线区域中具有与第一电阻值不同的第二电阻值的第二区域，以及在字线区域中具有与第一电阻值不同的第三电阻值的第三区域，该操作方法包括：控制第一区域、第二区域和第三区域的恢复顺序，其中，控制恢复顺序包括：在第一时间点处开始针对第一区域的第一恢复操作，并且例如当第一区域的恢复值满足预设第一标准时，在第二时间点处或第二时间点之后开始针对第二区域和第三区域的恢复操作。

4、根据本发明构思的另一方面，一种存储器件包括字线区域，该字线区域在位线和公共源极线之间，并且包括包含第一堆叠、第二堆叠和第三堆叠的多个堆叠。在字线区域中第一区域包括第一堆叠，具有第一电阻值，在字线区域中第二区域包括第二堆叠，具有第二电阻值，其中，第二电阻值与第一电阻值不同，在字线区域中第三区域包括第三堆叠，具有与第一电阻值不同的第三电阻值，处理器被配置为控制第一区域、第二区域和第三区域的恢复顺序，其中，该处理器被配置为在第一时间点处开始执行针对第一区域的第一恢复操作，并且例如当第一区域的恢复值满足第一预设标准时，在与第一时间点不同的第二时间点处开始针对第二区域的恢复操作或针对第三区域的恢复操作中的至少一个。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中

4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第一区域的所述第一堆叠中的至少一个距所述位线和所述公共源极线的距离相同。

5.根据权利要求2所述的存储器件，其中

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

9.一种存储器件的操作方法，用于恢复在位线和公共源极线之间并且包括多个堆叠的字线区域，所述多个堆叠包括第一堆叠、第二堆叠和第三堆叠，所述操作方法包括：

10.根据权利要求9所述的操作方法，还包括：

11.根据权利要求10所述的操作方法，其中，执行针对所述第二区域的所述第二恢复操作和针对所述第三区域的所述第三恢复操作包括：

12.根据权利要求10所述的操作方法，其中，开始针对所述第一区域的所述第一恢复操作包括：将包括所述多个堆叠中距所述位线和所述公共源极线相同距离的至少一个堆叠在内的区域识别为所述第一区域。

13.根据权利要求10所述的操作方法，其中，执行针对所述第二区域的所述第二恢复操作和针对所述第三区域的所述第三恢复操作包括：

14.根据权利要求9所述的操作方法，其中，执行针对所述第一区域的所述第一恢复操作包括：

15.根据权利要求9所述的操作方法，其中，执行针对所述第一区域的所述第一恢复操作包括：

16.根据权利要求9所述的操作方法，其中，所述第一区域包括虚设区域和除所述虚设区域之外的中心区域，并且

17.一种存储器件，包括：

18.根据权利要求17所述的存储器件，其中

19.根据权利要求18所述的存储器件，其中

20.根据权利要求17所述的存储器件，其中

技术总结一种存储器件，包括在位线和公共源极线之间的字线区域。字线区域包括多个堆叠。字线区域中的第一区域包括第一堆叠，具有第一电阻值；字线区域中的第二区域包括第二堆叠，具有第二电阻值，其中，第二电阻值与第一电阻值不同；第三区域包括第三堆叠，具有与第一电阻值不同的第三电阻值；并且处理器被配置为控制第一区域、第二区域和第三区域的恢复顺序。技术研发人员：崔容赫,柳载德,李耀翰受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/18