存储器装置和存储系统及其操作方法与流程

本发明的多种实施例涉及一种半导体设计技术，更具体地说，涉及一种存储系统，其包括针对行锤缓解执行目标刷新操作的半导体存储器装置。

背景技术：

1、近来，除了正常刷新操作外，还对因行锤现象而可能会丢失数据的特定字线的存储单元在进行附加的刷新操作，该操作将在下文中被称为“目标刷新操作”。行锤现象是指由于相应字线的大量激活，耦接至特定字线或与字线相邻的字线的存储单元的数据被损坏的现象。为了防止行锤现象，对被激活超过预定次数的字线和与该字线相邻的字线进行目标刷新操作。

2、近来，除了指示执行正常刷新操作的正常刷新命令外，存储器控制器还向存储器装置提供了刷新命令(以下简称刷新管理命令)，以指示目标刷新操作。因此，已经研究了一种由存储器装置有效执行目标刷新操作的方法。

技术实现思路

1、本发明的实施例涉及一种存储器装置，以及其操作方法，该存储器装置能够根据由存储器控制器提供的刷新管理命令和内部生成的目标刷新命令的总发出次数而针对温度调整刷新速率。

2、根据本发明的实施例，一种存储器装置包括：速率控制电路，被配置为：基于刷新管理命令和内部目标刷新命令生成刷新计数值，以及通过将刷新计数值与对应于温度信息的目标值相比较来生成速率控制信号；以及目标命令发出电路，被配置为：根据速率控制信号设置目标次数，以及每当正常刷新命令的输入次数达到该目标次数时发出内部目标刷新命令。

3、根据本发明的实施例，一种存储系统包括：存储器控制器，被配置为以刷新间隔周期性地施加正常刷新命令，以及非周期性地施加刷新管理命令；以及存储器装置，被配置为：每当正常刷新命令的输入次数达到目标次数时生成内部目标刷新命令，以及通过将基于所述刷新管理命令的输入次数和所述内部目标刷新命令的发出次数生成的刷新计数值与对应于温度信息的目标值相比较，调整所述目标次数。

4、根据本发明的实施例，一种存储器装置的操作方法包括：从存储器控制器接收正常刷新命令或刷新管理命令；每当正常刷新命令的输入次数达到目标次数时，生成内部目标刷新命令；通过对刷新管理命令的输入次数和内部目标刷新命令的发出次数求和来计算刷新计数值；通过将刷新计数值与对应温度信息的目标值相比较来生成速率控制信号；以及根据速率控制信号调整目标次数。

5、根据本发明的实施例，一种存储器装置的操作方法包括：执行相互独立的第一刷新操作和第二刷新操作；当第一刷新操作被执行参考次数时，执行第三刷新操作；以及基于总和与阈值之间的比较来调整参考次数，其中，总和是相应的第二刷新操作和第三刷新操作被执行的次数，以及其中阈值取决于存储器装置的温度。参考次数可以随着温度变高而变小，随着温度变低而变大。调整可以包括：当总和小于阈值时减小参考次数；以及当总和大于阈值时增大参考次数。第一刷新操作可以是响应于基于周期性地提供的外部命令而被执行的，第二刷新操作可以是响应于基于非周期性地提供的外部命令而被被执行的，而第三刷新操作可以是在没有外部命令的情况下被自主执行的。

6、根据本发明的实施例，存储器装置可以在刷新管理命令的发出次数相对低的较高温度下增大目标刷新命令的发出次数，而在刷新管理命令的发出次数相对高的较低温度下减小目标刷新命令的发出次数，由此提高刷新效率，同时提高抗行锤攻击的防御能力。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述速率控制电路包括：

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述计数电路包括：

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述确定电路包括：

6.根据权利要求5所述的存储器装置，

7.根据权利要求1所述的存储器装置，进一步包括地址采样电路，所述地址采样电路：

8.根据权利要求7所述的存储器装置，进一步包括行控制电路，所述行控制电路：根据所述刷新管理命令或所述内部目标刷新命令来刷新与所述目标地址相对应的一个或更多个行。

9.一种存储系统，包括：

10.根据权利要求9所述的存储系统，其中，相比于在低温状态，所述存储器控制器在较高的温度状态施加所述刷新管理命令较少次数。

11.根据权利要求9所述的存储系统，其中，所述存储器装置包括：

12.根据权利要求11所述的存储系统，其中，所述计数电路包括：

13.根据权利要求11所述的存储系统，其中，所述确定电路包括：

14.根据权利要求9所述的存储系统，其中，所述存储器装置包括：

15.一种存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：

16.根据权利要求15所述的操作方法，

17.根据权利要求15所述的操作方法，其中，所述计算刷新计数值包括：

18.根据权利要求15所述的操作方法，其中，所述生成速率控制信号包括：

19.根据权利要求18所述的操作方法，其中，设置所述速率控制信号包括：

20.一种存储器装置的操作方法，包括：

21.根据权利要求20所述的操作方法，其中，所述参考次数随着所述温度变高而变小，而随着所述温度变低而变大。

22.根据权利要求20所述的操作方法，其中，所述调整包括：

23.根据权利要求20所述的操作方法，其中：

技术总结本公开涉及存储器装置和存储系统及其操作方法。存储器装置包括：速率控制电路，被配置为：基于刷新管理命令和内部目标刷新命令生成刷新计数值，以及通过将刷新计数值与对应于温度信息的目标值相比较来生成速率控制信号；以及目标命令发出电路，被配置为：根据速率控制信号设置目标次数，以及每当正常刷新命令的输入次数达到该目标次数时发出内部目标刷新命令。技术研发人员：郑喆文,高秉涌,金雄来受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/23