非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法与流程

本发明构思涉及存储器，更具体地，涉及非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法。

背景技术：

1、存储器件用于存储数据并且被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。作为非易失性存储器件的示例，闪存器件可以用在移动电话、数码相机、个人数字助理(pda)、移动计算机装置、固定计算机装置和其他装置中。最近，需要减少存储器件存储数据或者读取存储的数据所需要的时间。

技术实现思路

1、一些示例实施例可以提供一种非易失性存储器件和一种所述非易失性存储器件的操作方法，所述非易失性存储器件能够通过减少字线和/或位线的设置时间来改善存储器件的写入性能和读取性能。

2、根据一些示例实施例，提供了一种操作包括电压生成器的非易失性存储器件的方法，所述方法包括：计算第一字线节点的电压电平与第二字线节点的电压电平之间的差；基于所述第一字线节点的电压电平与所述第二字线节点的电压电平之间的差将所述电压生成器的第一参考电压电平改变为第二参考电压电平；以及基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定目标电压电平。与所述第二字线节点相比，所述第一字线节点更靠近所述电压生成器的输出端。

3、根据一些示例实施例，提供了一种操作包括电压生成器的非易失性存储器件的方法，所述方法包括：计算第一位线节点的电压电平与第二位线节点的电压电平之间的差；基于所述第一位线节点的电压电平与所述第二位线节点的电压电平之间的差将所述电压生成器的第一参考电压电平改变为第二参考电压电平；以及基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定目标电压电平。与所述第二位线节点相比，所述第一位线节点更靠近所述电压生成器的输出端。

4、根据一些示例实施例，提供了一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括存储单元和耦接到所述存储单元的字线；开关；电压减法器；电压加法器；控制逻辑，所述控制逻辑被配置为：控制所述电压减法器计算第一字线节点的电压电平与第二字线节点的电压电平之间的差，控制所述电压加法器基于所述第一字线节点的电压电平与所述第二字线节点的电压电平之间的差将第一参考电压电平改变为第二参考电压电平，并且控制所述开关基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定目标电压电平；以及电压生成器，所述电压生成器被配置为生成所述目标电压电平。所述第一字线节点和所述第二字线节点是所述字线中的选定字线上的节点，并且与所述第二字线节点相比，所述第一字线节点更靠近所述电压生成器的输出端。

技术特征：

1.一种操作包括电压生成器的非易失性存储器件的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：基于所述目标电压电平对所述非易失性存储器件的非易失性存储器执行编程、读取、编程验证和擦除验证中的任何一者。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一参考电压电平改变为所述第二参考电压电平包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一参考电压电平改变为所述第二参考电压电平包括：

5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定所述目标电压电平包括：当所述第一参考电压电平与所述第二参考电压电平之间的差大于或等于阈值时，基于所述第二参考电压电平确定所述目标电压电平。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定所述目标电压电平包括：当所述第一参考电压电平与所述第二参考电压电平之间的差小于阈值时，基于所述第一参考电压电平确定所述目标电压电平。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一字线节点是所述电压生成器的所述输出端，并且

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一字线节点是字线上与所述电压生成器的所述输出端分离预设距离或更大距离的节点，并且

10.一种操作包括电压生成器的非易失性存储器件的方法，所述方法包括：

11.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括：基于所述目标电压电平对所述非易失性存储器件的非易失性存储器执行编程、读取、编程验证和擦除验证中的任何一者。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述第一参考电压电平改变为所述第二参考电压电平包括：

13.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述第一参考电压电平改变为所述第二参考电压电平包括：

14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：

15.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：

16.根据权利要求15所述的非易失性存储器件，其中，所述控制逻辑还被配置为：基于所述目标电压电平控制对所述存储单元阵列执行编程、读取、编程验证和擦除验证中的任何一者。

17.根据权利要求15所述的非易失性存储器件，其中，所述控制逻辑控制所述电压加法器将所述第一参考电压电平改变为所述第二参考电压电平包括：所述逻辑控制控制所述电压减法器基于所述第一字线节点的电压电平与所述第二字线节点的电压电平之间的差生成参考补偿电平，并且控制所述电压加法器通过将所述第一参考电压电平和所述参考补偿电平相加来生成所述第二参考电压电平。

18.根据权利要求15所述的非易失性存储器件，所述非易失性存储器件还包括码至电压转换器，

19.根据权利要求15所述的非易失性存储器件，其中，所述控制逻辑基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定目标电压电平包括：当所述第一参考电压电平与所述第二参考电压电平之间的差大于或等于阈值时，所述控制逻辑控制所述开关基于所述第二参考电压电平确定所述目标电压电平。

20.根据权利要求15所述的非易失性存储器件，其中，所述控制逻辑基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定所述目标电压电平包括：当所述第一参考电压电平与所述第二参考电压电平之间的差小于阈值时，所述控制逻辑控制所述开关基于所述第一参考电压电平确定所述目标电压电平。

技术总结提供了包括电压生成器的非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：计算第一字线节点的电压电平与第二字线节点的电压电平之间的差；基于所述电压电平之间的差将所述电压生成器的第一参考电压电平改变为第二参考电压电平；以及基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定目标电压电平。与所述第二字线节点相比，所述第一字线节点可以更靠近所述电压生成器的输出端。技术研发人员：姜弼圭,金治贤,朴俊泓,尹梓洋,尹治元,李道田受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/23