实施全局字线偏置电压以进行读取状态转变的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更明确来说，涉及实施全局字线偏置电压以进行读取状态转变。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器装置处及从所述存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面，提供一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器阵列；及控制逻辑，其可操作地耦合到所述存储器阵列，以执行包括以下的操作：识别与所述存储器装置相关的一组参数；基于所述一组参数来选择将在所述存储器装置的块从瞬态到稳态的读取状态转变期间被施加到全局字线的偏置电压的量值；及致使所述偏置电压被施加到所述全局字线。

2、根据本公开的另一方面，提供一种方法。所述方法包括：由处理装置识别与存储器装置相关的一组参数；由所述处理装置基于所述一组参数来选择将在所述存储器装置的块从瞬态到稳态的读取状态转变期间被施加到全局字线的偏置电压的量值；及由所述处理装置致使所述偏置电压被施加到所述全局字线。

3、根据本公开的又一方面，提供一种非暂时性计算机可读存储媒体。所述非暂时性计算机可读存储媒体包括指令，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下的操作：获得存储器装置的温度；选择与所述温度成比例的、将在所述存储器装置的块从瞬态到稳态的读取状态转变期间被施加到全局字线的偏置电压的量值；及致使所述偏置电压被施加到所述全局字线。

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一组参数包括对应于从所述存储器装置已被存取时算起的时间量的待机时间。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一组参数包括所述存储器装置的温度，且其中所述偏置电压的所述量值与所述存储器装置的所述温度成比例。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述偏置电压的所述量值基于温度补偿值及在所述温度是约0℃时被施加到所述全局字线的基准偏置电压的量值来选择。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中选择将被施加到所述全局字线的所述偏置电压的所述量值包括确定所述存储器装置的所述温度是否满足阈值条件。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括：响应于确定所述存储器装置的所述温度满足所述阈值条件，选择将被施加到所述全局字线的正偏置电压。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括：响应于确定所述存储器装置的所述温度不满足所述阈值条件，选择将被施加到所述全局字线的接地偏置电压。

8.一种方法，其包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述一组参数包括对应于从所述存储器装置已被存取时算起的时间量的待机时间。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述一组参数包括所述存储器装置的温度，且其中所述偏置电压的所述量值与所述存储器装置的所述温度成比例。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述偏置电压的所述量值基于温度补偿值及在所述温度是约0℃时被施加到所述全局字线的基准偏置电压的量值来选择。

12.根据权利要求10所述的方法，其中选择将被施加到所述全局字线的所述偏置电压的所述量值包括确定所述存储器装置的所述温度是否满足阈值条件。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：响应于确定所述存储器装置的所述温度满足所述阈值条件，由所述处理装置选择将被施加到所述全局字线的正偏置电压。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：响应于确定所述存储器装置的所述温度不满足所述阈值条件，由所述处理装置选择将被施加到所述全局字线的接地偏置电压。

15.一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下的操作：

16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述偏置电压的所述量值进一步基于对应于从所述存储器装置已被存取时算起的时间量的待机时间来选择。

17.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述偏置电压的所述量值基于温度补偿值及在所述温度是约0℃时被施加到所述全局字线的基准偏置电压的量值来选择。

18.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中选择将被施加到所述全局字线的所述偏置电压的所述量值包括确定所述存储器装置的所述温度是否满足阈值条件。

19.根据权利要求18所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述操作进一步包括：响应于确定所述存储器装置的所述温度满足所述阈值条件，选择将被施加到所述全局字线的正偏置电压。

20.根据权利要求18所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述操作进一步包括：响应于确定所述存储器装置的所述温度不满足所述阈值条件，选择将被施加到所述全局字线的接地偏置电压。

技术总结本公开涉及实施全局字线偏置电压以进行读取状态转变。一种存储器装置包含：存储器阵列；及控制逻辑，其可操作地耦合到所述存储器阵列，以执行包含以下的操作：识别与所述存储器装置相关的一组参数；基于所述一组参数来选择将在所述存储器装置的块从瞬态到稳态的读取状态转变期间被施加到全局字线的偏置电压的量值；及致使所述偏置电压被施加到所述全局字线。技术研发人员：卢景煌,四方刚,G·恰克玛受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18