存储器电路、半导体器件及操作电路的方法与流程

本申请的实施例涉及存储器电路、半导体器件及操作电路的方法。

背景技术：

1、半导体存储器电路中的时序操作经常是器件的性能的一个因子(factor)。在一些追求高可靠性和灵活性的应用中，自定时(self-timing)存储器可以被用于控制操作的时序。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种存储器电路，包括：时钟产生器，被配置为响应接收到的外部时钟信号而产生内部时钟信号；存储器阵列，包括一个或多个存储器单元，一个或多个存储器单元的每个被配置为响应内部时钟信号而接收字线信号；跟踪字线电路，被配置为接收内部时钟信号、增强信号、读取启用信号以及写入启用信号，其中跟踪字线电路被配置为响应内部时钟信号、增强信号以及读取启用信号而产生第一跟踪读取信号，且跟踪字线电路被配置为响应内部时钟信号、增强信号以及写入启用信号而产生第一跟踪写入信号；跟踪位线电路，被配置为接收第一跟踪读取信号和第一跟踪写入信号，其中跟踪位线电路被配置为响应第一跟踪读取信号和第一跟踪写入信号而产生跟踪位线信号，其中跟踪字线电路被配置为响应跟踪位线信号而产生重置信号并传递重置信号至时钟产生器。

2、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：多个存储器库，存储器库的每个包括多个存储器单元；多个字线，连接至多个存储器单元；多个字线驱动器，被配置为经由多个字线传输信号至多个存储器单元；全局控制(gctrl)区域，包括被配置为控制多个字线驱动器的控制电路；全局输入/输出(gio)区域，和gctrl区域相邻；以及跟踪字线电路，包括：多个逻辑元件，位于gctrl区域内；第一跟踪字线循环，延伸进入gio区域；以及第二跟踪字线循环，延伸进入gio区域，其中第一跟踪字线循环比第二跟踪字线循环更远地延伸到gio区域中。

3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种操作电路的方法，包括：执行具有操作周期时间的读取或写入操作；以及执行具有跟踪周期时间的跟踪操作，其中跟踪操作包括：接收跟踪字线电路内的内部时钟信号和启用信号；确定器件是否处在增强模式下；产生至少一个跟踪信号，其中当器件不在增强模式下，至少一个跟踪信号包括一标称电压跟踪信号，并且当器件在增强模式下，至少一个跟踪信号包括标称电压跟踪信号和增强跟踪信号；接收跟踪位线电路内的至少一个跟踪信号，其中跟踪位线电路包括多个跟踪存储器单元；由至少一个跟踪信号产生跟踪位线信号；以及由跟踪位线信号产生重置信号，其中操作周期时间等于跟踪周期时间。

技术特征：

1.一种存储器电路，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述跟踪字线电路包括第一逻辑元件，所述第一逻辑元件被配置为在所述内部时钟信号、所述增强信号以及所述读取启用信号为开启时输出所述第一跟踪读取信号；以及

3.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述跟踪位线电路包括多个跟踪存储器单元；以及

4.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述跟踪字线电路还被配置为响应于所述内部时钟信号和所述读取启用信号而产生第二跟踪读取信号，并且所述跟踪字线电路还被配置为响应于所述内部时钟信号和所述写入启用信号而产生第二跟踪写入信号。

5.根据权利要求4所述的存储器电路，还包括被配置为传输所述第一跟踪读取信号的第一跟踪字线循环以及被配置为传输所述第二跟踪读取信号的第二跟踪字线循环，

6.根据权利要求5所述的存储器电路，还包括被配置为传输所述第一跟踪写入信号的第三跟踪字线循环以及被配置为传输所述第二跟踪写入信号的第四跟踪字线循环，

7.根据权利要求4所述的存储器电路，还包括多个逻辑门，所述多个逻辑门被配置为产生所述第一跟踪读取信号、所述第一跟踪写入信号、所述第二跟踪读取信号以及所述第二跟踪写入信号。

8.根据权利要求7所述的存储器电路，其中，所述多个逻辑门包括：

9.一种半导体器件，包括：

10.一种操作电路的方法，包括：

技术总结本公开提供了一种存储器电路，包括被配置为接收内部时钟信号、增强信号以及读取启用信号和响应内部时钟信号、增强信号以及写入启用信号而产生第一跟踪读取信号和第一跟踪写入信号的一跟踪字线电路。电路也包括被配置为接收第一跟踪读取信号和第一跟踪写入信号的跟踪位线电路，其中跟踪位线电路被配置为响应第一跟踪读取信号和第一跟踪写入信号而产生一跟踪位线信号，其中跟踪字线电路被配置为响应跟踪位线信号而产生和传输重置信号至时钟产生器。本申请的实施例还提供了半导体器件及操作电路的方法。技术研发人员：桑吉夫·库马尔·甄恩,阿图尔·卡多奇受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1