形成封装件的方法与流程

本申请的实施例涉及半导体领域，更具体地，涉及形成封装件的方法。

背景技术：

1、集成电路的封装件越来越复杂，通过在同一封装件中集成的更多的器件管芯，来实现更多的功能。例如，诸如处理器和存储器数据库的多个器件管芯可以接合并且集成在一起。封装件可以包括使用不同技术形成的器件管芯，并且具有不同的功能，从而形成系统。这可以节省制造成本，并且优化器件性能。

技术实现思路

1、根据本申请的一个实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括：在再分布结构上接合复合管芯，其中，复合管芯包括器件管芯，器件管芯包括：半导体衬底；以及贯穿半导体通孔，穿过半导体衬底。复合管芯还包括：金属通孔，位于器件管芯的表面；以及牺牲载体，连接至器件管芯。形成封装件的方法还包括：将复合管芯密封在密封剂中；在复合管芯和密封剂上实施平坦化工艺，其中，去除牺牲载体，以暴露出金属通孔；以及形成电连接至金属通孔的导电部件。

2、根据本申请的另一个实施例，提供了一种形成封装件的方法，形成封装件的方法包括形成器件晶圆，形成器件晶圆包括：在半导体衬底的背面上实施背面研磨工艺，从而从半导体衬底的背面暴露出贯穿通孔；从背面凹进半导体衬底，其中，贯穿通孔的部分凸出至半导体衬底之外；在半导体衬底的背面上形成介电隔离层，其中，贯穿通孔通过介电隔离层暴露出来；形成接触贯穿通孔的金属通孔；以及形成介电层，其中，金属通孔位于介电层中。形成封装件的方法还包括将牺牲载体连接至器件晶圆，以形成复合晶圆；以及将复合晶圆锯切成多个复合管芯，其中，将牺牲载体也锯切成牺牲管芯。

3、根据本申请的又一个实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括：形成封装件，形成封装件包括：形成第一再分布结构；以及在第一再分布结构上方接合器件管芯。其中，器件管芯包括：半导体衬底；集成电路，位于半导体衬底的正面；介电隔离层，接触半导体衬底的背面；贯穿通孔，穿过半导体衬底和介电隔离层；以及金属通孔，接触贯穿通孔。形成封装件还包括在器件管芯上方形成第二再分布结构，其中，第二再分布结构通过贯穿通孔电连接至第一再分布结构。

4、本申请的实施例涉及使用牺牲载体封装包括tsv的管芯。

技术特征：

1.一种形成封装件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属通孔位于所述器件管芯的背面上，并且与所述贯穿半导体通孔接触。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述金属通孔横向延伸超过所述贯穿半导体通孔的相应的边缘，并且接触所述介电隔离层。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述介电隔离层包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属通孔位于所述器件管芯的正面上。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲载体通过粘附膜连接至所述器件管芯，并且其中，在所述平坦化工艺中去除所述粘附膜。

9.一种形成封装件的方法，包括：

10.一种形成封装件的方法，包括：

技术总结根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括在再分布结构上接合复合管芯。复合管芯包括器件管芯，器件管芯包括半导体衬底，和穿过半导体衬底的贯穿半导体通孔，复合管芯还包括位于器件管芯的表面的金属通孔，以及连接至器件管芯的牺牲载体。复合管芯密封在密封剂中。在复合管芯和密封剂上实施平坦化工艺，并且去除牺牲载体以暴露出金属通孔。导电部件形成为电连接至金属通孔。技术研发人员：曾建富,叶德强,张宏宾,谢正贤,许立翰,李孟灿,吴伟诚,王景德受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1