半导体器件及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术：

1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断改进，半导体工业已经经历了快速增长。在很大程度上，集成密度的改进来自于最小部件尺寸的迭代减小，这允许更多的组件集成到给定的区域中。随着对缩小电子器件需求的增长，出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在工件上形成凸块下结构，所述凸块下结构电耦合至嵌入在所述工件中的金属部件；在所述凸块下结构上形成焊料凸块以形成焊料结构；在所述焊料结构上方并且横向围绕所述焊料结构沉积第一支撑层；平坦化所述第一支撑层，以使所述焊料结构的上表面与所述第一支撑层的上表面齐平；在所述第一支撑层上方和所述焊料结构上方沉积非导电膜；以及分割所述工件以释放管芯。

2、本申请的另一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供第一工件，所述第一工件包括从所述第一工件的上表面突出的金属柱；将所述管芯的共晶连接件与所述金属柱对准，所述管芯包括电耦合至所述管芯的金属部件的共晶连接件、横向围绕所述共晶连接件的第一膜、以及设置在所述第一膜上和所述共晶连接件上的第二膜；将所述管芯按压至所述第一工件，所述金属柱穿透所述第二膜并且接触所述共晶连接件；以及回流所述共晶连接件以将所述管芯电和物理耦合至所述第一工件。

3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一工件，所述第一工件包括从所述第一工件的上表面垂直延伸的金属柱；第二工件，所述第二工件可以包括沿着所述第二工件的下表面的金属焊盘；共晶连接件，在所述金属柱和所述金属焊盘之间延伸并且耦合所述金属柱和所述金属焊盘；第一膜，邻接所述第二工件的所述下表面，所述第一膜横向密封所述金属焊盘和所述共晶连接件的至少部分；以及第二膜，邻接所述第一工件的上表面和所述第一膜的下表面的，所述第二膜横向密封所述金属柱。

技术特征：

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述凸块下结构上形成所述焊料凸块包括：

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在回流所述焊料凸块之前，所述金属柱穿透至所述焊料结构中。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，在回流所述焊料凸块期间，所述焊料凸块的焊料材料流至所述非导电膜中。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述金属柱的外表面接触所述焊料结构，其中，所述外表面是圆化的。

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在回流所述共晶连接件之后，所述第二膜接触所述第一工件的表面。

10.一种半导体器件，包括：

技术总结实施例提供了器件结构和形成器件结构的方法，该器件结构包括填充结构，以在填充结构的开口范围内捕获焊料材料。一个器件的金属柱可以穿透非导电膜并且接触另一器件的焊料区域。不需要单独的底部填充物。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。技术研发人员：陈威宇,邱肇玮,陈信良,裴浩然,林修任,谢静华受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1