用于缓解堆叠裸片悬垂偏转的支腿式支撑结构的制作方法

本公开大体上涉及半导体装置及形成半导体装置的方法。举例来说，本公开涉及用于缓解堆叠裸片悬垂偏转的支腿式支撑结构。

背景技术：

1、半导体裸片封装可包含半导体衬底、耦合到和/或嵌入于半导体衬底中的一或多个半导体电子组件，以及形成于半导体衬底上方以包封所述一或多个半导体电子组件的壳体。所述一或多个半导体电子组件可由电互连件互连以形成一或多个半导体装置，例如一或多个集成电路(ic)(例如，一或多个裸片或芯片)。举例来说，半导体电子组件和电互连件可制造于半导体晶片上以形成一或多个ic，然后分割成多个裸片或芯片并接着封装。半导体裸片封装可称为包含一或多个ic的半导体芯片封装。半导体裸片封装保护半导体电子组件和电互连件免于损坏，且包含用于将半导体电子组件和电互连件连接到外部组件(例如，电路衬底)的机构，例如经由球、引脚、引线、接触衬垫或其它电互连结构。半导体装置组合件可为或可包含半导体裸片封装、多个半导体裸片封装和/或半导体裸片封装的一或多个组件(例如，具有或不具有壳体的一或多个半导体装置)。

2、电子系统组合件可包含电耦合到载体衬底(例如，电路衬底)的多个半导体裸片封装。电子系统组合件可包含电耦合到载体衬底的额外系统组件。载体衬底可包含用于互连系统组件的电互连件和导电路径，所述系统组件包含所述多个半导体裸片封装和电子系统组合件的其它系统组件。因此，多个半导体裸片封装可经由载体衬底彼此电连接和/或电连接到一或多个额外系统组件以形成电子系统组合件。举例来说，其它系统组件可包含无源组件(例如，存储电容器)、处理单元(例如，中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、微处理器和/或微控制器)、控制单元(例如，微控制器、存储器控制器和/或电力管理控制器)，或一或多个其它电子组件。

技术实现思路

1、本公开的一个方面公开一种半导体装置组合件，其包括：衬底；第一半导体，其在所述衬底上方且包括边缘；第二半导体裸片，其在堆叠布置中在所述第一半导体裸片上方且包括悬垂部分，所述悬垂部分延伸超出所述边缘；以及支腿式支撑结构，其在所述悬垂部分与所述衬底之间且包括近似水平跨段，所述近似水平跨段横穿近似平行于所述边缘且处于所述悬垂部分正下方的路径。

2、本公开的另一方面公开一种半导体装置组合件，其包括：衬底；第一半导体裸片，其在第一裸片堆叠中，在所述衬底上方且包括第一边缘；第二半导体裸片，其在第二裸片堆叠中，在所述衬底上方，接近于所述第一半导体裸片，且包括第二边缘，所述第二边缘近似平行于所述第一边缘且与所述第一边缘分离；第三半导体裸片，其在堆叠布置中在所述第一裸片堆叠中的所述第一半导体裸片上方且包括第一悬垂部分，所述第一悬垂部分延伸超出所述第一边缘；第四半导体裸片，其在堆叠布置中在所述第二裸片堆叠中的所述第二半导体裸片上方且包括第二悬垂部分，所述第二悬垂部分延伸超出所述第二边缘；以及支腿式支撑结构，其在所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间且包括：第一部分，其在所述第一悬垂部分正下方且经配置以支撑所述第一悬垂部分；以及第二部分，其在所述第二悬垂部分正下方且经配置以支撑所述第二悬垂部分。

3、本公开的另一方面公开一种半导体装置组合件，其包括：衬底；第一半导体裸片，其在所述衬底上方且包括边缘；第二半导体裸片，其在堆叠布置中在所述第一半导体裸片上方且包括悬垂部分，所述悬垂部分延伸超出所述边缘；以及支撑结构，其在所述悬垂部分与所述衬底之间且包含轮廓，所述轮廓包括：近似水平跨段，其在所述悬垂部分正下方；以及径向弯曲部分，其在所述近似水平跨段的相对末端处。

4、本公开的另一方面公开一种方法，其包括：在衬底上形成支腿式支撑结构；在所述衬底上方且接近于所述支腿式支撑结构放置第一半导体裸片；以及在所述第一半导体裸片上方放置第二半导体裸片以实现所述第一半导体裸片上方的所述第二半导体裸片的堆叠布置，其中所述支腿式支撑结构的至少一部分在所述第二半导体裸片的悬垂部分下方，所述悬垂部分延伸超出所述第一半导体裸片的边缘。

5、本公开的另一方面公开一种方法，其包括：将延性缆线的一端附接到衬底；从所述延性缆线形成沿着近似线性路径且具有包含支撑区的侧轮廓的支腿式支撑结构；接近于所述支腿式支撑结构放置第一半导体裸片；以及在所述第一半导体裸片上方放置第二半导体裸片以实现所述第一半导体裸片上方的所述第二半导体裸片的堆叠布置，其中所述支撑区处于所述第二半导体裸片的悬垂部分正下方，所述悬垂部分延伸超出所述第一半导体裸片的边缘。

技术特征：

1.一种半导体装置组合件，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第二半导体裸片包括：

3.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述近似水平跨段和所述粘合剂层接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述近似水平跨段包括：

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述近似水平跨段包括：

6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述近似水平跨段包括：

7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述衬底包括：

8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述支腿式支撑结构包括：

9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述支腿式支撑结构包括：

10.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述支腿式支撑结构包括：

11.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述近似水平跨段的横截面包括：

12.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体裸片包括：

13.一种半导体装置组合件，其包括：

14.根据权利要求13所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体裸片、所述第二半导体裸片、所述第三半导体裸片或第四半导体裸片中的至少一个包括：

15.根据权利要求13所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体裸片、所述第二半导体裸片、所述第三半导体裸片或所述第四半导体裸片中的至少一个包括：

16.根据权利要求13所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体裸片、所述第二半导体裸片、所述第三半导体裸片或所述第四半导体裸片中的至少一个具有包含于近似40微米到近似50微米的范围中的厚度。

17.根据权利要求13所述的半导体装置组合件，其进一步包括：

18.根据权利要求17所述的半导体装置组合件，其中所述衬底包括：

19.根据权利要求17所述的半导体装置组合件，其中所述第五半导体裸片包括：

20.一种半导体装置组合件，其包括：

21.根据权利要求20所述的半导体装置组合件，其进一步包括：

22.根据权利要求20所述的半导体装置组合件，其中所述衬底包括：

23.一种方法，其包括：

24.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述支腿式支撑结构包括：

25.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述支腿式支撑结构包括：

26.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述支腿式支撑结构包括：

27.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述支腿式支撑结构包括：

28.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述支腿式支撑结构包括：

29.一种方法，其包括：

30.根据权利要求29所述的方法，其中将所述延性缆线的所述末端附接到所述衬底包括：

31.根据权利要求29所述的方法，其中将所述延性缆线的所述末端附接到所述衬底包括：

32.根据权利要求29所述的方法，其中所述延性缆线的所述末端是第一端，且所述方法进一步包括：

33.根据权利要求29所述的方法，其中所述近似线性路径是第一近似线性路径，所述支腿式支撑结构是第一支腿式支撑结构，所述支撑区是具有第一高度的第一支撑区，且所述方法进一步包括：

34.根据权利要求33所述的方法，其中形成所述第二支腿式支撑结构包括：

35.根据权利要求33所述的方法，其中形成所述第二支腿式支撑结构包括：

技术总结本公开涉及用于缓解堆叠裸片悬垂偏转的支腿式支撑结构。本文所描述的一些实施方案是针对包含堆叠裸片布置的半导体裸片封装。所述半导体裸片封装包含所述堆叠裸片布置的相应悬垂部分与所述半导体裸片封装的衬底之间的一或多个支腿式支撑结构。所述一或多个支腿式支撑结构可减少所述相应悬垂部分在所述半导体裸片封装的制造期间偏转的可能性。通过减少所述悬垂部分偏转的可能性，可改进所述半导体裸片封装的质量和可靠性。技术研发人员：廖世雄,黄宏远,张振辉,潘玲,陈奕武,倪胜锦受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/8/5