半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、在专利文献1中记载了在“接触孔”设置有“硅化物层”的半导体装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2003-318396号公报

5、专利文献2：日本特开2007-335554号公报

6、专利文献3：日本特开2002-334850号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、优选在半导体装置的正面侧提高可靠性。

3、技术方案

4、在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；层间绝缘膜，其具有接触孔，并设置于所述半导体基板的上方；第一合金层，其在所述接触孔的下方设置于所述半导体基板的上表面；氧化物层，其在所述接触孔中设置于所述第一合金层的上表面；阻挡金属层，其在所述接触孔中设置在所述氧化物层的上方且具有导电性；以及插塞层，其在所述接触孔中设置在所述阻挡金属层的上方。

5、所述氧化物层可以与所述第一合金层以及所述阻挡金属层相接地设置。

6、在上述任一所述半导体装置中，所述第一合金层和所述阻挡金属层可以含有预先确定的第一金属。所述氧化物层可以含有所述第一金属的氧化物。

7、上述任一所述半导体装置可以具备：第一导电型的漂移区，其设置于所述半导体基板；第一导电型的第一导电型区，其设置于所述半导体基板的正面，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的第二导电型区，其设置于所述半导体基板的正面。所述氧化物层的在所述第二导电型区的上方的膜厚可以比所述氧化物层的在所述第一导电型区的上方的膜厚薄。

8、在上述任一所述半导体装置中，所述氧化物层可以不设置在所述第二导电型区的上方。

9、上述任一所述半导体装置可以具备：多晶层，其设置在所述半导体基板的上方或所述半导体基板中；以及正面侧金属层，其介由设置于所述多晶层的上方的所述接触孔而与所述多晶层电连接。

10、在上述任一所述半导体装置中，所述阻挡金属层可以在所述接触孔中设置于所述氧化物层的上表面以及所述层间绝缘膜的侧壁。

11、在上述任一所述半导体装置中，所述阻挡金属层可以具备：第一阻挡金属部，其设置于所述层间绝缘膜的侧壁且具有导电性；以及第二阻挡金属部，其在所述接触孔中层叠于所述第一阻挡金属部且具有导电性。所述第一阻挡金属部可以比所述第二阻挡金属部更致密。

12、在上述任一所述半导体装置中，所述第二阻挡金属部可以与所述第一阻挡金属部以及所述氧化物层相接地设置。

13、上述任一所述半导体装置可以具备沟槽接触部，所述沟槽接触部具有所述接触孔，并以从所述半导体基板的正面起沿所述半导体基板的深度方向延伸的方式设置。

14、在上述任一所述半导体装置中，所述第一合金层可以在所述沟槽接触部中与所述半导体基板的侧壁以及所述半导体基板的上表面相接地设置。所述氧化物层可以在所述沟槽接触部中与所述第一合金层的上表面和侧面相接地设置。

15、在上述任一所述半导体装置中，所述阻挡金属层可以与设置于所述半导体基板的侧壁的所述氧化物层相接地设置。

16、上述任一所述半导体装置可以具备晶体管部和二极管部。

17、上述任一项所述半导体装置可以具备正面侧寿命控制区，所述正面侧寿命控制区在所述半导体基板的深度方向上设置在比所述半导体基板的中心更靠正面侧的位置。

18、在上述任一项所述半导体装置中，可以通过向所述半导体基板照射粒子束而形成所述正面侧寿命控制区。

19、上述任一所述半导体装置可以具备背面侧金属层，所述背面侧金属层与所述半导体基板的背面相接地设置。

20、在本发明的第二方式中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板的上方形成具有接触孔的层间绝缘膜的步骤；在所述接触孔的下方，在所述半导体基板的上表面形成第一合金层的步骤；在所述接触孔中，在所述第一合金层的上表面形成氧化物层的步骤；在所述接触孔中，在所述氧化物层的上方形成导电性的阻挡金属层的步骤；以及在所述接触孔中，在所述阻挡金属层的上方形成插塞层的步骤。

21、形成所述氧化物层的步骤可以包括在所述半导体基板的上表面形成所述第一合金层之后，对所述第一合金层的上表面进行湿式蚀刻的步骤。

22、在上述任一所述半导体装置的制造方法中，对所述第一合金层的上表面进行湿式蚀刻的步骤可以包括使用过氧化氢或缓冲氢氟酸进行湿式蚀刻的步骤。

23、在上述任一所述半导体装置的制造方法中，形成所述氧化物层的步骤可以包括在氧气氛中对所述半导体基板进行退火的步骤。

24、应予说明，上述技术实现要素：并未列举出本发明的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为发明。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

16.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

18.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

19.根据权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

20.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

技术总结本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；层间绝缘膜，其具有接触孔，并设置于所述半导体基板的上方；第一合金层，其在所述接触孔的下方设置于所述半导体基板的上表面；氧化物层，其在所述接触孔中设置于所述第一合金层的上表面；阻挡金属层，其在所述接触孔中设置在所述氧化物层的上方且具有导电性；以及插塞层，其在所述接触孔中设置在所述阻挡金属层的上方。技术研发人员：洼内源宜,下沢慎,吉村尚受保护的技术使用者：富士电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/8/5