基片处理方法和基片处理装置与流程

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术：

1、在半导体装置的制造步骤中，进行将形成有图案的si膜的表面的氧化物除去的清洗处理。该清洗处理例如包括：使用dhf除去氧化物的清洗步骤；使用冲洗液将在清洗步骤中使用的dhf和反应生成物除去的冲洗步骤；用ipa等低表面张力溶剂置换冲洗液的溶剂置换步骤；和从基片除去溶剂并使其干燥的干燥步骤(例如参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平9-38595号公报

技术实现思路

1、本发明提供一种能够抑制在对具有形成有图案的si膜的基片进行清洗时产生的颗粒的技术。

2、根据本发明的一个实施方式，提供一种基片处理方法，其用于对具有形成有图案的si膜的基片进行清洗，除去所述si膜上的氧化物，所述基片处理方法的特征在于，包括：清洗步骤，在使所述基片旋转的同时向所述基片供给包含氢氟酸和水的清洗液，来除去所述氧化物；和混合步骤，在所述清洗液中混合与水具有混合性并且表面张力比水低的有机溶剂，所述混合步骤在所述清洗步骤的执行过程中且从所述清洗步骤开始起经过预先确定的时间之后进行。

3、采用本发明的上述实施方式，能够抑制在对具有形成有图案的si膜的基片进行清洗时产生的颗粒。

技术特征：

1.一种基片处理方法，其用于对具有形成有图案的si膜的基片进行清洗，除去所述si膜上的氧化物，所述基片处理方法的特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

3.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

4.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

5.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：

6.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：

7.如权利要求4所述的基片处理方法，其特征在于：

8.如权利要求4所述的基片处理方法，其特征在于：

9.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：

10.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

11.如权利要求4所述的基片处理方法，其特征在于：

12.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

技术总结一个实施方式的基片处理方法用于对具有形成有图案的Si膜的基片进行清洗，除去所述Si膜上的氧化物，所述基片处理方法的特征在于，包括：清洗步骤，在使所述基片旋转的同时向所述基片供给包含氢氟酸和水的清洗液，来除去所述氧化物；和混合步骤，在所述清洗液中混合与水具有混合性并且表面张力比水低的有机溶剂，所述混合步骤在所述清洗步骤的执行过程中且从所述清洗步骤开始起经过预先确定的时间之后进行。技术研发人员：立花康三受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/8/20