碳化硅半导体装置的制作方法

本发明涉及一种碳化硅(sic)半导体装置。

背景技术：

1、专利文献1公开：通过对六方晶单晶体的碳化硅基板进行离子注入来形成非晶层，并通过进行热处理来使非晶层重结晶为立方晶单晶体的碳化硅。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2009-49198号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在碳化硅半导体装置中，在栅极焊盘下设置有由多晶硅构成的布线层(栅极流道)，该布线层经由设置于布线层的上表面的绝缘膜的开口部来与栅极焊盘连接。布线层经由绝缘膜设置于p型半导体区的上表面。这样的碳化硅半导体装置在开关动作时，有时在栅极焊盘下的p型半导体区与布线层之间的绝缘膜产生破坏。

3、鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种能够防止开关动作时的栅极焊盘下的绝缘膜的破坏的碳化硅半导体装置。

4、用于解决问题的方案

5、为了实现上述目的，本发明的一个方式的主旨在于提供一种碳化硅半导体装置，该碳化硅半导体装置具备：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层，其从包括有源元件的有源部起设置至在有源部的周围设置的终端部；由碳化硅构成的第二导电型的半导体区，其在设置于有源部与终端部之间的中间部设置于漂移层的上表面侧；设置于半导体区的上表面的第一绝缘膜；设置于第一绝缘膜的上表面的布线层；设置于布线层的上表面的第二绝缘膜；以及栅极焊盘，其设置于第二绝缘膜的上表面，经由设置于第二绝缘膜的开口部来与布线层电连接；其中，半导体区具备：由4h结构的碳化硅构成的第一区，其在深度方向上与布线层的至少一部分重叠；以及包含3c结构的碳化硅的第二区，其设置于第一区的上表面侧。

6、发明的效果

7、根据本发明，能够提供一种能够防止开关动作时的栅极焊盘下的绝缘膜的破坏的碳化硅半导体装置。

技术特征：

1.一种碳化硅半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的碳化硅半导体装置，其中，

4.根据权利要求2所述的碳化硅半导体装置，其中，

5.根据权利要求2所述的碳化硅半导体装置，其中，

6.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的碳化硅半导体装置，其中，

8.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体装置，其中，

9.根据权利要求8所述的碳化硅半导体装置，其中，

10.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体装置，其中，

11.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体装置，其中，

技术总结本发明提供一种碳化硅半导体装置，能够防止开关动作时的栅极焊盘下的绝缘膜的破坏。具备：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；由碳化硅构成的第二导电型的半导体区，其在有源部与终端部之间的中间部设置于漂移层的上表面侧；设置于半导体区的上表面的第一绝缘膜；设置于第一绝缘膜的上表面的布线层；设置于布线层的上表面的第二绝缘膜；以及栅极焊盘，其设置于第二绝缘膜的上表面，与布线层电连接，半导体区具备：由4H结构的碳化硅构成的第一区，其在深度方向上与布线层的至少一部分重叠；以及包含3C结构的碳化硅的第二区，其设置于第一区的上表面侧。技术研发人员：森谷友博受保护的技术使用者：富士电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12