基片处理装置和基片处理方法与流程

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术：

1、专利文献1公开了一种基片处理装置(热处理装置)，其能够在处理容器的内部收纳多个基片(半导体晶片)，利用设置在处理容器的外部的加热器进行加热，对各基片实施基片处理。该基片处理装置还在用于供给处理气体的气体供给喷嘴的内部具有用于对释放前的处理气体进行加热的预加热器。

2、另外，专利文献2公开了一种基片处理装置(热处理装置)，其在处理容器的外部不具有加热器，而利用设置在处理容器的内部的加热器对多个基片进行加热。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2007-81365号公报

6、专利文献2：日本特开2003-324045号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供能够使被收纳在处理容器的内部的多个基片的温度高效率地升温、并且能够降低加热时的电功率量的技术。

3、用于解决技术问题的手段

4、根据本发明的一个方式，提供一种基片处理装置，其特征在于，包括：处理容器，其能够在内部收纳多个基片，来对该多个基片进行基片处理；气体供给喷嘴，其用于向所述处理容器的内部供给气体；和外部加热器，其用于从所述处理容器的外部对所述多个基片进行加热，所述基片处理装置还包括用于对所述多个基片进行加热的内部加热器，其在所述处理容器的内部与所述气体供给喷嘴独立地设置，并且在所述多个基片的侧方在该多个基片排列的方向上延伸。

5、发明效果

6、采用本发明的一个方式，能够使被收纳在处理容器的内部的多个基片的温度高效率地升温，并且能够降低加热时的电功率量。

技术特征：

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

5.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：

7.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

8.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

9.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：

11.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

12.一种基片处理方法，其为在基片处理装置中进行的基片处理方法，所述基片处理装置包括：处理容器，其能够在内部收纳多个基片，来对该多个基片进行基片处理；气体供给喷嘴，其用于向所述处理容器的内部供给气体；和外部加热器，其用于从所述处理容器的外部对所述多个基片进行加热，所述基片处理方法的特征在于，包括下述步骤：

技术总结本发明提供能够使被收纳在处理容器的内部的基片的温度高效率地升温、并且能够降低加热时的电功率量的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：处理容器，其能够在内部收纳多个基片，来对该多个基片进行基片处理；气体供给喷嘴，其用于向处理容器的内部供给气体；和外部加热器，其用于从处理容器的外部对多个基片进行加热。基片处理装置包括用于对多个基片进行加热的内部加热器，其在处理容器的内部与气体供给喷嘴独立地设置，并且在多个基片的侧方在该多个基片排列的方向上延伸。基片处理装置通过使外部加热器和内部加热器联动，能够使被收纳在处理容器的内部的多个基片的温度高效率地升温，并且能够降低加热时的电功率量。技术研发人员：山口达也受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12