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一种电镀槽供电系统、方法、电镀槽及电镀锡机组与流程

  • 国知局
  • 2024-09-14 15:11:55

本申请涉及电镀,特别地,涉及一种电镀槽供电系统、方法、电镀槽及电镀锡机组。

背景技术:

1、电镀锡机组是指用于在金属表面电镀一层锡的专用设备,主要包括电镀槽、电源、电解液循环系统、温度控制系统、搅拌系统等,电镀槽包括槽体和电极。

2、采用电镀锡机组对带钢进行镀锡时,阳极为锡,阴极为带钢,在电镀电流作用下,基于电化学反应原理,阳极的锡单质氧化溶解为锡离子,锡离子在带钢表面还原为锡单质,从而对带钢表面进行镀锡。

3、随着电镀锌机组的工艺速度不断提高,电镀电流和电镀电压也不断增大,在采用高速大电流进行带钢的镀锡生产时,电镀电流容易击穿电镀槽内壁的绝缘层,使得高电势的阳极和低电势的槽体之间构建起电场,锡离子部分聚集在电镀槽内壁,形成锡刺,在锡刺变大到一定程度时,容易脱落,从而对电镀锡机组的运行和带钢生产质量造成重大影响。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供了一种电镀槽供电系统、方法、电镀槽及电镀锡机组,有效减少了锡刺的产生。

2、本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本申请的实践而习得。

3、根据本申请实施例的第一方面,提供了一种电镀槽供电系统,应用于电镀槽,包括:

4、直流供电电源,负极连接所述电镀槽的导电辊,正极连接所述电镀槽的槽体。

5、在本申请的一些实施例中,基于前述方案,所述直流供电电源包括整流器,所述整流器的输入端和电网相连接,输出端的正极连接所述槽体,负极连接所述导电辊。

6、在本申请的一些实施例中,基于前述方案,所述直流供电电源还包括降压变换器,所述降压变换器位于所述整流器输出端的正极和所述槽体之间。

7、在本申请的一些实施例中,基于前述方案,所述降压变换器的输出端连接所述槽体的溢流口位置。

8、在本申请的一些实施例中,基于前述方案,所述降压变换器为可调降压变换器。

9、根据本申请的第二方面,提供了一种电镀槽供电方法,包括:

10、在电镀槽的绝缘层被击穿时,调整槽体所在回路的电流,以使所述槽体所在回路的电流处于预设电流范围内。

11、在本申请的一些实施例中,基于前述方案,所述预设电流范围为100到200a。

12、根据本申请的第三方面,提供了一种电镀槽,包括所述的一种电镀槽供电系统。

13、在本申请的一些实施例中,基于前述方案,还包括:

14、槽体,内壁覆盖有绝缘层,设有溢流口,用于盛放电镀液;

15、阳极梁,连接所述直流供电电源的正极,安装在所述槽体上,下方设有多个部分浸没在所述电镀液内的阳极;

16、多个导电辊,连接所述直流供电电源的负极,位于所述槽体上方;

17、沉没辊,位于相邻的两个所述导电辊的中间,设在所述槽体内。

18、在本申请的一些实施例中,基于前述方案,所述绝缘层的材料为橡胶。

19、根据本申请的第四方面,提供了一种电镀锡机组,包括所述的一种电镀槽。

20、本申请的有益效果如下:

21、采用直流供电电源向槽体通电,在槽体内壁的绝缘层被击穿时,槽体存在较高的电势,而不是现有技术的低电势,即增大了槽体的电势,使得阳极和槽体之间的电势差减小,减少了锡离子向槽体内壁的聚集量,从而有效减少了锡刺的产生。

22、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。

技术特征:

1.一种电镀槽供电系统,应用于电镀槽,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种电镀槽供电系统,其特征在于,所述直流供电电源包括整流器,所述整流器的输入端和电网相连接,输出端的正极连接所述槽体,负极连接所述导电辊。

3.根据权利要求2所述的一种电镀槽供电系统,其特征在于,所述直流供电电源还包括降压变换器,所述降压变换器位于所述整流器输出端的正极和所述槽体之间。

4.根据权利要求2所述的一种电镀槽供电系统,其特征在于,所述降压变换器的输出端连接所述槽体的溢流口位置。

5.根据权利要求3所述的一种电镀槽供电系统,其特征在于,所述降压变换器为可调降压变换器。

6.一种电镀槽供电方法,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6所述的一种电镀槽供电方法,其特征在于,所述预设电流范围为100到200a。

8.一种电镀槽,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的一种电镀槽供电系统。

9.根据权利要求8所述的一种电镀槽,其特征在于,还包括:

10.一种电镀锡机组,其特征在于,包括权利要求7-9任一项所述的一种电镀槽。

技术总结本申请公开了一种电镀槽供电系统、方法、电镀槽及电镀锡机组,所述系统包括:直流供电电源,负极连接所述电镀槽的导电辊,正极连接所述电镀槽的槽体。本申请有效减少了锡刺的产生。技术研发人员:王爱红,刘宗发,万一群,李吉超,王自勇,张晃晃受保护的技术使用者:首钢京唐钢铁联合有限责任公司技术研发日:技术公布日:2024/9/12

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