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带隙基准电路的校准方法、装置、存储介质和电子设备与流程

  • 国知局
  • 2024-09-14 15:12:41

本技术涉及电子电路领域,尤其涉及一种带隙基准电路的校准方法、装置、存储介质和电子设备。

背景技术:

1、带隙基准电路是每个芯片都必须有的模块,在高精度的测量芯片中高精度的带隙基准电路是必不可少的一个模块,测量芯片为了保证在整个温度范围-40℃-125℃内的测量精度维持在一个很高的水平,为测量提供基准电压的带隙基准电路在整个温度范围-40℃-125℃内温漂要求较小,为此带隙基准电路都需要在不同温度下进行校准。

2、带隙基准电路的校准包括温度曲率的校准和输出电压值的校准,而温度曲率的校准通常不仅仅会影响带隙输出电压的温度曲率特性,还会影响带隙输出电压的绝对值,所以带隙基准电路的校准需要先进行温度曲率校准,然后再进行输出电压绝对值的校准。

3、然而,带隙基准电路的校准需要先进行温度曲率的校准,温度曲率的校准需要在-40℃、25℃和125℃下分别进行,并且需要将-40℃、25℃和125℃下曲率校准信息的所有编码对应的输出电压都保存,然后再绘制输出电压随温度变化的曲率曲线,然后再从这些曲率曲线中选择满足温度系数要求的曲率校准编码。温度曲率的校准完成后再进行电压值的校准,电压值的校准同样需要在曲率校准信息的固定编码下的-40℃、25℃和125℃下分别进行,同样需要将-40℃、25℃和125℃下电压校准信息的所有编码对应的输出电压都保存,然后再绘制输出电压随电压校准信息的编码变化的电压曲线,然后再从这些电压曲线中选择满足电压精度的电压校准编码。

4、明显的,现有校准方案需要带隙基准电路在不同温度下测量多次,导致校准方案所需的电压测试时间延长,从而降低校准效率,提高校准成本。

技术实现思路

1、本技术提供了一种带隙基准电路的校准方法、装置、存储介质和电子设备,目的在于提高带隙基准电路的校准效率。

2、为了实现上述目的,本技术提供了以下技术方案:

3、一种带隙基准电路的校准方法,包括:

4、获得多个测试温度的测试次序;

5、确定目标电路在第一温度下的第一测试结果;所述第一温度为测试次序最早的测试温度;所述第一测试结果包括多个测试参数在所述第一温度下所对应的第一输出电压值;所述测试参数包括曲率校准编码和电压校准编码;

6、根据所述第一测试结果,从多个所述测试参数中,获得第一集合;所述第一集合包括所对应的第一输出电压值满足预设阈值,且曲率校准编码不同的多个测试参数;

7、确定所述目标电路在第二温度下的第二测试结果;所述第二温度的测试次序晚于所述第一温度;所述第二测试结果包括所述第一集合中每个测试参数在所述第二温度下所对应的第二输出电压值;

8、根据所述第二测试结果,从所述第一集合所示各个测试参数中,获得第二集合;所述第二集合包括所对应的第二输出电压值满足所述预设阈值的测试参数;

9、基于所述第二集合中校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数;所述校准精度基于所述测试参数在不同测试温度下所对应的输出电压值所确定。

10、可选的,根据所述第一测试结果,从多个所述测试参数中,获得第一集合,包括:

11、从包含同一曲率校准编码的n个测试参数中,确定符合第一条件的第一测试参数;n表征所述电压校准编码的总数;所述第一条件为:所对应的第一输出电压值与标定值的差异为最小;

12、从确定得到的m个所述第一测试参数中,确定符合第二条件的第二测试参数;m表征所述电压校准编码的总数;所述第二条件为:所对应的第一输出电压值满足预设阈值;

13、基于确定得到的多个所述第二测试参数,生成第一集合。

14、可选的,基于所述第二集合中校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数,包括:

15、如果多个测试温度的数量为3个,确定所述目标电路在第三温度下的第三测试结果;所述第三温度的测试次序晚于所述第二温度;所述第三测试结果包括所述第二集合中每个测试参数在所述第三温度下所对应的第三输出电压值;

16、根据所述第三测试结果,从所述第二集合所示各个测试参数中,获得第三集合;所述第三集合包括所对应的第三输出电压值满足所述预设阈值的测试参数;

17、基于所述第三集合中校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数。

18、可选的,基于所述第三集合中校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数,包括:

19、基于所述第三集合中每个测试参数所对应的第一输出电压值、第二输出电压值以及第三输出电压值,结合多个所述测试温度,确定所述第三集合中每个测试参数所匹配的映射关系;所述映射关系表征同一测试参数下输出电压值与测试温度的关联关系;

20、基于所述第三集合中每个测试参数所匹配的映射关系,确定所述第三集合中每个测试参数的校准精度;

21、从所述第三集合所示每个测试参数中,筛选校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数。

22、可选的,基于所述第三集合中校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数,包括:

23、如果多个测试温度的数量为k个,且k为大于3的整数,确定所述目标电路在第s次测试温度下的第s个测试结果;其中,s为整数且s=4,…,k;所述第s次测试温度所参与的测试参数,基于所述目标电路在第s-1次测试温度下的第s-1个测试结果所确定;第3次测试温度为所述第三温度;第3个测试结果为所述第三测试结果;

24、从第k个测试结果所示多个测试参数中,筛选校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数。

25、可选的,基于所述目标电路在第s-1次测试温度下的第s-1个测试结果,确定所述第s次测试温度所参与的测试参数,包括:

26、确定所述目标电路在第s-1次测试温度下的第s-1个测试结果;所述第s-1个测试结果包括所述第三集合中的部分测试参数在所述第s-1个测试温度下所对应的输出电压值;

27、根据所述第s-1个测试结果,从所述第三集合的部分测试参数中,确定满足预设要求的目标测试参数;所述预设要求为:所述目标测试参数在所述第s-1次测试温度下所对应的输出电压值,符合所述预设阈值;

28、基于所述目标测试参数,确定为所述第s次测试温度所参与的测试参数。

29、可选的,所述第s次测试温度所参与的测试参数的总数,小于或等于所述第s-1次测试温度所参与的测试参数的总数。

30、一种带隙基准电路的校准装置,包括:

31、次序确定单元,用于获得多个测试温度的测试次序;

32、初始测试单元,用于确定目标电路在第一温度下的第一测试结果;所述第一温度为测试次序最早的测试温度;所述第一测试结果包括多个测试参数在所述第一温度下所对应的第一输出电压值;所述测试参数包括曲率校准编码和电压校准编码;

33、初始筛选单元,用于根据所述第一测试结果,从多个所述测试参数中,获得第一集合;所述第一集合包括所对应的第一输出电压值满足预设阈值,且曲率校准编码不同的多个测试参数;

34、二次测试单元,用于确定所述目标电路在第二温度下的第二测试结果;所述第二温度的测试次序晚于所述第一温度;所述第二测试结果包括所述第一集合中每个测试参数在所述第二温度下所对应的第二输出电压值;

35、二次筛选单元,用于根据所述第二测试结果,从所述第一集合所示各个测试参数中,获得第二集合;所述第二集合包括所对应的第二输出电压值满足所述预设阈值的测试参数;

36、参数确定单元,用于基于所述第二集合中校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数;所述校准精度基于所述测试参数在不同测试温度下所对应的输出电压值所确定。

37、可选的,所述初始筛选单元具体用于:

38、从包含同一曲率校准编码的n个测试参数中,确定符合第一条件的第一测试参数;n表征所述电压校准编码的总数;所述第一条件为:所对应的第一输出电压值与标定值的差异为最小;

39、从确定得到的m个所述第一测试参数中,确定符合第二条件的第二测试参数;m表征所述电压校准编码的总数;所述第二条件为:所对应的第一输出电压值满足预设阈值;

40、基于确定得到的多个所述第二测试参数,生成第一集合。

41、可选的,所述参数确定单元具体用于:

42、如果多个测试温度的数量为3个,确定所述目标电路在第三温度下的第三测试结果;所述第三温度的测试次序晚于所述第二温度;所述第三测试结果包括所述第二集合中每个测试参数在所述第三温度下所对应的第三输出电压值;

43、根据所述第三测试结果,从所述第二集合所示各个测试参数中,获得第三集合;所述第三集合包括所对应的第三输出电压值满足所述预设阈值的测试参数;

44、基于所述第三集合中校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数。

45、可选的,所述参数确定单元具体用于:

46、基于所述第三集合中每个测试参数所对应的第一输出电压值、第二输出电压值以及第三输出电压值,结合多个所述测试温度,确定所述第三集合中每个测试参数所匹配的映射关系;所述映射关系表征同一测试参数下输出电压值与测试温度的关联关系;

47、基于所述第三集合中每个测试参数所匹配的映射关系,确定所述第三集合中每个测试参数的校准精度;

48、从所述第三集合所示每个测试参数中,筛选校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数。

49、可选的,所述参数确定单元具体用于:

50、如果多个测试温度的数量为k个,且k为大于3的整数,确定所述目标电路在第s次测试温度下的第s个测试结果;其中,s为整数且s=4,…,k;所述第s次测试温度所参与的测试参数,基于所述目标电路在第s-1次测试温度下的第s-1个测试结果所确定;第3次测试温度为所述第三温度;第3个测试结果为所述第三测试结果;

51、从第k个测试结果所示多个测试参数中,筛选校准精度最高的测试参数,确定为所述目标电路的校准参数。

52、可选的,所述参数确定单元具体用于:

53、确定所述目标电路在第s-1次测试温度下的第s-1个测试结果;所述第s-1个测试结果包括所述第三集合中的部分测试参数在所述第s-1个测试温度下所对应的输出电压值;

54、根据所述第s-1个测试结果,从所述第三集合的部分测试参数中,确定满足预设要求的目标测试参数;所述预设要求为:所述目标测试参数在所述第s-1次测试温度下所对应的输出电压值,符合所述预设阈值;

55、基于所述目标测试参数,确定为所述第s次测试温度所参与的测试参数。

56、可选的,所述参数确定单元具体用于:

57、所述第s次测试温度所参与的测试参数的总数,小于或等于所述第s-1次测试温度所参与的测试参数的总数。

58、一种存储介质,所述存储介质包括存储的程序,其中,所述程序被处理器运行时执行所述的带隙基准电路的校准方法。

59、一种电子设备,包括:处理器、存储器和总线;所述处理器与所述存储器通过所述总线连接;

60、所述存储器用于存储程序,所述处理器用于运行程序,其中,所述程序被处理器运行时执行所述的带隙基准电路的校准方法。

61、本技术提供的技术方案,获得多个测试温度的测试次序,确定目标电路在第一温度下的第一测试结果。根据第一测试结果,从多个测试参数中,获得第一集合。确定目标电路在第二温度下的第二测试结果,根据第二测试结果,从第一集合所示各个测试参数中,获得第二集合。基于第二集合中校准精度最高的测试参数,确定为目标电路的校准参数。本技术基于第一测试结果,确定第一集合,以减少第二温度所参与的测试参数的数量,基于第二测试结果,确定第二集合,以减少校准进度计算过程的工作量,从而使得目标电路的校准效率得到明显提升。

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