激光器的系统的制作方法

本公开涉及一种激光器的系统。

背景技术：

1、通过将这样的方法与在本公开的其余部分中参考附图阐述的本方法和系统的一些方面进行比较，对于本领域技术人员而言，传统的底表面发射垂直腔面发射型激光器(bse vcsel)装置的局限性和缺点将变得显而易见。

技术实现思路

1、提供了用于具有光刻限定的孔缝的bse vcsel装置的系统和方法，其基本上如结合至少一个图所示和/或描述的，如技术方案中更全面地阐述的。

技术特征：

1.一种激光器的系统，包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述衬底是半绝缘的。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述衬底在底侧上被抗反射涂层覆盖。

4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述衬底在顶侧上被电流扩散层覆盖。

5.根据权利要求1所述的系统，其中：

6.根据权利要求1所述的系统，其中：

7.根据权利要求1所述的系统，其中：

8.根据权利要求1所述的系统，其中：

9.根据权利要求1所述的系统，其中，所述系统包括第二bse vcsel，所述第二bsevcsel包括：

10.根据权利要求9所述的系统，其中，所述衬底在顶侧上被电流扩散层覆盖，并且其中，所述第一dbr下方的所述电流扩散层与所述第三dbr下方的所述电流扩散层分隔。

11.根据权利要求1所述的系统，其中：

12.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一接触部直接耦接到所述第一dbr的顶侧。

13.根据权利要求1所述的系统，其中，所述孔缝的形状是圆形和多边形中的一者。

14.根据权利要求1所述的系统，其中，所述孔缝经由隧道结限定用于增益引导。

15.根据权利要求1所述的系统，其中，所述孔缝经由指数阶梯限定用于指数引导。

16.根据权利要求1所述的系统，其中，所述孔缝大于0.5μm。

17.根据权利要求1所述的系统，其中：

技术总结本公开涉及一种激光器的系统。本公开描述了具有光刻限定的孔缝的底表面发射垂直腔面发射型激光器(BSE VCSEL)。BSE VCSEL可以是无氧化物的。两个接触部位于衬底上方。孔缝和一个或多个有源区位于两个DBR之间。第一接触部耦接到衬底和位于孔缝下方的第一DBR。第二接触部耦接到位于孔缝上方的第二DBR。技术研发人员：乔瓦尼·巴尔巴罗萨,安娜·鞑靼恰克,克里斯托弗·科科特受保护的技术使用者：贰陆特拉华股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/29