封装体及其制备方法、封装结构与流程

本发明实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种封装体及其制备方法、封装结构。

背景技术：

1、随着电子产品的发展，封装技术的重要性也日益增加，通过将电子元器件封装成封装体，并将封装体焊接至基板上，以制备各种电子产品。同时，为了确保封装可靠性，在封装过程中通常需要对封装体和基板的焊接质量进行检测，例如，通过自动光学检测(aoi)技术对焊接质量进行检测。

2、在引线框架型的封装结构中，引线框架的引脚用于焊接至基板上，以实现封装体与基板的电性连接。然而，对于无引脚的封装体，难以对封装体和基板的焊接质量进行检测，从而导致封装可靠性难以得到保障。

技术实现思路

1、本发明实施例解决的问题是提供一种封装体及其制备方法、封装结构，以提升封装可靠性。

2、为解决上述问题，本发明实施例提供一种封装体的制备方法，包括：提供引线框架，包括相对设置的正面和背面，所述引线框架包括框架单元，所述框架单元至少包括引脚，所述引脚包括相连的内引脚和外引脚，所述外引脚相较于所述内引脚更靠近所述框架单元的边缘；使所述外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升，以在所述引脚的背面形成由所述内引脚和外引脚围成的凹陷；在所述引线框架的正面上设置器件结构，并使所述器件结构与所述内引脚电连接；在所述正面一侧形成包覆所述引线框架和器件结构的塑封层，并使所述塑封层暴露所述引线框架的背面；去除覆盖于所述外引脚上的塑封层，使所述塑封层露出所述外引脚。

3、相应的，本发明实施例还提供一种封装体，包括：引线框架，包括相对设置的正面和背面，所述引线框架至少包括引脚，所述引脚包括相连的内引脚和外引脚，所述外引脚相较于所述内引脚更靠近所述引线框架的边缘，且所述外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升，以使所述引脚的背面具有由所述内引脚和外引脚围成的凹陷；器件结构，设置于所述引线框架的正面上，所述器件结构与所述内引脚电连接；塑封层，位于所述引线框架的正面一侧且包覆所述器件结构和内引脚，且所述塑封层暴露所述引线框架的背面以及所述外引脚。

4、相应的，本发明实施例还提供一种封装结构，包括：基板，所述基板具有裸露的连接端子；本发明任一实施例提供的封装体，所述封装体通过焊料焊接于所述基板上，所述焊料位于所述引线框架的背面和所述连接端子之间。

5、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

6、本发明实施例提供的封装体的制备方法中，使引脚包括外引脚，外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升，以在所述引脚的背面形成由所述内引脚和外引脚围成的凹陷，并使塑封层露出所述外引脚，则后续通过焊料将所述封装体焊接于基板上时，所述凹陷提供了进行焊接牢度检测的窗口，也即可以通过检测凹陷中的焊料的形成质量来判断封装体与基板的焊接牢度是否符合要求，且相较于内引脚底部的焊料，凹陷中的焊料高度更大，检测难度降低，从而有利于提升封装可靠性。

7、本发明实施例提供的封装体中，引线框架的引脚包括外引脚，所述外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升，以使所述引脚的背面具有由所述内引脚和外引脚围成的凹陷，且塑封层暴露所述外引脚，则后续通过焊料将所述封装体焊接于基板上时，凹陷提供了进行焊接牢度检测的窗口，也即可以通过检测凹陷中的焊料的形成质量来判断封装体与基板的焊接牢度是否符合要求，且相较于内引脚底部的焊料，凹陷中的焊料高度更大，检测难度降低，从而有利于提升封装可靠性。

技术特征：

1.一种封装体的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，使所述外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升的方式包括如下方式中的一种或两种：在所述背面一侧去除部分厚度的所述外引脚；

3.如权利要求2所述的封装体的制备方法，其特征在于，去除部分厚度的所述外引脚的工艺包括冲切工艺、湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，在形成所述塑封层之后，使所述外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升；或者，在形成所述塑封层之前，使所述外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升。

5.如权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，使所述外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升的步骤包括：在所述背面一侧对所述外引脚进行打弯处理，使所述打弯处理后的外引脚包括抬升部、以及连接所述抬升部和内引脚的连接部；

6.如权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，在形成所述塑封层之前，在所述背面一侧对所述外引脚进行打弯处理，使所述外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升；

7.如权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，使所述塑封层露出所述外引脚之后，所述制备方法还包括：在所述塑封层露出的所述引线框架的背面形成保护镀层，所述保护镀层还位于所述凹陷的内壁上、以及所述外引脚的正面和侧面上。

8.如权利要求7所述的封装体的制备方法，其特征在于，在提供所述引线框架的步骤中，所述引线框架还包括环绕所述框架单元并连接所述外引脚的连筋；

9.如权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，在提供所述引线框架的步骤中，所述引线框架还包括环绕所述框架单元并连接所述外引脚的连筋；

10.如权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，在提供所述引线框架的步骤中，所述框架单元包括基座和位于所述基座侧部的所述引脚；

11.如权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述塑封层中包覆所述器件结构和内引脚的部分作为主塑封层，环绕所述主塑封层且包覆所述外引脚的部分作为边缘塑封层；

12.如权利要求11所述的封装体的制备方法，其特征在于，去除所述外引脚侧部的剩余边缘塑封层的步骤包括：在所述主塑封层和边缘塑封层的交界处，分别通过所述引线框架的正面和背面去除部分厚度的所述边缘塑封层，在所述边缘塑封层内形成相对设置的第一凹槽和第二凹槽；

13.如权利要求12所述的封装体的制备方法，其特征在于，形成所述第一凹槽和第二凹槽的工艺均包括激光切割工艺。

14.如权利要求12所述的封装体的制备方法，其特征在于，分离所述主塑封层与所述外引脚侧部的剩余边缘塑封层的工艺包括高压水冲洗工艺。

15.如权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，使所述外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升的步骤中，沿所述引线框架的厚度方向，所述凹陷的深度占所述内引脚的厚度的比例为1/2至3/4。

16.如权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，提供所述引线框架的步骤中，所述框架单元中的引脚的数量为多个且呈多圈排列，最外圈的所述引脚包括相连的内引脚和外引脚。

17.如权利要求1～16中任一项所述的封装体的制备方法，其特征在于，在提供所述引线框架的步骤中，所述引线框架包括多个框架单元，所述引线框架还包括环绕所述框架单元并连接所述外引脚的连筋，相邻所述框架单元共用所述连筋；

18.一种封装体，其特征在于，包括：

19.如权利要求18所述的封装体，其特征在于，所述外引脚的厚度小于所述内引脚的厚度，以使所述外引脚的背面朝向所述正面一侧抬升；

20.如权利要求18所述的封装体，其特征在于，所述外引脚包括：抬升部，所述抬升部的背面相对于所述内引脚的背面朝向所述正面一侧抬升；连接部，所述连接部的一端连接所述抬升部，另一端连接所述内引脚；

21.如权利要求18所述的封装体，其特征在于，所述引线框架包括基座和位于所述基座侧部的所述引脚；

22.如权利要求19所述的封装体，其特征在于，所述封装体还包括：保护镀层，位于所述塑封层露出的所述引线框架的背面，所述保护镀层还位于所述凹陷的内壁上、以及所述外引脚的正面和侧面上。

23.如权利要求22所述的封装体，其特征在于，所述保护镀层的材料包括锡、镍、钯和银中的一种或者多种的合金。

24.如权利要求18所述的封装体，其特征在于，沿所述引线框架的厚度方向，所述凹陷的深度占所述内引脚的厚度的比例为1/2至3/4。

25.如权利要求18～24中任一项所述的封装体，其特征在于，所述引脚的数量为多个且呈多圈排列，最外圈的所述引脚包括相连的内引脚和外引脚。

26.一种封装结构，其特征在于，包括：

27.如权利要求26所述的封装结构，其特征在于，所述封装体还包括：保护镀层，位于所述塑封层露出的所述引线框架的背面，所述保护镀层还位于所述凹陷的内壁上、以及所述外引脚的正面和侧面上；

28.如权利要求26所述的封装结构，其特征在于，所述基板包括电路印刷板或封装基板。

技术总结一种封装体及其制备方法、封装结构，制备方法包括：提供引线框架，包括正面和背面，引线框架的框架单元至少包括引脚，引脚包括内引脚和外引脚；使外引脚的背面朝向正面一侧抬升，以在背面形成由内引脚和外引脚围成的凹陷；在引线框架的正面上设置器件结构，并使器件结构与内引脚电连接；在正面一侧形成包覆引线框架和器件结构的塑封层，塑封层暴露引线框架的背面；去除覆盖于所述外引脚上的塑封层，使塑封层露出外引脚。凹陷提供了进行焊接牢度检测的窗口，也即可以通过检测凹陷中的焊料的形成质量来判断封装体与基板的焊接牢度是否符合要求，且相较于内引脚底部的焊料，凹陷中的焊料高度更大，检测难度降低，从而有利于提升封装可靠性。技术研发人员：岳茜峰,柳家乐受保护的技术使用者：长电科技（滁州）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/29