晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品与流程

本申请涉及晶体生长，更具体地涉及一种晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品。

背景技术：

1、直拉单晶法又称czochralski法(柴可拉斯基法，简称为cz法)，是指将高纯度的多晶硅材料在封闭的高真空或稀有气体(或惰性气体)保护环境下，通过加热熔化成液态，然后再结晶，形成具有一定外形尺寸的单晶硅材料。

2、根据v/g理论，晶体生长时最终占主导地位的点缺陷类型由v/g决定(v为固/液界面法向生长速度，g为固/液界面法向温度梯度)，也即拉晶过程的拉速(v)和温度梯度(g)的变化会直接影响到晶体缺陷。而由于坩埚位置会影响拉晶过程的温度梯度，因此，坩埚位置也会影响拉晶缺陷。

3、相关技术中，不同晶棒生长过程中的坩埚位置存在差异，坩埚位置的差异导致不同晶棒的晶体缺陷存在偏差，该偏差会增加晶体缺陷的不可预测性，不利于晶棒的规模化生产。

4、鉴于上述技术问题的存在，本申请提供一种新的晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品，以至少部分地解决上述问题。

技术实现思路

1、为了解决上述问题中的至少一个而提出了本申请。根据本申请一方面，提供了一种晶棒生长控制方法，包括：获取当前晶棒生长过程中的实际坩埚位置和实际直径，以及获取多根历史晶棒生长过程中的实际坩埚位置；其中，每一根所述历史晶棒的实际直径均等于目标直径，且多根所述历史晶棒具有相同情况的晶体缺陷；根据所述历史晶棒的实际坩埚位置确定所述当前晶棒生长过程中的目标坩埚位置；根据所述当前晶棒的实际坩埚位置和所述目标坩埚位置计算坩埚位置差值；根据所述坩埚位置差值对所述当前晶棒的实际直径进行修正，以得到所述当前晶棒的模拟直径；根据所述模拟直径和所述目标直径对所述当前晶棒的生长过程进行控制。

2、在本申请的一个实施例中，所述获取多根历史晶棒生长过程中的实际坩埚位置，根据所述历史晶棒的实际坩埚位置确定所述当前晶棒生长过程中的目标坩埚位置，包括：获取每一根所述历史晶棒在等径生长过程中生长到同一指定晶棒长度时的实际坩埚位置；对所有历史晶棒在该指定晶棒长度时的实际坩埚位置进行平均值计算，并将计算结果作为所述当前晶棒在等径生长过程中生长到该指定晶棒长度时的目标坩埚位置。

3、在本申请的一个实施例中，根据所述当前晶棒的实际坩埚位置和所述目标坩埚位置计算坩埚位置差值，包括：对所述当前晶棒的实际坩埚位置和所述目标坩埚位置进行作差，以计算得到所述坩埚位置差值。

4、在本申请的一个实施例中，所述根据所述坩埚位置差值对所述当前晶棒的实际直径进行修正，以得到所述当前晶棒的模拟直径，包括：确定经验系数；计算所述经验系数和所述坩埚位置差值的乘积；对所述乘积和所述当前晶棒的实际直径进行求和，以得到所述当前晶棒的模拟直径。

5、在本申请的一个实施例中，所述根据所述模拟直径和所述目标直径对所述当前晶棒的生长过程进行控制，包括：对所述模拟直径和所述目标直径进行作差，以得到直径差值；根据所述直径差值对所述当前晶棒生长过程中的拉速和温度进行控制。

6、在本申请的一个实施例中，所述实际直径包括通过相机测量得到的相机测量直径。

7、根据本申请再一方面，提供了一种晶体生长控制装置，所述装置包括处理器和存储器，所述存储器上存储有由所述处理器运行的计算机程序，所述计算机程序在被所述处理器运行时，使得所述处理器执行上述中的任一项所述的晶棒直径控制方法。

8、根据本申请再一方面，提供了一种晶体生长系统，包括晶体生长炉和所述的晶体生长控制装置。

9、根据本申请再一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序在由处理器运行时使得所述处理器执行上述中的任一项所述的晶棒直径控制方法。

10、根据本申请再一方面，提供了一种计算机程序产品，所述计算机程序产品在由处理器运行时，使得所述处理器执行上述中的任一项所述的晶棒直径控制方法。

11、根据本申请实施例的晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品，通过获取当前晶棒生长过程中的实际坩埚位置和实际直径，以及获取多根历史晶棒生长过程中的实际坩埚位置，并根据历史晶棒的实际坩埚位置计算得到当前晶棒生长过程中的目标坩埚位置，再根据当前晶棒的实际坩埚位置和目标坩埚位置计算得到坩埚位置差值，进而根据坩埚位置差值对当前晶棒的实际直径进行修正得到当前晶棒的模拟直径，从而可以弥补晶棒生长过程中由于坩埚位置存在差异所导致的晶体缺陷偏差，使得根据模拟直径和目标直径控制生长得到的晶棒具有相同情况的晶体缺陷，从而有利于晶棒的规模化生产。

技术特征：

1.一种晶棒生长控制方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶棒生长控制方法，其特征在于，所述获取多根历史晶棒生长过程中的实际坩埚位置，根据所述历史晶棒的实际坩埚位置确定所述当前晶棒生长过程中的目标坩埚位置，包括：

3.如权利要求1所述的晶棒生长控制方法，其特征在于，根据所述当前晶棒的实际坩埚位置和所述目标坩埚位置计算坩埚位置差值，包括：

4.如权利要求1所述的晶棒生长控制方法，其特征在于，所述根据所述坩埚位置差值对所述当前晶棒的实际直径进行修正，以得到所述当前晶棒的模拟直径，包括：

5.如权利要求1所述的晶棒生长控制方法，其特征在于，所述根据所述模拟直径和所述目标直径对所述当前晶棒的生长过程进行控制，包括：

6.如权利要求1所述的晶棒生长控制方法，其特征在于，所述当前晶棒的实际直径包括通过相机测量得到的相机测量直径。

7.一种晶体生长控制装置，其特征在于，所述装置包括处理器和存储器，所述存储器上存储有由所述处理器运行的计算机程序，所述计算机程序在被所述处理器运行时，使得所述处理器执行如权利要求1-6中的任一项所述的晶棒直径控制方法。

8.一种晶体生长系统，其特征在于，包括晶体生长炉和如权利要求7所述的晶体生长控制装置。

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序在由处理器运行时使得所述处理器执行如权利要求1-6中的任一项所述的晶棒直径控制方法。

10.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品在由处理器运行时，使得所述处理器执行如权利要求1-6中的任一项所述的晶棒直径控制方法。

技术总结一种晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品，晶棒生长控制方法包括：获取当前晶棒生长过程中的实际坩埚位置和实际直径，以及获取多根历史晶棒生长过程中的实际坩埚位置；根据历史晶棒的实际坩埚位置确定当前晶棒生长过程中的目标坩埚位置；根据当前晶棒的实际坩埚位置和目标坩埚位置计算坩埚位置差值；根据坩埚位置差值对当前晶棒的实际直径进行修正，以得到当前晶棒的模拟直径；根据模拟直径和目标直径对当前晶棒的生长过程进行控制。本申请可以弥补晶棒生长过程中由于坩埚位置存在差异所导致的晶体缺陷偏差，使得根据模拟直径和目标直径控制生长得到的晶棒具有相同情况的晶体缺陷，从而有利于晶棒的规模化生产。技术研发人员：冯睿超,赵言,金光勳受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/17