丙烯酸酯胶粘剂、胶粘剂组合物及UV保护膜的制作方法

本发明属于胶粘剂，具体涉及丙烯酸酯胶粘剂、胶粘剂组合物及uv保护膜。

背景技术：

1、在半导体晶圆切割的后段工序中，需要将封装好的晶圆进行切割。为了保护芯片不受损坏，通常切割前在基板上贴一层uv保护膜。该uv保护膜切割前通常会有较高的粘力，防止基板和uv保护膜的脱落。紫外线照射后uv保护膜的粘力能够迅速下降，可以方便芯片的拾取。

2、目前国内半导体晶圆切割用的pkg uv保护膜基本由日韩厂商提供，国内厂商生产的uv保护膜大部分存在psa和低表面能基材附着差的问题。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明提供一种丙烯酸酯胶粘剂、胶粘剂组合物及uv保护膜，可以解决psa和低表面能基材附着差的问题。

2、本发明采用的技术方案是：丙烯酸酯胶粘剂的制备方法，按重量百分比算，将65-75％的第一单体、15-25％的第二单体、0-5％的第三单体混合，再加入一定量的热引发剂和第一溶剂，在氮气气氛下共聚得到丙烯酸酯胶粘剂，第一单体包括丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸乙酯中的一种或者多种，所述第二单体包括丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯中的一种或者多种，所述第三单体包括丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丁酯、丙烯酸羟丙酯、n-乙烯基吡咯烷酮中的一种或者多种。丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丁酯、丙烯酸羟丙酯提供可作为热固化的交联点，n-乙烯基吡咯烷酮单体以其优异的附着能力，可以提升对低表面能基材的附着。所述热引发剂为偶氮类或者过氧化物，所述第一溶剂为乙酸乙酯、甲苯、丁酮的一种或多种。

3、作为上述技术方案的优选，所述热引发剂为偶氮二异丁腈、偶氮二异戊腈、偶氮二异庚腈、过氧化二苯甲酰、过氧化脂质中的一种或多种。

4、作为上述技术方案的优选，称取不同比例的第一单体、第二单体、第三单体、热引发剂、第一溶剂放入容器中，水浴加热并搅拌，然后往容器中通氮气30min，在氮气保护下，开始水浴升温，进行反应，反应约1-4h结束，即得所述丙烯酸酯胶粘剂。

5、丙烯酸酯胶粘剂，由上述制备方法制得。

6、胶粘剂组合物，将固化剂、光引发剂、uv树脂、第二溶剂以及上述的丙烯酸酯胶粘剂混合，形成胶粘剂组合物，按重量份算，胶粘剂组合物中包括有50-60份的丙烯酸酯胶粘剂、0.01-0.04份的固化剂、0.01-0.05份的光引发剂、5-20份的uv树脂、40-60份的溶剂。不同单体搭配以及不同的分子量和分子量分布，可以使得psa具有不同的黏性、持粘力以及附着力。所述固化剂为异氰酸酯固化剂，光引发剂为安息香、异丙基安息香醚、异丁基安息香醚、苄基二甲基缩酮、1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮-1-酮中的一种或多种。固化剂目的是和psa进行交联形成网状结构，以提升内聚以及耐热性等性能。光引发剂主要作用是紫外光下产生光自由基，光自由基打开psa中的碳碳双键，使得分子量急剧上升，达到降低粘性的目的。uv树脂为聚氨酯丙烯酸低聚物，氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物是通过将聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯等多价异氰酸酯化合物与多价异氰酸酯反应而得到的氨基甲酸酯预聚物而得到的。uv树脂的作用是小分子量的uv树脂本身带有的碳碳双键可以进一步降低uv后的剥离力，具体的碳碳双键官能度为双官、四官、六官、十官等。所述第二溶剂包括乙酸乙酯、甲苯、丁酮、乙酸丁酯的一种或多种，第二溶剂的主要作用是稀释psa混合物，有利于涂覆。

7、作为上述技术方案的优选，所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯中的一种或多种。

8、uv保护膜，包括有基材，所述基材涂覆有上述的胶粘剂组合物，胶粘剂组合物上覆盖有离型膜。

9、作为上述技术方案的优选，所述基材为对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚乙烯膜、聚氯乙烯膜、聚丙烯膜、聚乙烯膜和聚聚丙烯共混膜中一种或多种。

10、作为上述技术方案的优选，所述基材的厚度为10um、20um、50um、80um、100um、150um中的一种或多种，优选80um或100um。所述基材上胶粘剂组合物的涂覆厚度为5um、10um、15um、20um或者50um，优选10um或20um。所述离型膜的厚度为25um、50um、75um、100um或者150um，优选50um或100um。

11、本发明的有益效果是：本发明的uv保护膜，可以广泛应用于半导体封装切割后段工艺的制程保护，切割前保护芯片不受破坏，贴合无气泡，粘合力强，uv后进行切割时，无碎屑、不残胶、不影响芯片性能。

技术特征：

1.丙烯酸酯胶粘剂的制备方法，其特征在于，按重量百分比算，将65-75％的第一单体、15-25％的第二单体、0-5％的第三单体混合，再加入一定量的热引发剂和第一溶剂，在氮气气氛下共聚得到丙烯酸酯胶粘剂，第一单体包括丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸乙酯中的一种或者多种，所述第二单体包括丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯中的一种或者多种，所述第三单体包括丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丁酯、丙烯酸羟丙酯、n-乙烯基吡咯烷酮中的一种或者多种，所述热引发剂为偶氮类或者过氧化物，所述第一溶剂为乙酸乙酯、甲苯、丁酮的一种或多种。

2.如权利要求1所述的丙烯酸酯胶粘剂的制备方法，其特征在于，所述热引发剂为偶氮二异丁腈、偶氮二异戊腈、偶氮二异庚腈、过氧化二苯甲酰、过氧化脂质中的一种或多种。

3.如权利要求2所述的丙烯酸酯胶粘剂的制备方法，其特征在于，称取不同比例的第一单体、第二单体、第三单体、热引发剂、第一溶剂放入容器中，水浴加热并搅拌，然后往容器中通氮气30min，在氮气保护下，开始水浴升温，进行反应，反应约1-4h结束，即得所述丙烯酸酯胶粘剂。

4.丙烯酸酯胶粘剂，其特征在于，由权利要求1-3中任意一项所述的制备方法制得。

5.胶粘剂组合物，其特征在于，将固化剂、光引发剂、uv树脂、第二溶剂以及如权利要求4中所述的丙烯酸酯胶粘剂混合，形成胶粘剂组合物，按重量份算，胶粘剂组合物中包括有50-60份的丙烯酸酯胶粘剂、0.01-0.04份的固化剂、0.01-0.05份的光引发剂、5-20份的uv树脂、40-60份的溶剂，所述固化剂为异氰酸酯固化剂，光引发剂为安息香、异丙基安息香醚、异丁基安息香醚、苄基二甲基缩酮、1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮-1-酮中的一种或多种，uv树脂为聚氨酯丙烯酸低聚物，所述第二溶剂包括乙酸乙酯、甲苯、丁酮、乙酸丁酯的一种或多种。

6.如权利要求5所述的胶粘剂组合物，其特征在于，所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯中的一种或多种。

7.uv保护膜，包括有基材，其特征在于，所述基材涂覆有如权利要求5或6所述的胶粘剂组合物，胶粘剂组合物上覆盖有离型膜。

8.如权利要求7所述的uv保护膜，其特征在于，所述基材为对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚乙烯膜、聚氯乙烯膜、聚丙烯膜、聚乙烯膜和聚聚丙烯共混膜中一种或多种。

9.如权利要求8所述的uv保护膜，其特征在于，所述基材的厚度为10um、20um、50um、80um、100um、150um中的一种或多种，所述基材上胶粘剂组合物的涂覆厚度为5um、10um、15um、20um或者50um，所述离型膜的厚度为25um、50um、75um、100um或者150um。

技术总结本发明公开了一种丙烯酸酯胶粘剂、胶粘剂组合物及UV保护膜。在氮气气氛下将一定量第一单体、第二单体、第三单体混合、热引发剂和第一溶剂共聚得到丙烯酸酯胶粘剂。将固化剂、光引发剂、UV树脂、第二溶剂以及上述的丙烯酸酯胶粘剂混合，形成胶粘剂组合物。在基材涂覆上述的胶粘剂组合物，胶粘剂组合物上覆盖有离型膜，得到UV保护膜。本发明的UV保护膜，可以广泛应用于半导体封装切割后段工艺的制程保护，切割前保护芯片不受破坏，贴合无气泡，粘合力强，UV后进行切割时，无碎屑、不残胶、不影响芯片性能。技术研发人员：李五洲,郭文磊,花国栋,明尚峰受保护的技术使用者：浙江东柔新材料有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/18