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一种屏蔽膜及折叠电子设备的制作方法

  • 国知局
  • 2024-12-06 12:14:21
  • 29

本发明涉及电磁屏蔽,具体涉及一种屏蔽膜及折叠电子设备。

背景技术:

1、电磁屏蔽膜能够有效防止电磁波对人体的伤害,并屏蔽电磁辐射对电子设备的干扰,保证电子设备正常工作,同时,由于阻挡了电磁信号的传输,还可以确保电子信息不被泄露和窃取。

2、随着通讯设备的发展,折叠电子设备(例如折叠手机)应运而生,在折叠电子设备的线路板或软板上贴敷该电磁屏蔽膜,不仅可实现折叠电子设备的折叠,而且可避免外界和折叠电子设备的电磁干扰。折叠电子设备在多次折叠后,会出现电磁屏蔽膜失效的现象,而电磁屏蔽膜的耐弯折性能越高,其出现失效现象的概率越低。但是,现有技术中的屏蔽膜的耐弯折性都较差,难以满足折叠手电子设备的性能要求,因此,提高屏蔽膜的耐弯折性是急切需要的。

技术实现思路

1、有鉴于此,本发明提供了一种屏蔽膜及可折叠电子设备,以解决相关技术存在的通过多次折叠屏蔽膜,直至屏蔽膜出现失效现象。

2、第一方面,本发明提供了一种屏蔽膜,所述屏蔽膜的弯折次数在第一预设范围内,所述屏蔽膜的电阻变化率δy与所述屏蔽膜弯折次数差值δx之间满足如下函数:0.5≤|δy*10000/δx|≤33;其中,δy为屏蔽膜弯折第m次和弯折第n次下电阻的变化率,所述δx为对m与n的差值,m大于n,且δx为100的整数倍,所述第一预设范围为300-2000次。

3、在一种可选的实施方式中,所述屏蔽膜的弯折次数在第二预设范围内,所述屏蔽膜电阻变化率δy1与所述屏蔽膜弯折次数差值δx1|之间满足如下函数:0.1≤|δy1*10000/δx1|≤20;其中,δy1为屏蔽膜弯折第m次和弯折第n次下电阻的变化率,所述δx1为对m与n的差值,m大于n,且δx为100的整数倍,所述第一预设范围为2000-3500次。

4、在一种可选的实施方式中,所述屏蔽膜包括屏蔽层,所述屏蔽层的材料为铝、钛、锌、铁、镍、钨、铬、钴、铜、银、金、铁氧体、碳纳米管中的一种或多种。

5、在一种可选的实施方式中,所述屏蔽层厚度大于所述屏蔽膜厚度的0.5%。

6、在一种可选的实施方式中,还包括:

7、载体层;

8、覆盖层,位于所述载体层的一侧表面;

9、所述屏蔽层位于覆盖层背离所述载体层的一侧表面;

10、胶层,位于所述屏蔽层背离所述覆盖层的一侧表面;

11、位于所述屏蔽层背离所述覆盖层的一侧表面具有至少一个凸起结构,所述凸起结构嵌入或穿透所述胶层。

12、在一种可选的实施方式中,所述覆盖层的材质包括聚酰亚胺,且聚酰亚胺的质量占比为所述覆盖层的20%-80%。

13、在一个可选的实施方式中,所述覆盖层的厚度为2μm-20μm。

14、在一个可选的实施方式中,所述屏蔽膜的厚度为5μm-30μm,所述屏蔽膜的电阻值为10mω-1000mω。

15、在一个可选的实施方式中,还包括保护膜,位于所述胶层背离所述屏蔽层的一侧表面。

16、第二方面,本发明还提供了一种折叠电子设备,采用第一方面的任一实施方式的屏蔽膜。

17、本发明提供的技术方案,具有如下优点:

18、1、屏蔽膜在弯折后,屏蔽膜的电阻会出现变化,因此屏蔽膜的电阻变化是衡量其弯折性能的重要指标,当屏蔽膜的弯折次数在第一预设范围内,且屏蔽膜电阻变化率δy与所述屏蔽膜弯折次数差值δx之间满足如下函数:0.5≤|δy*10000/δx|≤33时,屏蔽膜能达到设定的弯折性能,以使得该屏蔽膜满足折叠电子设备多次折叠的要求,由于第一范围为300-2000次,远远小于屏蔽膜失效的弯折次数,因此,减少了屏蔽膜的弯折次数,减少了试验的周期。

19、2、当屏蔽膜的弯折次数在第二预设范围内,且屏蔽膜电阻变化率δy1与所述屏蔽膜弯折次数差值δx1|之间满足如下函数:0.1≤|δy1*10000/δx1|≤20时,屏蔽膜的弯折性能大于设定的弯折性能,即该屏蔽膜具有更好的弯折性能。

20、3、本发明中屏蔽层的材料为铝、钛、锌、铁、镍、钨、铬、钴、铜、银、金、铁氧体、碳纳米管中的一种或多种,以提高屏蔽层的屏蔽效果。

21、4、本发明通过将覆盖层聚酰亚胺的含量控制在20%-80%,在提高覆盖层弯折性的同时,提高覆盖层的耐高温性,使得覆盖层具有耐焊锡性,以提高覆盖层的保护作用。

22、5、本发明的覆盖层的厚度在2μm-20μm,在具有耐高温性能的同时能避免焊锡蚀穿现象,且避免多次弯折后出现覆盖层和屏蔽层的断层现象。

23、6、本发明中的屏蔽膜的厚度为5μm-30μm,在屏蔽膜贴敷在线路板或软板上后,线路板或软板能够实现180°弯折。

24、7、本发明提供的屏蔽膜,屏蔽层的凸起结构主要用于刺穿胶层,实现屏蔽层的接地,从而能够导出胶层积累的电荷,以提高屏蔽膜的屏蔽效果。

技术特征:

1.一种屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽膜的弯折次数在第一预设范围内,所述屏蔽膜电阻变化率δy与所述屏蔽膜弯折次数差值δx之间满足如下函数:0.5≤|δy*10000/δx|≤33;其中,δy为屏蔽膜弯折第m次和弯折第n次下电阻的变化率,所述δx为对m与n的差值,m大于n,且δx为100的整数倍,所述第一预设范围为300-2000次。

2.根据权利要求1所述的屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽膜的弯折次数在第二预设范围内,所述屏蔽膜电阻变化率δy1与所述屏蔽膜弯折次数差值δx1之间满足如下函数:0.1≤|δy1*10000/δx1|≤20;其中,δy1为屏蔽膜弯折第m次和弯折第n次下电阻的变化率,所述δx1为对m与n的差值,m大于n,且δx为100的整数倍,所述第二预设范围为2000-3500次。

3.根据权利要求1或2所述的屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽膜包括屏蔽层(3),所述屏蔽层(3)的材料为铝、钛、锌、铁、镍、钨、铬、钴、铜、银、金、铁氧体、碳纳米管中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽层(3)厚度大于所述屏蔽膜厚度的0.5%。

5.根据权利要求4所述的屏蔽膜,其特征在于,还包括:

6.根据权利要求5所述的屏蔽膜,其特征在于,所述覆盖层(2)的材质包括聚酰亚胺,且聚酰亚胺的质量占比为所述覆盖层(2)质量的20%-80%。

7.根据权利要求5所述的屏蔽膜,其特征在于,所述覆盖层(2)的厚度为2μm-20μm。

8.根据权利要求5所述的屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽膜的厚度为5μm-30μm,所述屏蔽膜的电阻值为10mω-1000mω。

9.根据权利要求5所述的屏蔽膜,其特征在于,还包括保护膜,位于所述胶层(4)背离所述屏蔽层(3)的一侧表面。

10.一种折叠电子设备,其特征在于,采用权利要求1-9中任一项所述的屏蔽膜。

技术总结本发明涉及电磁屏蔽膜技术领域,公开了一种屏蔽膜及折叠电子设备。屏蔽膜在弯折后,屏蔽膜的电阻会出现变化,因此屏蔽膜的电阻变化是衡量其弯折性能的重要指标,当屏蔽膜的弯折次数在第一预设范围内,且屏蔽膜电阻变化率Δy与屏蔽膜弯折次数差值Δx之间满足如下函数:0.5≤|Δy*10000/Δx|≤33时,屏蔽膜能达到设定的弯折性能,以使得该屏蔽膜满足折叠电子设备多次折叠的要求,Δy为屏蔽膜弯折第m次和弯折第n次下电阻的变化率,Δx为对m与n的差值,m大于n,且Δx为100的整数倍,第一预设范围为300‑2000次。由于第一范围为300‑2000次,远远小于屏蔽膜失效的弯折次数,因此,减少了屏蔽膜的弯折次数,减少了试验的周期。技术研发人员:苏陟,周街胜,张美娟受保护的技术使用者:广州方邦电子股份有限公司技术研发日:技术公布日:2024/12/2

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