湿法蚀刻方法与流程

本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种湿法蚀刻方法。

背景技术：

1、在湿法蚀刻中需要使用蚀刻液，通常蚀刻液每天都需要更换。但是在特殊情况下，例如每天蚀刻的晶圆数量比较少等，蚀刻液也不需要每天更换，可以几天更换一次。在这种情况下，随着时间的推移，蚀刻液中的水分会不断的蒸发，造成蚀刻液的浓度不断升高，从而造成蚀刻率(etch rate)不断增大。这样在后续的形成kh(keyhole，关键孔洞)等结构时，会导致kh的cd(特征尺寸)不断变大。而再经过一段时间后，当更换了新的蚀刻液之后，形成的kh的cd又会重新变小。这样就导致了在不同时间制造的产品，kh的cd不一致，从而导致部分产品的kh的cd偏离目标值比较大，甚至超出了规格范围。由此会使产品的良率降低，产品的性能也会受到影响。

技术实现思路

1、本发明旨在提供一种能够确保在不同时间制造的产品的kh的cd都不超出规格范围的湿法蚀刻方法。

2、本发明提供的湿法蚀刻方法使用的湿法蚀刻装置包括：腔室，设置在所述腔室底部的用于放置晶圆的平台，设置在所述腔室顶部的用于向所述晶圆喷洒蚀刻液的喷头，设置在所述腔室之外的用于存放所述蚀刻液的酸槽，连接所述喷头和所述酸槽的导管，以及设置在所述平台周围的废液收集部件，所述湿法蚀刻方法包括：半导体组件形成步骤：在所述晶圆的半导体衬底上形成半导体组件；蚀刻液更换步骤：更换所述酸槽中的所述蚀刻液；以及蚀刻步骤：通过所述导管将所述酸槽中的所述蚀刻液引导至所述喷头，并通过所述喷头将所述蚀刻液喷洒至所述晶圆的表面，同时所述平台带动所述晶圆旋转，从而对所述半导体组件进行蚀刻，在所述半导体组件上形成接触孔洞；以及关键孔洞形成步骤：在所述接触孔洞中填充多晶硅，形成钥匙孔，并通过所述钥匙孔形成关键孔洞；根据所述关键孔洞的直径确定所述蚀刻步骤中的蚀刻时间，并且所述蚀刻时间为固定值。

3、通过本发明的湿法蚀刻方法，能够确保在不同时间制造的产品的kh的cd都能不超出规格范围，从而提高产品的良率和性能。

技术特征：

1.一种湿法蚀刻方法，其特征在于，所述湿法蚀刻方法使用的湿法蚀刻装置(100)包括：腔室(1)，设置在所述腔室(1)底部的用于放置晶圆(2)的平台(3)，设置在所述腔室(1)顶部的用于向所述晶圆(2)喷洒蚀刻液的喷头(4)，设置在所述腔室(1)之外的用于存放所述蚀刻液的酸槽(5)，连接所述喷头(4)和所述酸槽(5)的导管(6)，以及设置在所述平台(3)周围的废液收集部件(7)，

2.如权利要求1所述的湿法蚀刻方法，其特征在于，

3.如权利要求2所述的湿法蚀刻方法，其特征在于，

技术总结本发明提供一种湿法蚀刻方法，属于集成电路制造领域。本发明的湿法蚀刻方法包括：半导体组件形成步骤：在晶圆的半导体衬底上形成半导体组件；蚀刻液更换步骤：更换酸槽中的蚀刻液；以及蚀刻步骤：通过导管将酸槽中的蚀刻液引导至喷头，并通过喷头将蚀刻液喷洒至晶圆的表面，同时平台带动晶圆旋转，从而对半导体组件进行蚀刻，在半导体组件上形成接触孔洞；以及关键孔洞形成步骤：在接触孔洞中填充多晶硅，形成钥匙孔，并通过钥匙孔形成关键孔洞；根据关键孔洞的直径确定蚀刻步骤中的蚀刻时间，并且蚀刻时间为固定值。通过本发明的湿法蚀刻方法，能够确保在不同时间制造的产品的关键孔洞的CD都不超出规格范围，从而提高产品的良率和性能。技术研发人员：唐磊,邱宗钰,陈庆鸿受保护的技术使用者：北京时代全芯存储技术股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/12/2