加热装置及金属有机化学气相沉积设备的制作方法

本公开属于半导体制备设备领域，特别涉及一种加热装置及金属有机化学气相沉积设备。

背景技术：

1、金属有机化学气相沉积设备是一种应用于半导体制备工艺中的设备。

2、在相关技术中，金属有机化学气相沉积设备包括制备腔体，制备腔体中具有加热装置和能够转动的托盘。托盘用于承载外延片，加热装置用于对托盘上的外延片进行加热。

3、从理论上来说，若托盘不转动，那么制备腔体内的气体是均匀分布的，此时加热装置能够对托盘上的各外延片均匀加热。然而，在金属有机化学气相沉积设备工作时，托盘会高速旋转，在离心力的作用下，导致制备腔体内的气流分布不均。上述相关技术中的加热装置，无法在气流分布不均的情况下实现对于外延片的均匀加热，以致外延片均匀性较差，进而二极管芯片的发光一致性较差。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种加热装置及金属有机化学气相沉积设备，能够实现对于外延片的均匀加热，从而提高外延片的均匀性，进而提高二极管芯片的发光一致性。所述技术方案如下：

2、一方面，本公开实施例提供了一种加热装置，包括：边缘加热件和中间加热件；

3、所述边缘加热件围设在所述中间加热件四周；

4、所述边缘加热件靠近所述中间加热件的区域为镂空区域，位于所述镂空区域内的边缘加热件具有多个孔洞，各所述孔洞相互间隔。

5、在本公开的一种实现方式中，所述加热装置为圆形，所述镂空区域为环形，所述镂空区域和所述加热装置同心布置。

6、在本公开的一种实现方式中，所述镂空区域的外径和所述加热装置的直径之比为2/3；

7、所述镂空区域的内径和所述加热装置的直径之比为1/3。

8、在本公开的一种实现方式中，所述孔洞为圆形；

9、所述孔洞的直径为2～6cm，所述孔洞的数量为3～8个。

10、在本公开的一种实现方式中，所述孔洞为椭圆形；

11、所述孔洞的长轴为3～8cm，所述孔洞的短轴为1～3cm，所述孔洞的数量为2～6个。

12、在本公开的一种实现方式中，所述边缘加热件由电热丝盘绕形成；

13、所述孔洞位于所述电热丝靠近所述中间加热件的一侧。

14、在本公开的一种实现方式中，所述孔洞位于所述电热丝宽度方向的3/5～4/5位置处。

15、在本公开的一种实现方式中，所述边缘加热件包括第一加热件和第二加热件；

16、所述第一加热件和所述第二加热件分别位于所述中间加热件的两侧，以包围所述中间加热件。

17、在本公开的一种实现方式中，所述中间加热件为圆形，所述第一加热件和所述第二加热件关于所述中间加热件的圆心呈中心对称布置。

18、另一方面，本公开实施例提供了一种金属有机化学气相沉积设备，所述金属有机化学气相沉积设备包括前文所述的加热装置。

19、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

20、本公开实施例提供的加热装置包括边缘加热件和中间加热件，边缘加热件和中间加热件均能够产生热量，以实现加热装置的加热功能。并且，边缘加热件围设在中间加热件四周，如此一来，边缘加热件对托盘上位于边缘位置的外延片进行加热，中间加热件对托盘上位于中间位置的外延片进行加热，以保证对于托盘上的各位置的外延片均进行加热。另外，边缘加热件靠近中间加热件的区域为镂空区域，位于该区域内的边缘加热件具有多个孔洞，孔洞处的加热能力，相较于其他区域的加热能力要差，所以能够单独降低镂空区域的温度，而不影响到其他区域。降低镂空区域的温度，也即降低了加热装置的中圈温度，有利于实现外延片的均匀加热，从而提高外延片的均匀性，进而提高二极管芯片的发光一致性。

技术特征：

1.一种加热装置，其特征在于，包括：边缘加热件(10)和中间加热件(20)；

2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述加热装置为圆形，所述镂空区域(30)为环形，所述镂空区域(30)和所述加热装置同心布置。

3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述镂空区域(30)的外径和所述加热装置的直径之比为2/3；

4.根据权利要求1至3任一项所述的加热装置，其特征在于，所述孔洞(40)为圆形；

5.根据权利要求1至3任一项所述的加热装置，其特征在于，所述孔洞(40)为椭圆形；

6.根据权利要求1至3任一项所述的加热装置，其特征在于，所述边缘加热件(10)由电热丝(130)盘绕形成；

7.根据权利要求6所述的加热装置，其特征在于，所述孔洞(40)位于所述电热丝(130)宽度方向的3/5～4/5位置处。

8.根据权利要求1至3任一项所述的加热装置，其特征在于，所述边缘加热件(10)包括第一加热件(110)和第二加热件(120)；

9.根据权利要求8所述的加热装置，其特征在于，所述中间加热件(20)为圆形，所述第一加热件(110)和所述第二加热件(120)关于所述中间加热件(20)的圆心呈中心对称布置。

10.一种金属有机化学气相沉积设备，其特征在于，包括：权利要求1至9任一项所述的加热装置。

技术总结本公开提供了一种加热装置及金属有机化学气相沉积设备，属于半导体器件领域。该加热装置，包括：边缘加热件和中间加热件；边缘加热件围设在中间加热件四周；边缘加热件靠近中间加热件的区域为镂空区域，位于镂空区域内的边缘加热件具有多个孔洞，各孔洞相互间隔。本公开能够实现对于外延片的均匀加热，从而提高外延片的均匀性，进而提高二极管芯片的发光一致性。技术研发人员：从颖,姚振,龚逸品,梅劲受保护的技术使用者：华灿光电（苏州）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11