保护膜的形成方法、保护膜以及传感器与流程

本发明涉及保护膜的形成方法、保护膜以及传感器。

背景技术：

1、在测定作为测定对象的流体的被测定流体的物理量的传感器中，在被测定流体的流路中设置测温电阻体等导体。如专利文献1所公开的那样，导体被保护膜(在专利文献1中为绝缘体22)覆盖而被保护不受被测定流体的影响。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、[专利文献1]日本专利特开2022-16754号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、可以考虑用化学气相生长法(cvd)、物理气相生长法(pvd)和原子层沉积法(ald)中的任一种来形成上述保护膜。cvd和pvd的成膜率良好，因此其生产效率良好。但是，难以保证膜的品质。ald能够形成品质良好的膜，但ald的成膜率差，在仅用ald形成保护膜的情况下，为了得到作为保护膜所需要的厚度需要时间。即，ald的生产效率不好。

3、本发明的课题是得到品质和生产效率良好的保护膜。

4、解决问题的技术手段

5、为了解决上述课题，本发明的保护膜的形成方法是覆盖测定被测定流体的物理量的传感器所具备的导体而保护该导体不受所述被测定流体影响的保护膜的形成方法，该保护膜的形成方法具备：第1步骤，通过原子层沉积法形成覆盖所述导体的第1绝缘层来作为所述保护膜的最下层；第2步骤，在所述第1绝缘层上通过化学气相生长法或物理气相生长法形成第2绝缘层来作为所述保护膜的中间层；以及第3步骤，在所述第2绝缘层上通过原子层沉积法形成第3绝缘层来作为所述保护膜的最上层。

6、作为一例，也可以为：所述导体是测温电阻体，所述第1绝缘层、所述第2绝缘层以及所述第3绝缘层由相同材料形成。

7、作为一例，所述相同材料也可以是sin或sio2。

8、作为一例，也可以为：所述传感器是通过加热所述被测定流体的加热器和所述测温电阻体来测量作为所述被测定流体的所述物理量的流量的热式流量传感器，所述导体包含所述测温电阻体和所述加热器，所述保护膜形成为在与厚度方向正交的方向上连续地覆盖所述测温电阻体和所述加热器。

9、作为一例所述被测定流体也可以是导电性流体。

10、作为一例，也可以是所述导体形成在基底上，与该基底形成阶梯部分，所述第1绝缘层、所述第2绝缘层以及所述第3绝缘层形成为覆盖所述阶梯部分。

11、本发明的保护膜是覆盖测定被测定流体的物理量的传感器所具备的导体而保护所述导体不受所述被测定流体影响的保护膜，该保护膜具备：第1绝缘层，其通过原子层沉积法形成，覆盖所述导体；第2绝缘层，其在所述第1绝缘层上通过化学气相生长法或物理气相生长法形成；以及第3绝缘层，其在所述第2绝缘层上通过原子层沉积法形成。

12、本发明的传感器具备所述保护膜和由所述保护膜保护的所述导体。

13、发明的效果

14、根据本发明，可以得到品质和生产效率良好的保护膜。

技术特征：

1.一种保护膜的形成方法，其是覆盖测定被测定流体的物理量的传感器所具备的导体，保护该导体不受所述被测定流体的影响的保护膜的形成方法，

2.根据权利要求1所述的保护膜的形成方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的保护膜的形成方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的保护膜的形成方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的保护膜的形成方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的保护膜的形成方法，其特征在于，

7.一种保护膜，其覆盖测定被测定流体的物理量的传感器所具备的导体，保护所述导体不受所述被测定流体的影响，

8.一种传感器，其特征在于，具备：

技术总结本发明涉及一种保护膜的形成方法。形成覆盖测定被测定流体的流量的传感器所具备的测温电阻体(13)而保护测温电阻体(23)不受被测定流体影响的保护膜(23)。该保护膜(23)的形成方法具备：第1步骤，通过原子层沉积法形成覆盖测温电阻体(13)的第1绝缘层(23A)作为保护膜(23)的最下层；第2步骤，在第1绝缘层(23A)上通过化学气相生长法或物理气相生长法形成第2绝缘层(23B)作为保护膜(23)的中间层；以及第3步骤，通过原子层沉积法在第2绝缘层(23B)上形成第3绝缘层(23C)作为保护膜(23)的最上层。技术研发人员：汤山真由美受保护的技术使用者：阿自倍尔株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/13