晶圆处理供气系统及晶圆处理装置的制作方法

本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆处理供气系统及晶圆处理装置。

背景技术：

1、在晶圆减薄背面金属化工艺的过程中，需要对晶圆进行两次湿法刻蚀工艺。第一次湿法刻蚀工艺为晶圆背面减薄工艺，去除晶圆背面研磨粗糙的损伤层，定义表面粗糙度；第二次湿法刻蚀工艺为晶圆蒸镀金属工艺前的预清洁流程，即清洗除去表面氧化层。以上两次的湿法刻蚀工艺均为单片湿法刻蚀工艺，由单片清洗机台完成；在湿法刻蚀后，干燥工艺由高速旋转结合氮气干燥完成。

2、请参阅图1，其为现有技术中单片清洗机台的结构示意图。所述单片清洗机台包括：腔体11、旋转装置12、氮气喷嘴13。所述旋转装置12及所述氮气喷嘴13均位于所述腔体11内。当晶圆刻蚀完成后，由所述旋转装置12带动晶圆高速旋转，并由所述氮气喷嘴13喷出干燥氮气，对晶圆表面进行干燥。然而，实际的生产操作中，晶圆干燥完成后会出现背面硅腐蚀水印，影响后续工艺测试和结果。

3、因此，如何改进单片清洗机台的结构，减少晶圆干燥后的背面硅腐蚀水印现象，是目前需要解决的问题。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是如何改进单片清洗机台的结构，减少晶圆干燥后的背面硅腐蚀水印现象，提供一种晶圆处理供气系统及晶圆处理装置。

2、为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆处理供气系统，包括：干燥气路，用于提供干燥气体至晶圆表面，所述干燥气路包括串联设置的第一气动阀及第二气动阀；控制气路，与所述干燥气路相连，用于通过所述控制气路中的动力气体控制所述干燥气路的开启状态；所述控制气路包括汇总气路以及并联设置的第一子控制气路及第二子控制气路，所述第一子控制气路一端连接至所述汇总气路，另一端连接至所述第一气动阀，所述第二子控制气路一端连接至所述汇总气路，另一端连接至所述第二气动阀。

3、在一些实施例中，所述第一气动阀和/或所述第二气动阀关闭时，所述干燥气路停止提供所述干燥气体。

4、在一些实施例中，所述干燥气路还包括第一调压阀，用于调节所述干燥气体的气流量。

5、在一些实施例中，所述控制气路还包括第二调压阀，位于所述汇总气路上，用于调节所述动力气体的气流量。

6、在一些实施例中，所述干燥气体为干燥氮气。

7、在一些实施例中，所述动力气体为压缩空气。

8、为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆处理装置，包括用于容置晶圆的腔体；还包括本实用新型所述的晶圆处理供气系统，所述晶圆处理供气系统连接至腔体。

9、在一些实施例中，所述干燥气路还包括一喷嘴，位于所述腔体内，用于喷出所述干燥气体至容置于所述腔体内的晶圆。

10、在一些实施例中，所述晶圆处理装置还包括旋转装置，位于所述腔体内，用于带动容置于所述腔体内的晶圆旋转。

11、在一些实施例中，所述晶圆处理装置还包括供液装置，位于所述腔体内，用于提供晶圆处理工艺所需的液体。

12、上述技术方案通过设置串联的第一气动阀及第二气动阀，并通过并联设置的第一子控制气路及第二子控制气路分别控制，当其中一个气动阀出现功能延时或功能丧失时，另一个气动阀还能继续保证干燥气路的及时关闭，防止晶圆所在环境中的液体被干燥气路吹起溅落在晶圆表面，避免晶圆背面硅形成腐蚀水印，优化了工艺结果，减小对后续工艺和测试的影响。

13、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本实用新型。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

技术特征：

1.一种晶圆处理供气系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆处理供气系统，其特征在于，所述第一气动阀和/或所述第二气动阀关闭时，所述干燥气路停止提供所述干燥气体。

3.根据权利要求1所述的晶圆处理供气系统，其特征在于，所述干燥气路还包括第一调压阀，用于调节所述干燥气体的气流量。

4.根据权利要求1所述的晶圆处理供气系统，其特征在于，所述控制气路还包括第二调压阀，位于所述汇总气路上，用于调节所述动力气体的气流量。

5.根据权利要求1所述的晶圆处理供气系统，其特征在于，所述干燥气体为干燥氮气。

6.根据权利要求1所述的晶圆处理供气系统，其特征在于，所述动力气体为压缩空气。

7.一种晶圆处理装置，包括用于容置晶圆的腔体；其特征在于，还包括权利要求1～6任一项所述的晶圆处理供气系统，所述晶圆处理供气系统连接至所述腔体。

8.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述干燥气路还包括一喷嘴，位于所述腔体内，用于喷出所述干燥气体至容置于所述腔体内的晶圆。

9.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括旋转装置，位于所述腔体内，用于带动容置于所述腔体内的晶圆旋转。

10.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括供液装置，位于所述腔体内，用于提供晶圆处理工艺所需的液体。

技术总结本技术提供一种晶圆处理供气系统及晶圆处理装置。晶圆处理供气系统包括：干燥气路，用于提供干燥气体至晶圆表面，干燥气路包括串联设置的第一、第二气动阀；控制气路与干燥气路相连，用于通过控制气路中的动力气体控制干燥气路的开启状态；控制气路包括汇总气路以及并联设置的第一、第二子控制气路，第一子控制气路一端连接至汇总气路，另一端连接至第一气动阀，第二子控制气路一端连接至汇总气路，另一端连接至第二气动阀。上述技术方案通过设置串联的第一、第二气动阀，通过并联设置的第一、第二子控制气路分别控制，双重保证干燥气路的及时关闭，防止晶圆所在环境中的液体被干燥气路吹起溅落在晶圆表面，避免晶圆背面硅形成腐蚀水印。技术研发人员：杨卫钢,严峰,郭磊受保护的技术使用者：上海积塔半导体有限公司技术研发日：20231026技术公布日：2024/6/13