基板处理系统和基板处理方法与流程

本公开涉及一种基板处理系统和基板处理方法。

背景技术：

1、已知一种设置有多个加热器且分别独立地对载置作为被处理基板的半导体晶圆的载置台的多个区域进行温度调整的基板处理装置(参照专利文献1)。在使用这样的基板处理装置的半导体制造工艺中，通过高精度地调整半导体晶圆的温度，能够恰当地处理半导体。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017-228230号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种高精度地调整基板的温度的基板处理系统和基板处理方法。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式的基板处理系统具备：载置台，其用于载置基板；加热器，其通过被供给电力来将基板进行加热；电力供给部，其向加热器供给电力；传感器，其测定加热器的电阻值；以及控制装置。控制装置记录将多个电阻值与多个温度进行对应的转换表，在加热器的温度为参考温度时获取由传感器测定的参考电阻值。控制装置还在通过加热器将基板进行加热的期间获取由传感器测定的温度调整用电阻值，基于转换表、参考温度、参考电阻值以及温度调整用电阻值来控制电力供给部。

5、发明的效果

6、根据本公开，能够高精度地调整基板的温度。

技术特征：

1.一种基板处理系统，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于，

4.一种基板处理方法，是使用基板处理装置执行的基板处理方法，

技术总结本发明提供一种基板处理系统和基板处理方法。基板处理系统具备：载置台，其用于载置基板；加热器，其通过被供给电力来将基板进行加热；电力供给部，其向加热器供给电力；传感器，其测定加热器的电阻值；以及控制装置。控制装置记录将多个电阻值与多个温度进行对应的转换表，在加热器的温度为参考温度时获取由传感器测定的参考电阻值。控制装置还在通过加热器将基板进行加热的期间获取由传感器测定的温度调整用电阻值，并基于转换表、参考温度、参考电阻值以及温度调整用电阻值来控制电力供给部。技术研发人员：远藤宏纪,中村健一郎受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/29