漏电检测结构及接触结构制作工艺的优化方法与流程

本发明属于半导体集成电路制造领域，涉及一种漏电检测结构及接触结构制作工艺的优化方法。

背景技术：

1、随着逻辑电路cmos(互补金属氧化物半导体)工艺尺寸减小，晶体管接触结构(ct)到多晶硅栅(poly)之间的短路风险逐渐增加。为了降低ct到poly风险，目前常用ct与poly之间的漏电监控设计结构如图1所示，包括有源区01、多晶硅栅02及接触结构03。而随着工艺尺寸的减小，光学临近效应(转角处的图形发生畸变，方角变成圆角)更加明显，如图2所示，为形成多晶硅栅后的sem图，从图中可以看出多晶硅栅受光学临近效应影响，转角处的方角变成了圆角。为解决光学临近效应问题，通过光学临近修正(optical proximitycorrection，简称opc)来改善处转角处的形貌，但图1中的漏电检测结构虽说能够检测ct与poly之间的漏电，但是无法根据漏电对工艺进行优化，且优化接触结构的工艺的工作量较大，需要不断的尝试。目前还没有关于存在转角的晶体管或连接方式的漏电检测结构来监控ct到poly之间的漏电，并基于漏电情况进行快速优化接触结构制作工艺的工艺优化方法。

2、因此，急需寻找一种能够快速寻到制作接触结构的最佳的工艺条件的接触结构的优化方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种漏电检测结构及接触结构制作工艺的优化方法，用于解决现有技术中具有转角的特殊结构中接触结构的工艺优化工作量大的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供了一种漏电检测结构，包括：

3、半导体层；

4、至少一导电层，位于所述半导体层的上方，所述导电层包括多个沿所述导电层延伸方向依次交替排列的第一u型部和第二u型部，所述第一u型部与所述第二u型部的开口方向相反，相邻两个所述第一u型部与所述第二u型部共用近邻的侧臂；

5、介电层，覆盖所述半导体层上表面及所述导电层的显露表面；

6、多个接触单元，贯穿所述介电层并与所述导电层间隔预设距离，所述接触单元位于相邻两个所述侧臂之间，所述接触单元包括至少一第一接触结构；

7、第二接触结构，贯穿所述介电层并与所述导电层电连接；

8、第一引线结构，位于所述介电层的上表面并与所述第一接触结构电连接；

9、第二引线结构，位于所述介电层的上表面且与所述第一引线结构间隔预设距离，所述第二引线结构与所述第二接触结构电连接。

10、可选地，不同所述导电层中所述侧臂之间的所述接触单元的所述第一接触结构的数量不同。

11、可选地，同一所述导电层的不同所述侧臂之间的所述接触单元中至少两个所述接触单元的所述第一接触结构的数量不同。

12、可选地，所述漏电检测结构中还包括至少一所述导电层的沿所述导电层排列方向两侧的侧导电部，所述侧导电部与所述导电层间隔预设距离，所述第一接触结构与所述侧导电部间隔预设距离。

13、可选地，所述侧导电部中还设有与所述第一u型部和所述第二u型部一一对应的凸起单元，所述凸起单元的顶端与所述第一u型部和所述第二u型部的底部之间的距离小于所述接触单元与所述第一u型部和所述第二u型部的底部之间的距离。

14、可选地，所述凸起单元与所述第一u型部和所述第二u型部的侧臂之间的距离大于所述第一接触结构与u型部和所述第二u型部的侧臂之间的距离。

15、可选地，所述第二接触结构与所述侧导电部电连接。

16、可选地，所述第一引线结构包括第一引线层及与所述第一引线层电连接的第一焊盘，所述第一引线层电连接所有所述第一接触结构。

17、可选地，所述第二引线结构包括第二引线层及与所述第二引线层电连接的第二焊盘，所述第二引线层电连接所有所述第二接触结构。

18、本发明还提供了一种接触结构制作工艺的优化方法，包括以下步骤：

19、提供一上述所述的漏电检测结构及至少一检测模块，所述检测模块包括电源、第一测量端、第二测量端及电流检测单元；

20、将所述第一测量端和所述第二测量端分别与每个所述层间金属漏电检测结构的所述第一引线结构及所述第二引线结构电连接；

21、开启已设定预设电压值的所述电源，并读取所述电流检测单元上显示的测量电流值；

22、所述测量电流值大于电流预设值，基于所述测量电流值的大小调整所述漏电检测结构中所述接触单元与所述导电层之间的距离，并重复上述步骤，直至所述测量电流值小于所述电流预设值。

23、如上所述，本发明的漏电检测结构及接触结构制作工艺的优化方法通过改进所述导电层的形状，利用多个所述第一u型部和所述第二u型部在所述导电层延伸的方向上依次交替排列构成所述导电层，以使所述导电层中的转角增多，且所述接触单元位于所述侧臂之间，从而使所述接触单元与所述导电层之间受光学临近效应影响的区域增多，使所述接触单元与所述导电层之间的漏电流增大，使所述接触单元与所述导电层之间的漏电流便于检测到，同时基于漏电检测结构中测量得到的所述测量电流值的大小来选择所述接触单元与所述导电层之间相对位置的调整幅度，减少了调整的频次，便于快速寻到制作接触结构的最佳的工艺条件，减少了优化工艺的工作量，具有高度产业利用价值。

技术特征：

1.一种漏电检测结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的漏电检测结构，其特征在于：不同所述导电层中所述侧臂之间的所述接触单元的所述第一接触结构的数量不同。

3.根据权利要求1所述的漏电检测结构，其特征在于：同一所述导电层的不同所述侧臂之间的所述接触单元中至少两个所述接触单元的所述第一接触结构的数量不同。

4.根据权利要求1所述的漏电检测结构，其特征在于：所述漏电检测结构中还包括至少一所述导电层的沿所述导电层排列方向两侧的侧导电部，所述侧导电部与所述导电层间隔预设距离，所述第一接触结构与所述侧导电部间隔预设距离。

5.根据权利要求4所述的漏电检测结构，其特征在于：所述侧导电部中还设有与所述第一u型部和所述第二u型部一一对应的凸起单元，所述凸起单元的顶端与所述第一u型部和所述第二u型部的底部之间的距离小于所述接触单元与所述第一u型部和所述第二u型部的底部之间的距离。

6.根据权利要求5所述的漏电检测结构，其特征在于：所述凸起单元与所述第一u型部和所述第二u型部的侧臂之间的距离大于所述第一接触结构与u型部和所述第二u型部的侧臂之间的距离。

7.根据权利要求4所述的漏电检测结构，其特征在于：所述第二接触结构与所述侧导电部电连接。

8.根据权利要求1所述的漏电检测结构，其特征在于：所述第一引线结构包括第一引线层及与所述第一引线层电连接的第一焊盘，所述第一引线层电连接所有所述第一接触结构。

9.根据权利要求1所述的漏电检测结构，其特征在于：所述第二引线结构包括第二引线层及与所述第二引线层电连接的第二焊盘，所述第二引线层电连接所有所述第二接触结构。

10.一种接触结构制作工艺的优化方法，其特征在于，包括以下步骤：

技术总结本发明提供一种漏电检测结构及接触结构制作工艺的优化方法，该漏电检测结构包括半导体层、导电层、介电层、接触单元、第二接触结构及第一和二引线结构，其中，至少一导电层位于半导层的上方，导电层包括多个沿第一方向依次交替排列且开口方向相反的第一U型部和第二U型部，相邻两个第一和二U型部共用近邻的侧臂；介电层覆盖导电层显露表面；多个位于相邻两个侧臂之间且包括至少一第一接触结构的接触单元贯穿介电层；第二接触结构贯穿介电层并与电层电连接；第一引线结构与所述第一接触结构电连接；所述第二引线结构与所述第二接触结构电连接。本发明改进导电层与接触单元的分布，便于快速寻到制作接触结构的最佳的工艺条件。技术研发人员：谷东光,杨颖受保护的技术使用者：上海积塔半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29