闪存存储器装置的制作方法

本公开一般涉及包括闪存存储器的装置及其操作方法。

背景技术：

1、闪存存储器是具有可重写入半导体的大容量存储器。它们通常包括存储器单元阵列。闪存存储器可以在多个装置中实现，例如特别是存储卡、计算机、智能电话或车辆。闪存存储器包括可能需要修改或受益于修改的操作程序。

技术实现思路

1、需要或期望具有包括一个或多个闪存存储器的装置，其操作程序可以被修改。

2、本公开提供了克服已知闪存存储器的全部或部分缺点的一个或多个实施例。

3、在至少一个实施例中，提供了一种包括闪存存储器的闪存存储器装置，该闪存存储器包括非易失性存储器单元阵列和易失性存储器。闪存存储器接口布置在闪存存储器的外部。第一通信总线将闪存存储器接口耦合到非易失性存储器单元阵列。第二通信总线将闪存存储器接口耦合到易失性存储器。

4、在一些实施例中，闪存存储器装置包括耦合电路装置，耦合电路装置被配置为将位于闪存存储器装置外部的处理电路装置的输出线耦合到闪存存储器的易失性存储器的存取线。

5、在一些实施例中，耦合电路装置是总线寻址阵列。

6、在一些实施例中，闪存存储器还包括非易失性存储器，其存储用于控制写入/编程控制器的程序或用于设置非易失性存储器单元阵列的参数中的至少一项。写入/编程控制器可被配置为实施存储器数据的编程、擦除和验证。

7、在一些实施例中，闪存存储器装置包括耦合电路装置，该耦合电路装置被配置为将位于闪存存储器装置外部的处理电路装置的输出线耦合到易失性存储器的存取线和非易失性存储器的存取线。

8、在一些实施例中，闪存存储器接口包括写入/读取接口，其被配置为将数据写入闪存存储器的非易失性存储器单元阵列，以及从闪存存储器的非易失性存储器单元阵列读取数据。

9、在一些实施例中，第二通信总线是同步总线。

10、在一些实施例中，闪存存储器包括至少一个寄存器，其存储闪存存储器的配置值或用于设置非易失性存储器单元阵列的参数中的至少一项。

11、在一些实施例中，闪存存储器装置包括耦合电路装置，耦合电路装置被配置为将位于闪存存储器装置外部的处理电路装置的输出线耦合到至少一个寄存器的存取线。

12、在一些实施例中，非易失性存储器单元阵列被配置为将易失性存储器的配置值及程序补丁存储在闪存存储器的存取受保护控制区域中。

13、在一些实施例中，非易失性存储器单元阵列被配置为存储程序补丁，并且闪存存储器接口包括有限状态机，该有限状态机被配置为控制经由第二通信总线从非易失性存储器单元阵列获得程序补丁并将程序补丁传递到易失性存储器。

14、在一些实施例中，闪存存储器接口包括被配置为将虚拟地址转换为物理地址的虚拟地址转换电路装置。

15、在至少一个实施例中，提供了一种使用闪存存储器接口来存取闪存存储器装置中的闪存存储器的方法，闪存存储器设置在闪存存储器外部。闪存存储器包括非易失性存储器单元阵列和易失性存储器。方法包括：经由将闪存存储器接口耦合到非易失性存储器单元阵列的第一通信总线存取存储在非易失性存储器单元阵列中的数据；以及经由将闪存存储器接口耦合到易失性存储器的第二通信总线存取存储在易失性存储器中的数据。

16、在一些实施方案中，方法包括：通过耦合电路装置，将位于闪存存储器装置外部的处理电路装置的输出线耦合到闪存存储器的易失性存储器的存取线。

17、在一些实施方案中，方法包括：在闪存存储器的非易失性存储器中存储用于控制写入/编程控制器的程序或用于设置非易失性存储器单元阵列的参数中的至少一项。

18、在一些实施方案中，方法包括：在非易失性存储器单元阵列中，将易失性存储器的配置值和程序补丁存储在闪存的存取保护控制区域中。

19、在一些实施方案中，方法包括：在非易失性存储器单元阵列中存储程序补丁；以及通过闪存存储器接口的有限状态机控制经由第二通信总线从非易失性存储器单元阵列获得程序补丁并将程序补丁传递到易失性存储器。

20、在至少一个实施例中，提供了一种使用闪存存储器接口来启动闪存存储器装置中的闪存存储器的方法，闪存存储器接口设置在闪存存储器外部。闪存存储器包括非易失性存储器单元阵列和易失性存储器，并且存储器单元阵列被配置为存储易失性存储器的配置值和程序补丁。方法包括：通过闪存存储器接口经由第一通信总线在闪存存储器装置的通电和启动过程之间获得易失性存储器的配置值；以及基于易失性存储器的配置值，经由第二通信总线从闪存存储器获得程序补丁，并将程序补丁加载到闪存的易失性存储器中。

21、在至少一个实施例中，方法包括：通过耦合电路装置，将位于闪存存储器装置外部的处理电路装置的输出线耦合到闪存存储器的易失性存储器的存取线。

22、在至少一个实施例中，方法包括：在闪存存储器的非易失性存储器中存储用于控制写入/编程控制器的程序或用于设置非易失性存储器单元阵列的参数中的至少一项。

技术特征：

1.一种闪存存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，还包括耦合电路装置，所述耦合电路装置被配置为将位于所述闪存存储器装置外部的处理电路装置的输出线耦合到所述闪存存储器的所述易失性存储器的存取线。

3.根据权利要求2所述的闪存存储器装置，其中所述耦合电路装置是总线寻址阵列。

4.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述闪存存储器还包括非易失性存储器，所述非易失性存储器存储用于控制写入/编程控制器的程序或用于设置所述非易失性存储器单元阵列的参数中的至少一项，所述写入/编程控制器被配置为实现存储器数据的编程、擦除和验证。

5.根据权利要求4所述的闪存存储器装置，还包括耦合电路装置，所述耦合电路装置被配置为将位于所述闪存存储器装置外部的处理电路装置的输出线耦合到所述易失性存储器的存取线和所述非易失性存储器的存取线。

6.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述闪存存储器接口包括写入/读取接口，所述写入/读取接口被配置为将数据写入所述闪存存储器的所述非易失性存储器单元阵列，并且从所述闪存存储器的所述非易失性存储器单元阵列读取数据。

7.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述第二通信总线是同步总线。

8.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述闪存存储器还包括至少一个寄存器，所述至少一个寄存器存储所述闪存存储器的配置值或用于设置所述非易失性存储器单元阵列的参数中的至少一项。

9.根据权利要求8所述的闪存存储器装置，还包括耦合电路装置，所述耦合电路装置被配置为将位于所述闪存存储器装置外部的处理电路装置的输出线耦合到所述至少一个寄存器的存取线。

10.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述非易失性存储器单元阵列被配置为将所述易失性存储器的配置值和程序补丁存储在所述闪存存储器的存取保护控制区中。

11.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述非易失性存储器单元阵列被配置为存储程序补丁，并且所述闪存存储器接口包括有限状态机，所述有限状态机被配置为控制经由所述第二通信总线从所述非易失性存储器单元阵列获得所述程序补丁以及将所述程序补丁传递到所述易失性存储器。

12.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述闪存存储器接口包括虚拟地址转换电路装置，所述虚拟地址转换电路装置被配置为将虚拟地址转换为物理地址。

13.一种用于使用闪存存储器接口存取闪存存储器装置中的闪存存储器的方法，所述闪存存储器接口设置在所述闪存存储器外部，所述闪存存储器包括非易失性存储器单元阵列和易失性存储器，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

15.根据权利要求13所述的方法，还包括：

16.根据权利要求13所述的方法，还包括：

17.根据权利要求13所述的方法，还包括：

18.一种使用闪存存储器接口来启动闪存存储器装置中的闪存存储器的方法，所述闪存存储器接口设置在所述闪存存储器外部，所述闪存存储器包括非易失性存储器单元阵列和易失性存储器，其中所述存储器单元阵列被配置为存储所述易失性存储器的配置值和程序补丁，所述方法包括：

19.根据权利要求18所述的方法，还包括：

20.根据权利要求18的方法，还包括：

技术总结本公开涉及闪存存储器装置。闪存存储器装置包括具有非易失性存储器单元阵列的闪存存储器和易失性存储器。闪存存储器接口设置在闪存存储器的外部，并且第一通信总线将闪存存储器接口耦合到存储器单元阵列。第二通信总线将闪存存储器接口耦合到易失性存储器。技术研发人员：J·本哈马迪受保护的技术使用者：意法半导体（ALPS）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/8