编程校验方法、装置、存储芯片及电子设备与流程

本申请涉及存储芯片，具体而言，涉及一种编程校验方法、装置、存储芯片及电子设备。

背景技术：

1、nor flash利用存储单元存储数据，存储单元以阈值电压的大小来区分存储数据1或数据0。

2、存储单元的数据保持能力在使用后期会变差，其主要原因有两个：第一是金属氧化物质经过cycle后对floating gate中电子的锁存能力变差，二是存储单元的隧道氧化层在执行编程操作时出现卡电子现象，即捕获了不稳定的电子，以至于编程校验为基于存储单元内不稳定的电子及实际阈值电压综合获取的阈值电压来进行校验的，不稳定的电子影响了编程校验结果，导致存储单元在编程校验合格后，因为该部分不稳定的电子的释放而引起阈值电压下降的问题，以导致编程后的存储单元出现放置一段时间后出现弱0状态，本申请主要解决第二种情况。

3、针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种编程校验方法、装置、存储芯片及电子设备，以避免存储单元中不稳定的电子对编程校验结果造成影响。

2、第一方面，本申请提供了一种编程校验方法，用于校验存储单元的编程结果，所述方法包括以下步骤：

3、在所述存储单元编程结束后，对所述存储单元的衬底端施加正向电压；

4、基于编程校验电压对所述存储单元进行编程校验。

5、本申请的编程校验方法通过在编程结束和编程校验前，对存储单元的衬底端施加正向电压，使存储单元中隧道氧化层基于在前操作而捕获的不稳定的电子基于电压差而向外释放，可有效避免不稳定电子对编程校验的影响，使得编程校验能准确评价存储单元阈值电压的大小，以使nor flash的数据保持能力表现更佳。

6、所述的编程校验方法，其中，所述正向电压的大小和/或施加时长基于所述存储单元的cycle次数确定。

7、本申请的编程校验方法通过cycle次数来表征或估算存储单元中不稳定电子的存量，以确定合适的正向电压的大小和施加时长，从而确保不稳定电子释放充分，并避免施加时间过长而影响nor flash编程效率，以及避免施加正向电压过小而无法有效引导不稳定电子释放的问题出现。

8、所述的编程校验方法，其中，所述正向电压基于配置信息配置生成，不同的所述配置信息对应有不同的cycle次数区间，所述正向电压的大小和/或施加时长基于所述存储单元的cycle次数所在的cycle次数区间选取对应的配置信息来确定。

9、在本申请中，正向电压为根据cycle次数所在的cycle次数区间进行阶段性更新，即根据存储单元的使用程度分阶段设定合适的大小和/或施加时长的正向电压。

10、所述的编程校验方法，其中，所述正向电压的施加时长为预设值，所述正向电压的大小为基于所述施加时长及所述存储单元的cycle次数确定。

11、所述的编程校验方法，其中，所述正向电压小于或等于8v。

12、所述的编程校验方法，其中，所述编程校验在撤去所述正向电压后进行。

13、第二方面，本申请还提供了一种编程校验装置，用于校验存储单元的编程结果，所述装置包括：

14、放电模块，用于在所述存储单元编程结束后，对所述存储单元的衬底端施加正向电压；

15、校验模块，用于基于编程校验电压对所述存储单元进行编程校验。

16、本申请的编程校验装置通过在编程结束和编程校验前，对存储单元的衬底端施加正向电压，使存储单元中隧道氧化层基于在前操作而捕获的不稳定的电子基于电压差而向外释放，可有效避免不稳定电子对编程校验的影响，使得编程校验能准确评价存储单元阈值电压的大小，以使nor flash的数据保持能力表现更佳。

17、所述的编程校验装置，其中，所述正向电压的大小和/或施加时长基于所述存储单元的cycle次数确定。

18、本申请的编程校验装置通过cycle次数来表征或估算存储单元中不稳定电子的存量，以确定合适的正向电压的大小和施加时长，从而确保不稳定电子释放充分，并避免施加时间过长而影响nor flash编程效率，以及避免施加正向电压过小而无法有效引导不稳定电子释放的问题出现。

19、第三方面，本申请还提供了 一种存储芯片，所述存储芯片包括控制电路和存储阵列，所述存储芯片基于所述控制电路运行如第一方面提供的编程校验方法对存储阵列中的存储单元进行编程校验。

20、第四方面，本申请还提供了一种电子设备，包括如第三方面提供的存储芯片。

21、由上可知，本申请提供的编程校验方法、装置、存储芯片及电子设备，其中，编程校验方法通过在编程结束和编程校验前，对存储单元的衬底端施加正向电压，使存储单元中隧道氧化层基于在前操作而捕获的不稳定的电子基于电压差而向外释放，可有效避免不稳定电子对编程校验的影响，使得编程校验能准确评价存储单元阈值电压的大小，以使norflash的数据保持能力表现更佳。

技术特征：

1.一种编程校验方法，用于校验存储单元的编程结果，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的编程校验方法，其特征在于，所述正向电压的大小和/或施加时长基于所述存储单元的cycle次数确定。

3.根据权利要求2所述的编程校验方法，其特征在于，所述正向电压基于配置信息配置生成，不同的所述配置信息对应有不同的cycle次数区间，所述正向电压的大小和/或施加时长基于所述存储单元的cycle次数所在的cycle次数区间选取对应的配置信息来确定。

4.根据权利要求2所述的编程校验方法，其特征在于，所述正向电压的施加时长为预设值，所述正向电压的大小为基于所述施加时长及所述存储单元的cycle次数确定。

5.根据权利要求1所述的编程校验方法，其特征在于，所述正向电压小于或等于8v。

6.根据权利要求1所述的编程校验方法，其特征在于，所述编程校验在撤去所述正向电压后进行。

7.一种编程校验装置，用于校验存储单元的编程结果，其特征在于，所述装置包括：

8.根据权利要求7所述的编程校验装置，其特征在于，所述正向电压的大小和/或施加时长基于所述存储单元的cycle次数确定。

9.一种存储芯片，其特征在于，所述存储芯片包括控制电路和存储阵列，所述存储芯片基于所述控制电路运行如权利要求1-6任一项所述的编程校验方法对存储阵列中的存储单元进行编程校验。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的存储芯片。

技术总结本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种编程校验方法、装置、存储芯片及电子设备，其中，编程校验方法包括步骤：在存储单元编程结束后，对存储单元的衬底端施加正向电压；基于编程校验电压对存储单元进行编程校验；该编程校验方法通过在编程结束和编程校验前，对存储单元的衬底端施加正向电压，使存储单元中隧道氧化层基于在前操作而捕获的不稳定的电子基于电压差而向外释放，可有效避免不稳定电子对编程校验的影响，使得编程校验能准确评价存储单元阈值电压的大小，以使nor flash的数据保持能力表现更佳。技术研发人员：李文菊,黎永健受保护的技术使用者：上海芯存天下电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/6