存储器中的码字的漂移补偿的制作方法

本公开大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及存储器中的码字的漂移补偿。

背景技术：

1、存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据且可包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)等。非易失性存储器可通过在未供电时保存所存储数据来提供持久数据且可包含nand快闪存储器、nor快闪存储器、只读存储器(rom)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(pcram))、电阻性随机存取存储器(rram)、磁性随机存取存储器(mram)及可编程导电存储器等。

2、存储器装置可用作需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的各种电子应用的易失性及非易失性存储器。非易失性存储器可用于例如个人计算机、便携式记忆棒、固态硬盘(ssd)、数码相机、手机、例如mp3播放器的便携式音乐播放器及电影播放器以及其它电子装置中。

3、存储器装置可包含可基于存储元件(例如电容器)的电荷电平来存储数据或可基于其导电状态来存储数据的存储器单元。此类存储器单元可经编程以通过改变存储元件的电荷电平(例如，电容器的不同电荷电平可表示不同数据状态)或通过改变存储元件的导电电平来存储对应于目标数据状态的数据。例如，电场或能量源(例如正或负电脉冲(例如正或负电压或电流脉冲))可施加到存储器单元(例如单元的存储元件)达特定持续时间以将单元编程到目标数据状态。

4、存储器单元可经编程到若干数据状态中的一者。例如，单电平存储器单元(slc)可经编程到两个不同数据状态中的目标者，数据状态可由二进制单位1或0表示且可取决于单元的电容器带电还是不带电。作为额外实例，一些存储器单元可经编程到多于两个数据状态(例如1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110)中的目标者。此类单元可称为多状态存储器单元、多单位单元或多电平单元(mlc)。mlc可提供更高密度存储器且无需增加存储器单元的数目，因为每一单元可表示多于一个数字(例如多于一个位)。

技术实现思路

1、一方面，本申请案提供一种设备，其包括：存储器装置，其中所述存储器装置包含：存储器单元阵列；及电路系统，其经配置以：感测存储于所述存储器单元阵列中的码字；针对所述感测码字的每一存储器单元确定单元度量的导数值，其中基于以下来确定每一相应存储器单元的所述单元度量的所述导数值：所述相应存储器单元的阈值电压值；所述感测码字的每一存储器单元的阈值电压值的平均值；及与所述码字的所述存储器单元的总量及所述相应存储器单元的所述阈值电压值在所述感测码字的每一存储器单元的所述阈值电压值中的位置成比例的值；确定所述确定导数值从第一极性变为第二极性的所述单元度量；将所述确定单元度量输入到皮尔逊(pearson)检测器；及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的原始编程数据。

2、另一方面，本申请案提供一种方法，其包括：感测存储于存储器装置的存储器单元阵列中的码字；针对所述感测码字的每一存储器单元确定单元度量的导数值，其中基于以下来确定每一相应存储器单元的所述单元度量的所述导数值：所述相应存储器单元的阈值电压值；所述感测码字的每一存储器单元的阈值电压值的平均值；及与所述码字的所述存储器单元的总量及所述相应存储器单元的所述阈值电压值在所述感测码字的每一存储器单元的所述阈值电压值中的位置成比例的值；确定所述确定导数值从负值变为正值的所述单元度量；将所述确定单元度量输入到皮尔逊检测器；及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的原始编程数据。

3、另一方面，本申请案提供一种设备，其包括：存储器装置，其具有存储器单元阵列；及控制器，其经耦合到所述存储器装置且经配置以：针对所述存储器装置中的感测码字的每一存储器单元确定所述感测码字的每一存储器单元的单元度量的导数值，其中基于以下来确定每一相应存储器单元的所述单元度量的所述导数值：所述相应存储器单元的阈值电压值；所述感测码字的每一存储器单元的阈值电压值的平均值；及与所述码字的所述存储器单元的总量及所述相应存储器单元的所述阈值电压值在所述感测码字的每一存储器单元的所述阈值电压值中的位置成比例的值；确定所述确定导数值从第一极性变为第二极性的所述单元度量；及使用所述确定单元度量作为皮尔逊检测器的输入以确定所述感测码字的原始码字。

4、另一方面，本申请案提供一种方法，其包括：由耦合到存储器装置的控制器针对所述存储器装置中的感测码字的每一存储器单元确定所述感测码字的每一存储器单元的单元度量的导数值，其中基于以下来确定每一相应存储器单元的所述单元度量的所述导数值：所述相应存储器单元的阈值电压值；所述感测码字的每一存储器单元的阈值电压值的平均值；及与所述码字的所述存储器单元的总量及所述相应存储器单元的所述阈值电压值在所述感测码字的每一存储器单元的所述阈值电压值中的位置成比例的值；由所述控制器确定所述确定导数值从负值变为正值的所述单元度量；及由所述存储器装置上的皮尔逊检测器使用所述确定单元度量来确定所述感测码字的原始码字。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一极性为负且所述第二极性为正。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述感测码字的每一相应存储器单元的所述单元度量的所述导数值对应于所述相应存储器单元的所述单元度量与其阈值电压值紧接在所述感测码字的每一存储器单元的所述阈值电压值中的所述相应存储器单元的所述阈值电压值之前的存储器单元的所述单元度量之间的差。

4.根据权利要求1所述的设备，其中输入到所述皮尔逊检测器的所述确定单元度量包括所述确定单元度量的所述导数值和所述码字的所述原始编程数据与所述感测码字之间的相关性之间的皮尔逊距离。

5.根据权利要求1所述的设备，其中：

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述电路系统经配置以在所述码字的每一存储器单元的所述感测数据值仅包括第二数据值时将具有第一数据值的数据位加到所述感测码字。

7.一种方法，其包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法包含：

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法包含：

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

11.一种设备，其包括：

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述控制器经配置以：

13.根据权利要求11所述的设备，其中所述控制器经配置以通过执行单个感测操作来针对所述感测码字的每一存储器单元确定所述单元度量的所述导数值。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述控制器经配置以：

15.一种方法，其包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述皮尔逊检测器通过搜索相对于其它码字与所述原始码字具有最低皮尔逊距离的码字来确定所述原始码字。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述方法包含由所述皮尔逊检测器使用权重估计器来确定所述最低皮尔逊距离。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述方法包含将所述确定原始码字编程到所述存储器装置。

19.根据权利要求15所述的方法，其中与所述码字的所述存储器单元的所述总量及所述相应存储器单元的所述阈值电压值在所述感测码字的每一存储器单元的所述阈值电压值中的所述位置成比例的所述值由以下给出：

20.根据权利要求15所述的方法，其中所述方法包含使用查找表(213)来确定与所述码字的所述存储器单元的所述总量及所述相应存储器单元的所述阈值电压值在所述感测码字的每一存储器单元的所述阈值电压值中的所述位置成比例的所述值。

技术总结本公开包含用于存储器中的码字的漂移补偿的设备、方法及系统。实施例包含存储器装置，其具有：存储器单元阵列；及电路系统，其用于：感测存储于所述阵列中的码字；针对所述码字的每一单元基于以下来确定单元度量的导数值：所述相应单元的阈值电压、所述码字的每一单元的阈值电压值的平均值及与所述码字的所述单元的总量及所述相应单元的所述阈值电压值在所述码字的每一单元的所述阈值电压值中的位置成比例的值；确定所述确定导数值从第一极性变为第二极性的所述单元度量；将所述确定单元度量输入到皮尔逊(Pearson)检测器；及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的原始编程数据。技术研发人员：M·斯福尔津,P·阿马托,L·巴莱塔,M·P·费拉里,A·法瓦诺受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4