存储器件及其操作方法与流程

本公开涉及一种存储器件(device)及其操作方法，并且更具体地，涉及一种非易失性存储器件及其操作方法，其中，基于预定标准来控制接地选择线。

背景技术：

1、在半导体器件中，对于提高集成度存在持续的需求，以便增加容量并且降低能耗。

2、为了提供提高的集成度，已经提出了包括三维排列的晶体管的三维半导体存储器件。正在开发用于减小体积以增加三维存储器件的集成度的技术，并且与集成度的增加成比例地需要存储器件的稳定性。

技术实现思路

1、一个或多个示例实施例提供了一种使用接地选择线(编程的gsl，coded-gsl)方案编程的非易失性存储器件，以及该非易失性存储器件的操作方法。

2、根据示例实施例的一方面，一种存储器件包括：分别地与多个字线连接的多个存储器单元；与第一接地选择线连接的、被编程为具有第一阈值电压的多个第一接地选择晶体管；与第二接地选择线连接的、被编程为具有不同于第一阈值电压的第二阈值电压的多个第二接地选择晶体管；以及控制电路，被配置为：基于多个第一接地选择晶体管中的至少一个第一接地选择晶体管中的每个的阈值电压大于预定的第一标准，控制对该至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行擦除操作；和基于完成对至少一个第一接地选择晶体管的擦除操作，控制多个第二接地选择晶体管中的每个的阈值电压与预定的第二标准进行比较。

3、根据示例实施例的另一方面，提供了一种包括存储器块的存储器件的操作方法，存储器块中的每个包括在位线和公共源线之间并联连接的多个单元串。该操作方法包括：将与第一接地选择线连接的多个第一接地选择晶体管编程为具有第一阈值电压；将与第二接地选择线连接的多个第二接地选择晶体管编程为具有不同于第一阈值电压的第二阈值电压；基于多个第一接地选择晶体管中的至少一个第一接地选择晶体管中的每个的阈值电压大于预定的第一标准，对至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行擦除操作；以及基于完成对至少一个第一接地选择晶体管的擦除操作，控制多个第二接地选择晶体管中的每个的阈值电压与预定的第二标准进行比较。

4、根据示例实施例的另一方面，一种存储器件包括：分别地与多个字线连接的多个存储器单元；与第一接地选择线连接的并且被编程为具有第一阈值电压的多个第一接地选择晶体管；与第二接地选择线连接的并且被编程为具有不同于第一阈值电压的第二阈值电压的多个第二接地选择晶体管；以及控制电路，被配置为：基于多个第二接地选择晶体管中的至少一个晶体管的电压区域(region)小于预定的第二标准，控制对包括小于预定的第二标准的区域的多个第二接地选择晶体管中的每个执行擦除操作。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述控制电路还被配置为，基于完成对所述至少一个第一接地选择晶体管中的每个的所述擦除操作，控制对每个包括小于所述预定的第一标准的电压区域的至少一个第一接地选择晶体管执行重写操作。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述控制电路还被配置为基于所述至少一个第一接地选择晶体管中的每个的电压区域小于所述预定的第一标准，控制对所述至少一个第一接地选择晶体管执行所述擦除操作。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述控制电路还被配置为：

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述控制电路还被配置为：

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器件包括三维存储器。

7.一种包括存储器块的存储器件的操作方法，所述存储器块中的每个包括在位线和公共源线之间并联连接的多个单元串，所述操作方法包括：

8.根据权利要求7所述的操作方法，其中，对所述至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行所述擦除操作包括，基于完成对所述至少一个第一接地选择晶体管的所述擦除操作，对每个包括小于所述预定的第一标准的电压区域的至少一个第一接地选择晶体管执行重写操作。

9.根据权利要求7所述的操作方法，其中，对所述至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行所述擦除操作包括，基于所述至少一个第一接地选择晶体管中的每个的电压区域小于所述预定的第一标准，对所述至少一个第一接地选择晶体管执行所述擦除操作。

10.根据权利要求7所述的操作方法，其中，对所述至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行所述擦除操作包括，基于所述多个第二接地选择晶体管中的每个的电压区域小于所述预定的第二标准，对所述多个第二接地选择晶体管执行所述擦除操作。

11.根据权利要求10所述的操作方法，其中，对所述至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行所述擦除操作包括，基于对所述多个第二接地选择晶体管执行所述擦除操作，对完成所述擦除操作的所述多个第二接地选择晶体管执行重写操作。

12.根据权利要求7所述的操作方法，其中，对所述至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行所述擦除操作包括：

13.根据权利要求7所述的操作方法，其中，对所述至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行所述擦除操作包括：

14.一种存储器件，包括：

15.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述控制电路还被配置为，基于对包括小于所述预定的第二标准的所述电压区域的所述多个第二接地选择晶体管中的每个执行的所述擦除操作，控制对已经执行所述擦除操作的所述多个第二接地选择晶体管执行重写操作。

16.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述控制电路还被配置为，基于至少一个第一接地选择晶体管中的每个的电压区域小于预定的第一标准，控制对所述至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行所述擦除操作。

17.根据权利要求16所述的存储器件，其中，所述控制电路还被配置为，基于完成对所述至少一个第一接地选择晶体管的所述擦除操作，控制对包括小于所述预定的第一标准的电压区域的至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行重写操作。

18.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述控制电路还被配置为：

19.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述控制电路还被配置为：

20.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述存储器件包括三维存储器。

技术总结一种存储器件包括：分别地与字线连接的存储器单元；与第一接地选择线连接的、被编程为具有第一阈值电压的第一接地选择晶体管；与第二接地选择线连接的、被编程为具有不同于第一阈值电压的第二阈值电压的第二接地选择晶体管；以及控制电路，被配置为：基于第一接地选择晶体管中的至少一个第一接地选择晶体管中的每个的阈值电压大于预定的第一标准，控制对该至少一个第一接地选择晶体管中的每个执行擦除操作；和基于完成对该至少一个第一接地选择晶体管的擦除操作，控制第二接地选择晶体管中的每个的阈值电压与预定的第二标准进行比较。技术研发人员：崔容赫,金承范受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/18