存储器器件、存储器器件的写入方法及读取方法与流程

本公开涉及一种存储器器件，且更具体来说涉及一种可灵活地为存储器器件的数据引脚配置的读取方法及其写入方法。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random-access memory，dram)芯片被广泛用于许多电子器件中以用于存储信息。在dram器件的封装工艺期间，数据引脚在实体上连接到对应的封装引脚以形成dram封装。当dram芯片数据引脚的配置与对应封装引脚的配置不同时，需要附加的重布线层(redistribution layer，rdl)来将dram芯片数据引脚连接到dram封装对应的封装引脚。然而，附加的重布线层会增加封装的制造成本、功耗及占用空间。

技术实现思路

1、在本公开的一些实施例中，存储器器件包括至少一个存储器存储体、多个数据引脚、数据输入/输出(io)电路、至少一个存储体io电路及多个开关。至少一个存储器存储体包括多个存储单元。多个数据引脚耦接到多个封装引脚，其中多个封装引脚对应于第一位次序且多个数据引脚对应于第二位次序。数据io电路被配置成使用多个数据引脚传送第一数据，其中第一数据以第一位次序进行排列。至少一个存储体io电路被配置成使用至少一个存储器存储体传送第二数据，其中第二数据以第二位次序进行排列。多个开关被配置成对第一数据执行至少一个交换操作以产生第二数据或者对第二数据执行至少一个交换操作以产生第一数据。

2、在本公开的一些实施例中，介绍一种存储器器件的写入方法，其中存储器器件包括耦接到多个封装引脚的多个数据引脚，多个封装引脚对应于第一位次序且多个数据引脚对应于第二位次序。写入方法包括以下步骤：由存储器器件的数据io电路经由多个数据引脚从多个封装引脚接收第一写入数据，其中第一写入数据以第一位次序进行排列；由存储器器件的多个开关对第一写入数据执行至少一个交换操作以产生第二写入数据，其中第二写入数据以第二位次序进行排列；以及由存储器器件的至少一个存储体io电路将第二写入数据写入到存储器器件的至少一个存储器存储体。

3、在本公开的一些实施例中，介绍一种存储器器件的读取方法，其中存储器器件包括耦接到多个封装引脚的多个数据引脚，多个封装引脚对应于第一位次序且多个数据引脚对应于第二位次序。读取方法包括以下步骤：由存储器器件的存储体io电路从存储器器件的至少一个存储器存储体读取第一读取数据，其中第一读取数据以第二位次序进行排列；由存储器器件的多个开关对第一读取数据执行至少一个交换操作以产生第二读取数据，其中第二读取数据以第一位次序进行排列；以及由存储器器件的数据io电路经由多个数据引脚将第二读取数据输出到多个封装引脚。

4、在本公开的实施例中，存储器器件的多个开关被配置成执行至少一个交换操作，以灵活地指配数据引脚的配置(即，位次序)，使得数据引脚与封装引脚的各种配置兼容。以此种方式，在数据引脚与封装引脚之间不需要重布线层，进而使得实现具有小的占用空间、低功耗的存储器器件封装。本公开中的存储器器件适用于广泛的应用。

5、为使本公开的实施例中的一或多者中所提供的以上特征及优点更易于理解，以下结合附图详细阐述若干实施例。

技术特征：

1.一种存储器器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述数据输入/输出电路包括：

4.根据权利要求3所述的存储器器件，还包括：

5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中所述至少一个局部输入/输出电路中的每一者包括：

6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中所述至少一个存储体输入/输出电路中的每一者包括：

7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中所述第五开关被配置成根据所述第五控制信号对所述第六数据执行第五交换操作以产生所述第二数据。

8.一种存储器器件的写入方法，所述存储器器件包括耦接到多个封装引脚的多个数据引脚，其中所述多个封装引脚对应于第一位次序且所述多个数据引脚对应于第二位次序，所述写入方法包括：

9.根据权利要求8所述的写入方法，其中

10.一种存储器器件的读取方法，所述存储器器件包括耦接到多个封装引脚的多个数据引脚，其中所述多个封装引脚对应于第一位次序且所述多个数据引脚对应于第二位次序，所述读取方法包括：

技术总结一种存储器器件、存储器器件的写入方法及读取方法。存储器器件包括至少一个存储器存储体、耦接到多个封装引脚的多个数据引脚、数据输入/输出电路、至少一个存储体输入/输出电路及多个开关。封装引脚对应于第一位次序且数据引脚对应于第二位次序。数据输入/输出电路被配置成使用数据引脚传送第一数据。第一数据以第一位次序进行排列。存储体输入/输出电路被配置成使用存储器存储体传送第二数据。第二数据以第二位次序进行排列。多个开关对第一数据执行至少一个交换操作以产生第二数据或者对第二数据执行至少一个交换操作以产生第一数据。技术研发人员：尹敏浩受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18