供电电路、方法、存储器、存储系统及电子器件与流程

本申请涉及存储器，尤其涉及一种供电电路、方法、存储器、存储系统及电子器件。

背景技术：

1、存储器广泛应用于如计算机、无线通信装置、摄影机、数字显示器等各种电子设备，以存储相关的数据，尤其是动态存取存储器(dram，dynamic random access memory)。存储器(如dram)中存储有数据的存储单元随着时间而丢失或泄漏电荷，而使存储的数据比特被丢失。为了保持存储器(如dram)中数据完整性，存储单元中的电荷需经刷新操作而被恢复。目前，亟需一种解决刷新电流过大问题的方案。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例提供一种供电电路、方法、存储器、存储系统及电子器件，以解决上述的问题。

2、为此，本申请的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本申请实施例提供一种存储器的供电电路，所述存储器包括多个存储库；每一个存储库包括多个存储单元和分别与所述多个存储单元耦接的多个字线；所述供电电路包括：第一供电支路；其中，所述第一供电支路包括：第一金属氧化物半导体mos器件；第一mos器件包含并联的多个单指mos管；所述第一mos器件的一端接入操作电压，另一端分别与所述多个字线连接，其中；

4、所述第一mos器件，被配置为：响应于第一命令，使所述多个单指mos管包含的第一部分的第一单指mos管响应于处于第一状态的第一使能信号被关断，使所述多个单指mos管包含的第二部分的第二单指mos管响应于处于第二状态的第二使能信号被导通，以同时将所述多个字线中第一选中字线的电压拉升至所述操作电压；

5、其中，所述第一命令用于指示对第一数量的存储库同时执行第一操作；所述第一选中字线包括与所述第一数量的存储库包含的存储单元耦接的字线。

6、第二方面，本申请实施例提供一种存储器的供电方法，应用于包含第一供电支路的供电电路；所述第一供电支路包括第一金属氧化物半导体mos器件；所述供电方法包括：

7、接收第一命令；所述第一命令用于指示对所述存储器包含的第一数量的存储库同时执行第一操作；

8、基于所述第一命令，生成处于第一状态的第一使能信号和处于第二状态的第二使能信号；

9、使第一mos器件包含的第一部分的第一单指mos管响应于处于第一状态的第一使能信号被关断，使第一mos器件包含的第二部分的第二单指mos管响应于处于第二状态的第二使能信号被导通，同时将所述存储器中第一选中字线的电压拉升至操作电压；所述第一选中字线包括与所述第一数量的存储库包含的存储单元耦接的字线。

10、第三方面，本申请实施例提供一种存储器，包括：存储阵列，所述存储阵列包括多个存储库；每一个存储库包括多个存储单元和分别与所述多个存储单元耦接的多个字线；

11、以及与所述存储阵列耦接且被配置为控制所述存储阵列的外围电路，其中；

12、所述外围电路包括：上述任一项所述的供电电路。

13、第四方面，本申请实施例还提供一种存储系统，包括：一个或多个存储器；

14、以及与所述存储器耦接且被配置为控制所述存储器的存储器控制器，其中；

15、所述存储器控制器，被配置为：向所述存储器发送第一命令或者第二命令；所述第一命令用于指示对所述存储器包含的第一数量的存储库同时执行第一操作；所述第二命令于指示对所述存储器包含的第二数量的存储单元执行第二操作；

16、所述存储器，被配置为：利用上述任一项所述的供电电路将第一选中字线的电压拉升至操作电压或将第二选中字线的电压拉升至所述操作电压；所述第一选中字线包括与所述第一数量的存储库包含的存储单元耦接的字线；第二选中字线包括与所述第二数量的存储单元耦接的字线。

17、第五方面，本申请实施例提供一种电子器件，包括：

18、一个或多个如上述所述的存储器，被配置为存储数据；以及

19、处理器，其与所述存储器耦接并与所述存储器通信。

20、本申请实施例提供一种存储器的供电电路、方法、存储器、存储系统及电子器件。其中，所述存储器包括多个存储库；每一个存储库包括多个存储单元和分别与所述多个存储单元耦接的多个字线；所述供电电路包括：第一供电支路；其中，所述第一供电支路包括：第一金属氧化物半导体mos器件；第一mos器件包含并联的多个单指mos管；所述第一mos器件的一端接入操作电压，另一端分别与所述多个字线连接，其中；所述第一mos器件，被配置为：响应于第一命令，使所述多个单指mos管包含的第一部分的第一单指mos管响应于处于第一状态的第一使能信号被关断，使所述多个单指mos管包含的第二部分的第二单指mos管响应于处于第二状态的第二使能信号被导通，以同时将所述多个字线中第一选中字线的电压拉升至所述操作电压；其中，所述第一命令用于指示对第一数量的存储库同时执行第一操作；所述第一选中字线包括与所述第一数量的存储库包含的存储单元耦接的字线。本申请实施例提供的供电电路，将第一供电支路包含的第一mos器件的第一部分的单指mos管和第二部分的单指mos管分别采用处于第一状态的第一使能信号和处于第二状态的第二使能信号控制其关断或导通，以同时将相应的第一选中字线的电压拉升至操作电压，使得同时对第一数量的存储块执行第一操作。这样，通过关断一部分的单指mos管，使得第一mos器件中并联的单指mos管数量减少，增加了第一mos器件的阻抗，从而在对多个存储库同时执行第一操作时降低了流过第一mos器件的电流。

技术特征：

1.一种存储器的供电电路，其特征在于，所述存储器包括多个存储库；每一个存储库包括多个存储单元和与所述多个存储单元耦接的多个字线；所述供电电路包括：第一供电支路；其中，

2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述第一mos器件，还被配置为：响应于第二命令，使所述第一部分的第一单指mos管响应于处于第二状态的第一使能信号被导通，使所述第二部分的第二单指mos管仍响应于处于第二状态的所述第二使能信号被导通，以同时将所述多个字线中第二选中字线的电压拉升至所述操作电压；

3.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述第一使能信号是所述第二使能信号与基于第一命令生成的第三使能信号进行逻辑运算之后的信号。

4.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述第一单指mos管，被配置为：包含串联的第一mos管和第二mos管，其中；

5.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述第一供电支路，还包括：串接在所述第一mos器件的另一端与地之间的第二mos器件和第三mos器件，其中；

6.根据权利要求5所述的供电电路，其特征在于，所述第二mos器件，被配置为：响应于处于第一状态的所述第二使能信号被导通；

7.根据权利要求5所述的供电电路，其特征在于，所述供电电路，还包括：至少一条第二供电支路，其中，所述第二供电支路与所述第一供电支路结构相同。

8.根据权利要求5所述的供电电路，其特征在于，所述供电电路，还包括：至少一条第二供电支路，其中，所述第二供电支路包含与所述第一供电支路连接方式相同的第一mos器件和第二mos器件；所述第二供电支路与所述第一供电支路共用第三mos器件。

9.根据权利要求5所述的供电电路，其特征在于，所述第一mos器件与所述第二mos器件、第三mos器件的类型不同。

10.根据权利要求9所述的供电电路，其特征在于，所述第一mos器件为pmos；所述第二mos器件和所述第三mos器件为nmos。

11.一种存储器的供电方法，其特征在于，应用于包含第一供电支路的供电电路；所述第一供电支路包括第一金属氧化物半导体mos器件；所述供电方法包括：

12.根据权利要求11所述的供电方法，其特征在于，所述方法还包括：

13.一种存储器，其特征在于，包括：存储阵列，所述存储阵列包括多个存储库；每一个存储库包括多个存储单元和分别与所述多个存储单元耦接的多个字线；

14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述外围电路，还包括：控制逻辑单元，被配置为：响应于指示对第一数量的存储库同时执行第一操作的第一命令，生成处于第一状态的第一使能信号及生成处于第二状态的第二使能信号；向所述供电电路包含的第一单指mos管施加处于所述第一状态的所述第一使能信号；向所述供电电路包含的第二单指mos管施加处于所述第二状态的所述第一使能信号；

15.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述外围电路，还包括：控制逻辑单元，被配置为：响应于指示对所述多个存储单元中第二数量的第一存储单元执行第二操作的第二命令，生成处于第二状态的第一使能信号；以及生成处于第二状态的第二使能信号；向所述供电电路包含的第一单指mos管施加处于所述第二状态的所述第一使能信号；向所述供电电路包含的第二单指mos管施加处于所述第二状态的所述第一使能信号；

16.一种存储系统，其特征在于，包括：一个或多个存储器；

17.一种电子器件，其特征在于，包括：

18.根据权利要求17所述电子器件，其特征在于，所述处理器和所述存储器集成在同一印制电路板上。

19.根据权利要求17所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件还包括存储器控制器，所述存储器控制器与所述存储器耦接且与所述处理器耦接，所述处理器通过所述存储器控制器与所述存储器通信，其中，所述处理器与所述存储器控制器集成在同一管芯；所述管芯和所述存储器集成在同一印制电路板上。

技术总结本申请公开一种供电电路、方法、存储器、存储系统及电子器件。其中，所述供电电路包括：第一供电支路；其中，所述第一供电支路包括：第一金属氧化物半导体MOS器件；第一MOS器件包含并联的多个单指MOS管；所述第一MOS器件的一端接入操作电压，另一端分别与所述多个字线连接，其中；所述第一MOS器件，被配置为：响应于第一命令，使所述多个单指MOS管包含的第一部分的第一单指MOS管响应于处于第一状态的第一使能信号被关断，使所述多个单指MOS管包含的第二部分的第二单指MOS管响应于处于第二状态的第二使能信号被导通，以同时将所述多个字线中第一选中字线的电压拉升至所述操作电压。技术研发人员：李丹阳,王瑜,杜智超受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18