半导体结构及其制备方法与流程

本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术：

1、动态随机存储器(dynamic random access memory，简称dram)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。

2、动态随机存储器由多个存储单元，每个存储单元通常包括电容结构和晶体管；晶体管的栅极与字线连接，电容结构通常通过存储接触结构((stock nodecontact，简称snc)与源极和漏极中之一连接。

3、然而，相关技术中存储接触结构易出现断裂，降低存储接触结构的良率，进而降低半导体结构的良率。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，用于提高存储接触结构的良率，进而提高半导体结构的良率。

2、本公开实施例的第一方面提供一种半导体结构的制备方法，其包括如下步骤：

3、提供基底，在所述基底上形成沿第一方向间隔排布的多条位线结构；

4、在每相邻的所述位线结构之间形成沿第二方向间隔排布的多个第一接触孔以及用于分隔各个所述第一接触孔的隔离结构，所述第二方向与所述第一方向相交；

5、在所述第一接触孔内形成低于所述位线结构的第一接触焊盘；

6、形成第二接触焊盘，所述第二接触焊盘位于所述第一接触焊盘的顶面以及暴露在所述第一接触孔内的其中一个所述位线结构的侧面和顶面。

7、在一些实施例中，形成第一接触焊盘的步骤之后，形成第二接触焊盘的步骤之前，所述制备方法还包括：

8、去除暴露在所述第一接触孔内的部分位线结构，对所述第一接触孔进行扩孔处理，以形成第二接触孔。

9、在一些实施例中，所述位线结构包括位线以及覆盖所述位线侧壁的隔离侧墙；所述隔离侧墙包括层叠设置的第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层，所述第一隔离层与所述位线的侧壁连接；

10、去除暴露在所述第一接触孔内的部分位线结构的步骤包括：去除暴露在所述第一接触孔内的所述第二隔离层和所述第三隔离层，以形成第二接触孔。

11、在一些实施例中，在所述第一接触焊盘上形成延伸至所述位线结构顶面和侧面的所述第二接触焊盘的步骤包括：

12、形成第一导电层，所述第一导电层填充满位于所述第一接触焊盘上方的所述第一接触孔，并覆盖在所述位线结构的顶面；

13、去除部分所述第一导电层，以形成第二接触焊盘，所述第二接触焊盘位于所述第一接触焊盘的顶面以及暴露在所述第一接触孔内的其中一个所述位线结构的侧面和顶面，所述第二接触焊盘和所述第一接触焊盘构成接触焊盘。

14、在一些实施例中，形成第一接触焊盘的步骤包括：

15、形成阻挡层，所述阻挡层覆盖在所述第一接触孔的底壁和部分侧壁上；

16、形成第二导电层，所述第二导电层填充满所述阻挡层所围成的区域。

17、在一些实施例中，形成第一接触焊盘的步骤包括：

18、在所述第一接触孔的内壁上形成阻挡材料层，所述阻挡材料层延伸至所述第一接触孔外，并覆盖在所述位线结构的顶面上；

19、在所述阻挡材料层上形成第二导电材料层；

20、采用化学机械研磨工艺去除位于所述位线结构上的所述第二导电材料层和所述阻挡材料层；

21、采用刻蚀工艺去除位于所述第一接触孔内的部分所述第二导电材料层和部分所述阻挡材料层，以形成第一接触焊盘。

22、在一些实施例中，所述阻挡材料层包括第一阻挡材料层和第二阻挡材料层；所述第一阻挡材料层设置在所述第一接触孔的内壁上，所述第二阻挡材料层设置在所述第一阻挡材料层上。

23、在一些实施例中，所述刻蚀工艺包括湿法刻蚀工艺。

24、在一些实施例中，去除部分所述第一导电层的步骤包括：

25、去除暴露在同一所述第一接触孔中另一个位线结构的部分。

26、本公开实施例第二方面提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：

27、基底；所述基底上具有多条位线结构，多条所述位线结构沿第一方向间隔排布；

28、多个隔离结构，多个所述隔离结构沿第二方向间隔设置在任意相邻的所述位线结构之间，相邻的所述隔离结构与所述位线结构围成第一接触孔；

29、第一接触焊盘，所述第一接触焊盘设置在所述第一接触孔内，且所述第一接触孔的顶面低于所述位线结构；

30、第二接触焊盘，所述第二接触焊盘位于所述第一接触焊盘的顶面以及暴露在所述第一接触孔内的其中一个所述位线结构的侧面和顶面。

31、在一些实施例中，所述第二接触焊盘包括顺次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段设置在所述第一接触孔的底部，所述第二段设置在所述位线结构的侧面上，所述第三段与所述第二段连接，并位于所述位线结构的顶面上；

32、所述位线结构与所述第二段相对位置的尺寸，小于所述位线结构与所述第一段相对位置的尺寸。

33、在一些实施例中，所述第一接触焊盘包括阻挡层和第二导电层；

34、所述阻挡层设置在所述存储接触插塞上，所述第二导电层设置在所述阻挡层所围成的区域内。

35、在一些实施例中，所述阻挡层包括层叠设置的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层设置在所述存储接触插塞上；

36、所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的材质不同。

37、在一些实施例中，以垂直于所述基底的截面，所述第一段的截面面积大于所述第一接触焊盘的截面面积。

38、在一些实施例中，所述位线结构包括位线以及覆盖所述位线侧壁的隔离侧墙；所述隔离侧墙包括层叠设置的第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层，所述第一隔离层与所述位线的侧壁连接。

39、本公开实施例所提供的半导体结构及其制备方法中，通过先在第一接触孔内形成第一接触焊盘，第一接触焊盘的顶面低于位线结构顶面，第一接触焊盘仅覆盖第一接触孔的底壁和部分的侧壁。与相关技术中，第一接触焊盘覆盖第一接触孔的全部侧壁相比，可以增加后续形成第二接触焊盘的空间，进而，防止第二接触焊盘断开，提高了第二接触焊盘的良率，进而提高了半导体结构的良率。

40、除了上面所描述的本公开实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本公开实施例提供的半导体结构及其制备方法所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。

技术特征：

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成第一接触焊盘的步骤之后，形成第二接触焊盘的步骤之前，所述制备方法还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述位线结构包括位线以及覆盖所述位线侧壁的隔离侧墙；所述隔离侧墙包括层叠设置的第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层，所述第一隔离层与所述位线的侧壁连接；

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一接触焊盘上形成延伸至所述位线结构顶面和侧面的所述第二接触焊盘的步骤包括：

5.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成第一接触焊盘的步骤包括：

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成第一接触焊盘的步骤包括：

7.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡材料层包括第一阻挡材料层和第二阻挡材料层；所述第一阻挡材料层设置在所述第一接触孔的内壁上，所述第二阻挡材料层设置在所述第一阻挡材料层上。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀工艺包括湿法刻蚀工艺。

9.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除部分所述第一导电层的步骤包括：

10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二接触焊盘包括顺次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段设置在所述第一接触孔的底部，所述第二段设置在所述位线结构的侧面上，所述第三段与所述第二段连接，并位于所述位线结构的顶面上；

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触焊盘包括阻挡层和第二导电层；

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层包括层叠设置的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层设置在所述存储接触插塞上；

14.根据权利要求11-13任一项所述的半导体结构，其特征在于，以垂直于所述基底的截面，所述第一段的截面面积大于所述第一接触焊盘的截面面积。

15.根据权利要求10-13任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述位线结构包括位线以及覆盖所述位线侧壁的隔离侧墙；所述隔离侧墙包括层叠设置的第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层，所述第一隔离层与所述位线的侧壁连接。

技术总结本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括提供基底，基底上具有沿第一方向间隔排布的多条位线结构；在每相邻的位线结构之间形成沿第二方向间隔排布的第一接触孔以及分隔各个第一接触孔的隔离结构；在第一接触孔内形成低于位线结构的第一接触焊盘；形成第二接触焊盘，第二接触焊盘位于第一接触焊盘的顶面以及暴露在第一接触孔内的其中一个位线结构的侧面和顶面的第二接触焊盘。本公开用于提高第二接触焊盘的良率。技术研发人员：曹新满受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18