半导体封装结构的制作方法

本技术涉及半导体，特别涉及一种半导体封装结构。

背景技术：

1、声表滤波器工作原理是声波在芯片表面传输，故针对声表滤波器的封装必须要保证叉指换能器表面不能接触其他物质，即需保证其芯片表面是空腔结构。否则影响信号传输。对于晶圆级封装(wlp)来说，现有产品多为通过rdl(再布线)工艺在芯片表面预制空腔，但是此工艺具有成本高，制程参数控制困难及空腔塌陷的问题；而对于芯片级封装(csp)来说，现有产品多为通过封装芯片表面覆膜工艺阻挡emc(环氧塑封料)的填充性完成局部空腔的形成，但是此工艺具有工艺参数范围窄，可靠性偏低的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种半导体封装结构，以降低成本和提高可靠性。

2、为了实现上述目的以及其他相关目的，本实用新型提供了一种半导体封装结构包括：

3、基板，其正面设置有凹槽，且所述凹槽的底部设置有若干个第一金属焊盘；

4、滤波器芯片，其正面设置有若干个第一金属结构，所述滤波器芯片固定在所述凹槽的底部，所述第一金属结构连接至所述第一金属焊盘且与所述滤波器芯片的正面、所述凹槽的底部之间形成第一空腔，所述滤波器芯片的正面低于所述凹槽的顶部，使得所述滤波器芯片的侧面与所述凹槽的侧面之间形成间隙；

5、隔离保护结构，位于所述滤波器芯片的侧面与所述凹槽的侧面之间的间隙中，以隔离保护所述第一空腔；

6、塑封层，位于所述基板的正面上，且至少覆盖所述隔离保护结构，所述隔离保护结构将所述塑封层隔离在所述第一空腔外。

7、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述隔离保护结构还位于所述滤波器芯片的背面边缘上并延伸至所述滤波器芯片的侧面与所述凹槽的侧面之间的间隙中。

8、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述隔离保护结构还位于所述滤波器芯片的全部背面上并延伸至所述滤波器芯片的侧面与所述凹槽的侧面之间的间隙中。

9、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述滤波器芯片的正面低于所述凹槽的顶部的距离≤50μm。

10、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述滤波器芯片的侧面与所述凹槽的侧面之间的间隙的宽度≤50μm。

11、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述基板的正面还设置有若干个第二金属焊盘，所述半导体封装结构还包括非滤波器芯片，所述非滤波器芯片的正面设置有若干个第二金属结构，所述非滤波器芯片固定在所述基板上，所述第二金属结构与所述第二金属焊盘连接且与所述非滤波器芯片的正面、所述基板的正面之间形成第二空腔。

12、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述塑封层还覆盖在所述非滤波器芯片上，且填充所述第二空腔。

13、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述基板的正面还设置有阻焊层，且在设置有凹槽和第二金属焊盘的区域之外的基板的正面设置所述阻焊层。

14、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述基板为多层结构。

15、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述基板内沿着所述基板的正面指向所述基板的背面的方向依次设置有第一层金属层、第二层金属层和第三层金属层，所述第二层金属层或者第三金属层作为所述第一金属焊盘。

16、与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下有益效果：

17、在本实用新型提供的半导体封装结构中，在基板上形成凹槽，滤波器芯片固定在凹槽中，滤波器芯片的第一金属结构与凹槽中的第一金属焊盘连接，可以减小封装尺寸。而且滤波器芯片的正面低于凹槽的顶部，使得滤波器芯片的侧面与凹槽的侧面之间形成间隙，隔离保护结构可以位于该间隙中，可以避免滤波器芯片下方的空腔(即第一空腔)塌陷的问题以及降低第一空腔被填充的风险，同时还可以降低成本，提高可靠性。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述隔离保护结构还位于所述滤波器芯片的背面边缘上并延伸至所述滤波器芯片的侧面与所述凹槽的侧面之间的间隙中。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述隔离保护结构还位于所述滤波器芯片的全部背面上并延伸至所述滤波器芯片的侧面与所述凹槽的侧面之间的间隙中。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述滤波器芯片的正面低于所述凹槽的顶部的距离≤50μm。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述滤波器芯片的侧面与所述凹槽的侧面之间的间隙的宽度≤50μm。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板的正面还设置有若干个第二金属焊盘，所述半导体封装结构还包括非滤波器芯片，所述非滤波器芯片的正面设置有若干个第二金属结构，所述非滤波器芯片固定在所述基板上，所述第二金属结构与所述第二金属焊盘连接且与所述非滤波器芯片的正面、所述基板的正面之间形成第二空腔。

7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述塑封层还覆盖在所述非滤波器芯片上，且填充所述第二空腔。

8.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板的正面还设置有阻焊层，且在设置有凹槽和第二金属焊盘的区域之外的基板的正面设置所述阻焊层。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板为多层结构。

10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板内沿着所述基板的正面指向所述基板的背面的方向依次设置有第一层金属层、第二层金属层和第三层金属层，所述第二层金属层或者第三金属层作为所述第一金属焊盘。

技术总结本技术提供了一种半导体封装结构，包括：基板，其正面设置有凹槽，且凹槽的底部设置有若干个第一金属焊盘；滤波器芯片，其正面上设置有若干个第一金属结构，滤波器芯片固定在凹槽的底部，第一金属结构连接至第一金属焊盘且与滤波器芯片的正面、凹槽的底部之间形成第一空腔，滤波器芯片的正面低于凹槽的顶部，使得滤波器芯片的侧面与凹槽的侧面之间形成间隙；隔离保护结构，位于滤波器芯片的侧面与所述凹槽的侧面之间的间隙中，以隔离保护第一空腔；塑封层，位于基板的正面上，且至少覆盖隔离保护结构，隔离保护结构将塑封层隔离在第一空腔外。本技术提供的半导体封装结构可以降低成本和提高可靠性。技术研发人员：王跃海受保护的技术使用者：唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司技术研发日：20231103技术公布日：2024/7/29