一种用于单晶炉底部保温的结构的制作方法

本技术属于单晶炉保温，尤其是涉及一种用于单晶炉底部保温的结构。

背景技术：

1、直拉单晶炉系统一般由加热器、保温筒、石墨电极、石墨托碗和石墨托杆组成。现有技术中，为了减少保温筒的热量损失，一般会在保温筒底部设置石墨软毡或固毡。受现有石墨软毡或固毡的结构特征影响，其保温性能较差，容易在长时间加热后粉化，丧失保温效果，此时需要技术人员及时更换，这会导致硅晶的生产成本提高且生产效率低下。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种用于单晶炉底部保温的结构，用于提高单晶炉内保温筒底部保温结构的保温性能。

2、为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种用于单晶炉底部保温的结构，包括保温体，所述保温体设置有多个适应于预设单晶炉底部热场结构的通管；所述保温体内开设有空腔，所述空腔内填充有惰性气体。

4、通过上述技术方案，本实用新型结构采用惰性气体为单晶炉底部热场结构保温，由于惰性气体的导热系数远低于现有石墨软毡或保温体材质的导热系数，能够有效绝热，故本实用新型结构的保温性能更好。

5、优选的，所述通管包括中轴接入管和多个电极接入管，所述中轴接入管竖向设置于所述保温体的中心，多个所述电极接入管适应于预设单晶炉的石墨电极设置。

6、通过上述技术方案，保温体上设置的中轴接入管和电极接入管均用于穿设预设单晶炉底部的热场结构(例如石墨电极、中轴等)，以实现保温体的定位。

7、优选的，所述保温体竖向开设有连通预设导气筒的导体筒孔，所述导体筒孔连通所述空腔。

8、通过上述技术方案，在单晶炉运行过程中，可以采用导气筒将惰性气体通过导体筒孔填充或补充至空腔内，提高保温体的保温效果。

9、优选的，所述导体筒孔设置有多个，多个所述导体筒孔均匀且间隔设置。

10、通过上述技术方案，开设多个均匀且间隔设置的导体筒孔，有利于均匀且快速地将惰性气体充入腔体内。

11、优选的，所述保温体的包络体呈圆饼状。

12、通过上述技术方案，保温体的包络体呈圆饼状，能够保证保温体受热均匀，降低保温体因局部受热而损坏的可能性。

13、优选的，所述惰性气体为氩气。

14、通过上述技术方案，氩气具有较低的导热系数，在众多惰性气体中，具有较好的保温效果。

15、优选的，所述保温体由碳/碳材质构成。

16、通过上述技术方案，采用碳/碳材质制成的保温体，能够降低保温体因长时间受热而粉化的可能性，有利于延长本实用新型结构的使用寿命。

17、优选的，所述空腔相对于所述通管密封。

18、优选的，所述保温体的外径范围为1450mm-1550mm，厚度为230mm-250mm。

19、本实用新型的有益效果是：

20、相较于现有技术，本实用新型的保温体整体由碳/碳材质构成，保温体的内部开设有空腔，形成双层保温结构，并且空腔内填充有氩气，具有更好的保温效果及更长的使用寿命。

技术特征：

1.一种用于单晶炉底部保温的结构，其特征在于，包括保温体(1)，所述保温体(1)设置有多个适应于预设单晶炉底部热场结构的通管；所述保温体(1)内开设有空腔(11)，所述空腔(11)内填充有惰性气体。

2.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉底部保温的结构，其特征在于，所述通管包括中轴接入管(12)和多个电极接入管(13)，所述中轴接入管(12)竖向设置于所述保温体(1)的中心，多个所述电极接入管(13)适应于预设单晶炉的石墨电极设置。

3.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉底部保温的结构，其特征在于，所述保温体(1)竖向开设有连通预设导气筒的导体筒孔(14)，所述导体筒孔(14)连通所述空腔(11)。

4.根据权利要求3所述的一种用于单晶炉底部保温的结构，其特征在于，所述导体筒孔(14)设置有多个，多个所述导体筒孔(14)均匀且间隔设置。

5.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉底部保温的结构，其特征在于，所述保温体(1)的包络体呈圆饼状。

6.根据权利要求5所述的一种用于单晶炉底部保温的结构，其特征在于，所述保温体(1)的外径范围为1450mm-1550mm，厚度为230mm-250mm。

7.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉底部保温的结构，其特征在于，所述惰性气体为氩气。

8.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉底部保温的结构，其特征在于，所述保温体(1)由碳/碳材质构成。

9.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉底部保温的结构，其特征在于，所述空腔(11)相对于所述通管密封。

技术总结本技术涉及单晶炉保温技术领域，公开了一种用于单晶炉底部保温的结构，包括保温体，所述保温体设置有多个适应于预设单晶炉底部热场结构的通管；所述保温体内开设有空腔，所述空腔内填充有惰性气体。相较于现有技术，本技术的保温体整体由碳/碳材质构成，保温体的内部开设有空腔，形成双层保温结构，并且空腔内填充有氩气，具有更好的保温效果及更长的使用寿命。技术研发人员：马建强,马腾飞,汪奇,罗臻受保护的技术使用者：青海高景太阳能科技有限公司技术研发日：20240123技术公布日：2024/9/17