晶圆背面制程异常处理方法和重加工晶圆与流程

本发明涉及晶圆加工，具体而言，涉及一种晶圆背面制程异常处理方法和重加工晶圆。

背景技术：

1、mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)、功率器件等涉及到超薄晶圆背面制程。超薄晶圆由于厚度超薄，很容易碎裂，制程几乎不可逆，重新制程难度大。因此现有晶圆加工工艺中，一旦发生背面制程异常，没有完整的补救方案，不能返工，几乎都会选择报废。

技术实现思路

1、本发明的目的包括，例如，提供了一种晶圆背面制程异常处理方法和重加工晶圆，其能够对背面制程异常的晶圆进行重新加工，减少晶圆的报废率，节约生产成本。

2、本发明的实施例可以这样实现：

3、第一方面，本发明提供一种晶圆背面制程异常处理方法，包括：

4、在制程异常的晶圆的正面贴膜；

5、去除晶圆背面的异常层以形成背面重加工的初始层；

6、在所述初始层上依次进行离子注入、退火和表面金属化。

7、在可选的实施方式中，所述在制程异常的晶圆的正面贴膜的步骤中：

8、提供吸附晶圆的载台；其中，所述载台包括本体和设于所述本体上的凸台；所述本体和所述凸台上分别设有真空吸附孔；

9、在所述载台上放置制程异常的晶圆；其中，所述晶圆背面形成凹槽的一侧朝向所述凸台；所述凹槽的槽底位于所述凸台上，所述凹槽的周壁置于所述本体上；

10、在所述晶圆远离所述凸台的一面贴胶膜。

11、在可选的实施方式中，所述凸台表面设有保护膜。

12、在可选的实施方式中，所述凸台的外周面和所述凹槽的周壁之间有0.1mm至1mm的间隙。

13、在可选的实施方式中，所述去除晶圆背面的异常层以形成背面重加工的初始层的步骤包括：

14、若异常层包括金属层，则采用先蚀刻再研磨的方式去除所述异常层；

15、若异常层不包括金属层，则采用先蚀刻再研磨的方式去除所述异常层；或者，直接采用研磨方式去除所述异常层。

16、在可选的实施方式中，若离子注入工艺异常，则：在晶圆的正面贴膜后，翻转所述晶圆；蚀刻去除预设厚度的离子注入层；研磨去除剩余厚度的离子注入层，形成重加工的初始层；

17、或者，在晶圆的正面贴膜后，翻转所述晶圆；研磨去除所述离子注入层，形成重加工的初始层。

18、在可选的实施方式中，若退火工艺异常，则：在晶圆的正面贴膜后，翻转所述晶圆；蚀刻去除预设厚度的退火层，研磨去除剩余厚度的退火层和离子注入层，形成重加工的初始层；或者，蚀刻去除退火层，研磨去除离子注入层，形成重加工的初始层；或者，蚀刻去除退火层和预设厚度的离子注入层，研磨去除剩余厚度的离子注入层，形成重加工的初始层；

19、或者，在晶圆的正面贴膜后，翻转所述晶圆；研磨去除所述退火层和离子注入层，形成重加工的初始层。

20、在可选的实施方式中，若表面金属化工艺异常，则：在晶圆的正面贴膜后，翻转所述晶圆；蚀刻去除金属层和预设厚度的退火层，研磨去除剩余厚度的退火层和离子注入层，形成重加工的初始层；或者，蚀刻去除金属层，研磨去除退火层和离子注入层，形成重加工的初始层。

21、在可选的实施方式中，所述在所述初始层上依次进行离子注入、退火和表面金属化的步骤之前，所述晶圆背面制程异常处理方法还包括：

22、对所述初始层进行粗化处理。

23、第二方面，本发明提供一种背面制程异常的重加工晶圆，采用如前述实施方式中任一项所述的晶圆背面制程异常处理方法制备而成。

24、本发明实施例的有益效果包括，例如：

25、本发明实施例提供的一种晶圆背面制程异常处理方法和重加工晶圆，可以对制程异常的晶圆进行重新加工，挽救异常制程的晶圆，降低晶圆的报废率。具体的，可先在晶圆的正面贴膜进行保护，再对背面的异常层进行去除，直至露出晶圆背面可加工的初始层。再在初始层上进行重新加工，以获得重新加工后的晶圆。这样，可以降低晶圆的报废率，节约生产成本。

技术特征：

1.一种晶圆背面制程异常处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆背面制程异常处理方法，其特征在于，所述在制程异常的晶圆的正面贴膜的步骤中：

3.根据权利要求2所述的晶圆背面制程异常处理方法，其特征在于，所述凸台表面设有保护膜。

4.根据权利要求2所述的晶圆背面制程异常处理方法，其特征在于，所述凸台的外周面和所述凹槽的周壁之间有0.1mm至1mm的间隙。

5.根据权利要求1所述的晶圆背面制程异常处理方法，其特征在于，所述去除晶圆背面的异常层以形成背面重加工的初始层的步骤包括：

6.根据权利要求1所述的晶圆背面制程异常处理方法，其特征在于，若离子注入工艺异常，则：在晶圆的正面贴膜后，翻转所述晶圆；蚀刻去除预设厚度的离子注入层；研磨去除剩余厚度的离子注入层，形成重加工的初始层；

7.根据权利要求1所述的晶圆背面制程异常处理方法，其特征在于，若退火工艺异常，则：在晶圆的正面贴膜后，翻转所述晶圆；蚀刻去除预设厚度的退火层，研磨去除剩余厚度的退火层和离子注入层，形成重加工的初始层；或者，蚀刻去除退火层，研磨去除离子注入层，形成重加工的初始层；或者，蚀刻去除退火层和预设厚度的离子注入层，研磨去除剩余厚度的离子注入层，形成重加工的初始层；

8.根据权利要求1所述的晶圆背面制程异常处理方法，其特征在于，若表面金属化工艺异常，则：在晶圆的正面贴膜后，翻转所述晶圆；蚀刻去除金属层和预设厚度的退火层，研磨去除剩余厚度的退火层和离子注入层，形成重加工的初始层；或者，蚀刻去除金属层，研磨去除退火层和离子注入层，形成重加工的初始层。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的晶圆背面制程异常处理方法，其特征在于，所述在所述初始层上依次进行离子注入、退火和表面金属化的步骤之前，所述晶圆背面制程异常处理方法还包括：

10.一种重加工晶圆，其特征在于，采用如权利要求1至9中任一项所述的晶圆背面制程异常处理方法制备而成。

技术总结本申请提供了一种晶圆背面制程异常处理方法和重加工晶圆，涉及晶圆加工技术领域。该晶圆背面制程异常处理方法包括在制程异常的晶圆的正面贴膜。去除晶圆背面的异常层以形成背面重加工的初始层；在初始层上依次进行离子注入、退火和表面金属化。该方法可以减少晶圆的报废率，节约成本。技术研发人员：冯正林,孟繁新,封明辉,岳兰受保护的技术使用者：成都高投芯未半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/29