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晶圆接合的补偿方法与流程

  • 国知局
  • 2024-10-09 14:34:53

本公开是关于一种晶圆接合的补偿方法。

背景技术:

1、随着半导体工业的发展,晶圆级封装(wafer level packaging;wlp)工艺不断的进步。为了增加元件密度,三维集成电路(3dics)亦随之发展,其中两个芯片(或集成电路)被接合在一起并产生电连接。然而,此等新形态的接合技术将会面临工艺上的挑战,例如晶圆翘曲(warpage),且可能导致工艺上的覆盖误差(overlay error)。因此,需要一种补偿方法来解决上述问题。

技术实现思路

1、本公开的部分实施例提供一种晶圆接合的补偿方法,包括接合第一晶圆和一第二晶圆,其中第一晶圆具有第一导电垫片和第二导电垫片,第二晶圆具有第三导电垫片和第四导电垫片;对第一晶圆和第二晶圆执行第一覆盖检查,第一覆盖检查包括确认第一导电垫片是否接触第三导电垫片,以及确认第二导电垫片是否接触第四导电垫片;确认第一覆盖检查的结果是否合乎第一预定标准;若第一覆盖检查的结果不合乎第一预定标准,执行第一补偿方法以形成补偿的第一晶圆和补偿的第二晶圆,第一补偿方法包括定义补偿的第一晶圆的第一导电垫片的位置和第二导电垫片的位置,以及定义补偿的第二晶圆的第三导电垫片的位置和第四导电垫片的位置,其中补偿的第一晶圆的第一导电垫片的位置不同于第一晶圆的第一导电垫片的位置,且补偿的第一晶圆的第二导电垫片的位置不同于第一晶圆的第二导电垫片的位置;以及接合补偿的第一晶圆和补偿的第二晶圆。

2、在部分实施例中,第一覆盖检查的结果不合乎第一预定标准包括第一晶圆的第一导电垫片和第二晶圆的第三导电垫片的一接触面积小于第一预定值或第一晶圆的第二导电垫片和第二晶圆的第四导电垫片的一接触面积小于第二预定值。

3、在部分实施例中,方法还包括在执行第一补偿方法之前,执行第二补偿方法,第二补偿方法包括分离第一晶圆和第二晶圆;调整第一晶圆和第二晶圆的相对位置;以及重新接合第一晶圆和第二晶圆;执行第二覆盖检查,第二覆盖检查包括确认第一晶圆的第一导电垫片是否接触第二晶圆的第三导电垫片,以及确认第一晶圆的第二导电垫片是否接触第二晶圆的第四导电垫片;以及确认第二覆盖检查的结果是否合乎第二预定标准,其中执行第一补偿方法是因应于第二覆盖检查的结果不合乎第二预定标准。

4、在部分实施例中,方法还包括在接合补偿的第一晶圆和补偿的第二晶圆之前,执行第三覆盖检查,第三覆盖检查包括确认补偿的第一晶圆的第一导电垫片是否接触对应的第一导电贯孔,以及确认补偿的第一晶圆的第二导电垫片是否接触对应的第二导电贯孔。

5、在部分实施例中,第一补偿方法是通过光刻工具执行,第二补偿方法是通过接合装置执行。

6、在部分实施例中,其中执行第一补偿方法使得补偿的第二晶圆的第三导电垫片的位置不同于第二晶圆的第三导电垫片的位置,且补偿的第二晶圆的第四导电垫片的位置不同于第二晶圆的第四导电垫片的位置。

7、本公开的部分实施例提供一种晶圆接合的补偿方法,包括接合第一晶圆和第二晶圆,其中第一晶圆具有第一导电垫片,第二晶圆具有第二导电垫片;对第一晶圆和第二晶圆执行第一加工工艺,其中在执行第一加工工艺之前,第一导电垫片具有第一位置,第一位置和理想位置之间具有第一偏移,且在执行第一加工工艺之后,第一导电垫片具有第二位置,第二位置和第一位置之间具有第二偏移;对第二晶圆执行第二加工工艺,其中在执行第二加工工艺之后,第一导电垫片具有第三位置,第三位置和第二位置具有第三偏移;执行第一补偿方法以形成补偿的第一晶圆和补偿的第二晶圆,第一补偿方法包括定义补偿的第一晶圆的第一导电垫片的位置,其中补偿的第一晶圆的第一导电垫片的位置是由第一偏移、第二偏移及第三偏移所决定;以及接合补偿的第一晶圆和补偿的第二晶圆。

8、在部分实施例中,其中补偿的第一晶圆的第一导电垫片的位置和第一晶圆的第一导电垫片的位置的差值为第一偏移、第二偏移及第三偏移的和。

9、在部分实施例中,方法还包括在执行第一加工工艺之前,执行一第二补偿方法,第二补偿方法包括:分离第一晶圆和第二晶圆;调整第一晶圆和第二晶圆的一相对位置;以及重新接合第一晶圆和第二晶圆;执行一覆盖检查,覆盖检查包括确认第一晶圆的第一导电垫片是否接触第二晶圆的第二导电垫片;以及确认覆盖检查的结果是否合乎预定标准。

10、在部分实施例中,其中第一补偿方法是通过光刻工具执行,第二补偿方法是通过接合装置执行。

技术特征:

1.一种晶圆接合的补偿方法,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中该第一覆盖检查的结果不合乎该第一预定标准包括该第一晶圆的该第一导电垫片和该第二晶圆的该第三导电垫片的一接触面积小于一第一预定值或该第一晶圆的该第二导电垫片和该第二晶圆的该第四导电垫片的一接触面积小于一第二预定值。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括:

4.根据权利要求3所述的方法,还包括在接合该补偿的第一晶圆和该补偿的第二晶圆之前,执行一第三覆盖检查,该第三覆盖检查包括确认该补偿的第一晶圆的该第一导电垫片是否接触对应的一第一导电贯孔,以及确认该补偿的第一晶圆的该第二导电垫片是否接触对应的一第二导电贯孔。

5.根据权利要求3所述的方法,其中该第一补偿方法是通过一光刻工具执行,该第二补偿方法是通过一接合装置执行。

6.根据权利要求1所述的方法,其中执行该第一补偿方法使得该补偿的第二晶圆的该第三导电垫片的位置不同于该第二晶圆的该第三导电垫片的位置,且该补偿的第二晶圆的该第四导电垫片的位置不同于该第二晶圆的该第四导电垫片的位置。

7.一种晶圆接合的补偿方法,包括:

8.根据权利要求7所述的方法,其中该补偿的第一晶圆的该第一导电垫片的位置和该第一晶圆的该第一导电垫片的该第三位置的一差值为该第一偏移、该第二偏移及该第三偏移的一和。

9.根据权利要求7所述的方法,还包括在执行该第一加工工艺之前,执行一第二补偿方法,该第二补偿方法包括:

10.根据权利要求9所述的方法,其中该第一补偿方法是通过一光刻工具执行,该第二补偿方法是通过一接合装置执行。

技术总结本公开提供了一种晶圆接合的补偿方法,包括接合第一晶圆和一第二晶圆,该第一晶圆包括第一导电垫片和第二导电垫片;执行第一覆盖检查;确认第一覆盖检查的结果是否合乎第一预定标准;若第一覆盖检查的结果不合乎第一预定标准,执行第一补偿方法以形成补偿的第一晶圆和补偿的第二晶圆,其中补偿的第一晶圆的第一导电垫片的位置不同于第一晶圆的第一导电垫片的位置,且补偿的第一晶圆的第二导电垫片的位置不同于第一晶圆的第二导电垫片的位置。技术研发人员:杨添助,杨金成受保护的技术使用者:旺宏电子股份有限公司技术研发日:技术公布日:2024/9/29

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