用于定位半导体器件的方法和对应的定位装置与流程

本公开涉及一种用于定位半导体器件的方法及一种用于半导体器件的对应定位装置。例如，本文所述的实施例可应用于生产晶片级芯片尺寸封装(wlcsp)集成电路半导体器件。

背景技术：

1、指定的晶片级芯片尺寸封装(wlcsp)应用于这样的技术，其中集成电路在晶片级被封装，而不是在从晶片切割它们之后作为单独的单元。

2、由wlcsp处理得到的最终器件是半导体芯片或管芯，其具有以输入/输出节距附着的凸块或焊球阵列，这有利于电路板组装工艺。因此，所得到的封装基本上具有与芯片或管芯相同的尺寸。

3、wlcsp技术有利地省去了接合线或类似连接件，并且除了减小封装尺寸之外，还可以提供从管芯到衬底(例如，印刷电路板pcb)的减小的电感。

4、一种称为“扇入(fan－in)”的wlcsp类别限制了焊球到仅在芯片顶部上的焊盘的重定向，然后按芯片尺寸定尺寸，但也没有过模制(overmold)，并且然后暴露芯片衬底侧壁。

5、在应用wlcsp技术中可能出现的问题涉及当将器件对齐(对中)在接触引脚(例如所谓的“弹簧针”引脚pogo-pins)上时将封装插入测试插座腔中。这些是考虑到它们对机械冲击和振动的耐性而使用的电连接器。

6、这种处理可以有利地发生在对中(centering)阶段，其中利用自动对中倒角将模块放置在“个性化”插座中。

7、注意，将这种方法应用于wlcsp器件在正确(right)的解决方案中可能不是特别有吸引力的，因为这可能导致管芯的拐角、侧壁和有源面的不期望的损坏。

8、当使用卷到卷(reel-to-reel)处理机器并且使用拾取和放置技术时，这不利于个性化(定制)扇入式wlcsp封装，例如与切割之前的晶片级个性化相比。

技术实现思路

1、本文所描述的解决方案的目的在于解决前述问题。

2、该目的可通过本文所述的方法实现。

3、一个或多个实施例涉及相应的装置。

4、在本文所述的解决方案中，诸如真空杯的工具可用于拾取管芯并与“嵌套”配合，以便于在嵌套水平上机械预对齐，而不会不适当地限制在“插座”水平上的放置准确度。

5、通过这种方式，对齐装置的边缘可以与通常设置有保护层(涂层)的管芯的后侧或底侧接触，而不是与易碎的正面或顶部(有源)侧面，侧壁或角接触。

6、本文所述的解决方案促进拾取和放置取样和预制造活动，从而通过与取样和预制造处于晶片级、因此昂贵且难以与所需的上市时间策略兼容的常规解决方案相比增强对齐准确度而使这些活动更快速。

技术特征：

1.一种方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一对齐部件和所述第二对齐部件具有互补配合结构，其中所述第一对齐部件和所述第二对齐部件经由所述互补配合结构相互对齐。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述互补配合结构包括由所述第一对齐部件和所述第二对齐部件承载的互补配合腔和突起。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体器件包括晶片级芯片尺寸封装半导体器件。

6.一种装置，包括：

7.根据权利要求6所述的装置，其中：

8.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一对齐部件和所述第二对齐部件具有互补配合结构，其中所述第一对齐部件和所述第二对齐部件响应于所述互补配合结构相互接合而被相互对齐。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述互补配合结构包括由所述第一对齐部件和所述第二对齐部件承载的互补配合腔和突起。

10.一种方法，包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述倒角表面包括锥形表面，所述锥形表面在从所述第一对齐部件的第一端朝向第二端的锥形方向上会聚。

12.根据权利要求11所述的方法，其中将所述半导体器件对齐到所述第一对齐部件包括相对于所述倒角表面在所述锥形方向上推进所述半导体器件。

13.根据权利要求12所述的方法，其中受保护的所述第二表面被暴露于所述倒角表面。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一对齐部件和所述第二对齐部件具有互补配合结构，其中所述第一对齐部件和所述第二对齐部件通过所述互补配合结构被相互对齐。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述互补配合结构包括由所述第一对齐部件和所述第二对齐部件承载的互补配合腔和突起。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一对齐部件包括在面向所述第二对齐部件的第三表面中的多个腔。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第二对齐部件包括多个突起，所述多个突起面向所述多个腔并且被配置成与所述多个腔相互作用和对齐。

技术总结本公开涉及用于定位半导体器件的方法和对应的定位装置。提供了一种用于将晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)半导体器件的第一表面处的诸如凸块或焊球的电接触构件与诸如“pogo(弹簧针)”引脚的导电引脚阵列中的导电引脚对齐的方法和装置。半导体器件包括与第一表面相对的由保护层保护的第二表面。该方法包括通过将半导体器件的受保护的第二表面暴露于第一对齐部件中的倒角表面来将半导体器件对齐到第一对齐部件。第二对齐部件与导电引脚阵列对齐。响应于第一和第二对齐部件相互对齐，响应于半导体器件“着陆”到导电引脚阵列上，电接触构件如期望地相对于导电引脚阵列对齐。技术研发人员：M·阿沃西·乌维里,G·费尔皮,F·科斯特,A·格里玛,P·J·S·佩拉尔塔受保护的技术使用者：意法半导体国际公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10