一种掩模版及制备方法与流程

本技术涉及薄膜，尤其涉及一种掩模版及制备方法。

背景技术：

1、目前，在显示面板的制备工艺中，常用的掩模版采用硅材料制备得到，可以实现较高分辨率像素结构图形的制备。但是，在显示面板的制备过程中，掩模版需要与目标工艺对象贴合在一起，目标工艺对象可以是显示面板的制备过程中的基板，在重力下垂的作用下，部分掩模版与目标工艺对象的距离发生改变，严重影响目标工艺对象上制备的图形结构的精度，最终影响显示面板的产品品质。然而，现有硅材料的掩模版难以采用除支撑或夹持之外的其他无接触外力来抵抗重力下垂效应。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种掩模版及制备方法，通过在掩模版用于形成掩模图形的第一遮挡结构中设置金属层，使得掩模版能够通过磁吸力抵抗重力下垂效应，保证显示面板上图形结构的制备精度，进而提高显示面板的产品品质。

2、本技术实施例的第一方面，提供一种掩模版，包括：

3、第一区域，包括第一遮挡结构和多个镂空，所述第一遮挡结构在所述第一区域的正投影围绕所述镂空在所述第一区域的正投影，所述第一遮挡结构用于形成掩模图形；

4、第二区域，所述第二区域围绕所述第一区域，所述第二区域包括第二遮挡结构；

5、所述第一遮挡结构在厚度方向上的侧面包括至少一个第一凸部和至少一个第一凹部，所述第一凸部和所述第一凹部相连接；

6、所述第一遮挡结构包括金属层，所述第二遮挡结构包括含硅材料层。

7、在一些实施方式中，在垂直于所述第一遮挡结构厚度方向的方向上，相邻的所述第一凸部和所述第一凹部中，所述第一凸部所在位置对应的所述第一遮挡结构的尺寸大于所述第一凹部所在位置对应的所述第一遮挡结构的尺寸；

8、所述第一凸部的曲率小于所述第一凹部的曲率。

9、在一些实施方式中，所述第一遮挡结构包括第一子结构，所述第二遮挡结构包括第二子结构，所述第一子结构为距离所述第一区域与所述第二区域的界线最近的所述第一遮挡结构，所述第二子结构在厚度方向上的侧面与所述第一子结构在厚度方向上的侧面相连接；

10、所述第二子结构在厚度方向上的侧面包括至少一个第二凸部和至少一个第二凹部，所述第二凸部的形状与所述第一凹部的形状相匹配，所述第二凹部的形状与所述第一凸部的形状相匹配，所述第二凹部的曲率小于所述第二凸部的曲率。

11、在一些实施方式中，所述第一子结构与所述第二子结构的厚度相同。

12、在一些实施方式中，所述第一遮挡结构远离工艺侧的一侧表面与所述第二子结构远离所述工艺侧的一侧表面共平面；和/或，

13、所述第一遮挡结构靠近所述工艺侧的一侧表面与所述第二子结构靠近所述工艺侧的一侧表面共平面；

14、其中，所述掩模版用于利用所述第一遮挡结构形成的所述掩模图形在目标工艺对象上形成图形化结构，所述工艺侧为所述掩模版靠近所述目标工艺对象的一侧。

15、在一些实施方式中，所述第一遮挡结构包括第一子结构，所述第二遮挡结构包括第三子结构，所述第一子结构为距离所述第一区域与所述第二区域的界线最近的所述第一遮挡结构，所述第一子结构与所述第三子结构在厚度方向上层叠设置；

16、所述第一遮挡结构的侧面具有第一坡度角，所述第一坡度角为所有所述第一凸部的凸起顶点形成的平面与所述第一子结构和所述第三子结构接触界面的夹角；

17、所述第三子结构在厚度方向上的侧面具有第二坡度角，所述第二坡度角为所述第三子结构在厚度方向上的侧面与所述第一子结构和所述第三子结构接触界面的夹角；

18、所述第一坡度角和所述第二坡度角均为锐角，所述第一坡度角大于所述第二坡度角。

19、在一些实施方式中，所述第一遮挡结构靠近所述第三子结构一侧的表面与所述第三子结构靠近所述第一子结构一侧的表面共平面。

20、在一些实施方式中，所述第一子结构靠近所述第三子结构的一侧表面与所述第三子结构靠近所述第一子结构的一侧表面键合连接。

21、在一些实施方式中，所述金属层包括磁吸金属材料；和/或，

22、所述第一遮挡结构包括所述含硅材料层，所述含硅材料层包括单晶硅片和/或硅化合物层；和/或，

23、所述第二遮挡结构包括所述磁吸金属材料。

24、在一些实施方式中，在所述第一遮挡结构包括磁吸金属层和第一含硅材料层的情况下，所述磁吸金属层靠近工艺侧，所述第一含硅材料层相对于所述磁吸金属层背离所述工艺侧。

25、在一些实施方式中，所述磁吸金属层的厚度小于所述镂空的内径；和/或，

26、所述磁吸金属层的厚度小于或等于10μm；和/或，

27、在所述第一遮挡结构的侧面具有第一坡度角的情况下，所述磁吸金属层对应的所述第一坡度角与所述第一含硅材料层对应的所述第一坡度角的差值小于或等于5°；和/或，

28、所述第一含硅材料层与所述第二遮挡结构属于不同的基板；和/或，

29、在所述第一含硅材料层包括第一单晶硅片的情况下，所述第一单晶硅片的厚度小于或等于20μm；和/或，

30、在所述第二遮挡结构包括第二单晶硅片的情况下，所述第二单晶硅片的厚度大于或等于100μm。

31、在一些实施方式中，在所述第一遮挡结构包括所述第一子结构，所述第二遮挡结构包括所述第二子结构的情况下，所述第二遮挡结构包括第三子结构，所述第一子结构和所述第三子结构在厚度方向上层叠设置；

32、所述第二子结构包括第一单晶硅片，所述第三子结构包括第一硅化合物层、第二单晶硅片和第二硅化合物层；

33、所述第一单晶硅片与所述第一硅化合物层属于同一个基板，所述第二单晶硅片和所述第二硅化合物层属于同一个基板；

34、所述第一硅化合物层与所述第二硅化合物层键合连接，所述第一单晶硅片位于所述第一硅化合物层远离所述第二硅化合物层的一侧，所述第二单晶硅片位于所述第二硅化合物层远离所述第一硅化合物层的一侧。

35、在一些实施方式中，所述第二硅化合物层在厚度方向上的侧面与所述第二单晶硅片在厚度方向上的侧面平行。

36、本技术实施例的第二方面，提供一种掩模版的制备方法，包括：

37、对基板的一侧进行刻蚀，得到多个凹槽，其中，所述基板包括第一区域和第二区域，所述第二区域围绕所述第一区域，所述基板包括含硅材料层，其中，所述凹槽在深度方向上的侧壁包括至少一个第三凹部和至少一个第三凸部，所述第三凹部与所述第三凸部连接；

38、在所述基板具有所述凹槽的一侧设置金属层，以使所述凹槽内填充有所述金属层；

39、刻蚀所述第一区域的所述基板，得到多个镂空，以及所述金属层形成第一遮挡结构，所述第二区域的所述基板形成第二遮挡结构，其中，所述第一遮挡结构在所述第一区域的正投影围绕所述镂空在所述第一区域的正投影，所述第一遮挡结构用于形成掩模图形，所述第一遮挡结构在厚度方向上的侧面包括至少一个第一凸部和至少一个第一凹部，所述第一凸部和所述第一凹部相连接，所述第一凸部与所述第三凹部的形状相同，所述第一凹部与所述第三凸部的形状相同。

40、在一些实施方式中，所述基板包括单晶硅片；

41、所述刻蚀所述第一区域的所述基板之前，还包括：

42、对所述基板设置有所述金属层的一侧进行化学机械研磨，以去除相邻所述凹槽的开口之间的所述金属层，并控制所述凹槽内的所述金属层的厚度达到设定厚度；

43、在所述基板的表面设置硅化合物层；

44、刻蚀背离所述金属层一侧的所述硅化合物层，得到至少一个第一开口，其中，所述第一开口在所述基板上的正投影覆盖所述第一区域；

45、所述刻蚀所述第一区域的所述基板，包括：

46、刻蚀靠近所述金属层一侧的所述硅化合物层，得到至少一个第二开口，其中，所述第二开口在所述基板上的正投影覆盖所述第一区域；

47、通过所述第一开口和所述第二开口，刻蚀所述第一区域的所述基板，得到多个所述镂空，以及所述金属层形成所述第一遮挡结构，所述第二区域的所述基板形成所述第二遮挡结构。

48、在一些实施方式中，所述对基板的一侧进行刻蚀，得到多个凹槽，包括：

49、对第一基板的一侧进行刻蚀，得到多个所述凹槽；

50、所述刻蚀所述第一区域的所述基板，得到多个镂空之前，还包括：

51、在第二基板的外表面设置第二硅化合物层；

52、刻蚀所述第二基板的一侧的所述第二硅化合物层，得到至少一个第三开口，其中，所述第三开口在所述第二基板上的正投影覆盖所述第一区域；

53、将所述第一基板设置有所述金属层的一侧表面与所述第二基板背离所述第三开口的一侧表面键合连接，得到第三基板；

54、所述刻蚀所述第一区域的所述基板，得到多个镂空，包括：

55、对所述第三基板设置有所述金属层的一侧进行化学机械研磨，以去除相邻所述凹槽的开口之间的所述金属层，并控制所述凹槽内的所述金属层的厚度达到设定厚度；

56、刻蚀所述第一区域的所述金属层之外的所述第一基板，得到多个第一镂空，其中，所述金属层围绕所述第一镂空；

57、通过所述第三开口，刻蚀所述第一区域的所述第二基板，得到至少一个第二镂空，其中，所述第二镂空与所述第一镂空连通，所述第二镂空与所述第三开口一一对应。

58、在一些实施方式中，将所述第一基板设置有所述金属层的一侧表面与所述第二基板背离所述第三开口的一侧表面键合连接，得到第三基板之前，还包括：

59、在所述第一基板的外表面设置第一硅化合物层；

60、和/或，

61、所述在第二基板的外表面设置第二硅化合物层，包括：

62、在所述第二基板的一侧表面设置所述第二硅化合物层。

63、在一些实施方式中，所述对基板的一侧进行刻蚀，得到多个凹槽之前，还包括：

64、在所述基板的外表面设置第三硅化合物层；

65、和/或，

66、所述设置金属层，包括：

67、设置种子层；

68、在所述种子层上电镀所述金属层。

69、在一些实施方式中，所述对基板的一侧进行刻蚀，得到多个凹槽，包括：

70、对所述基板的一侧进行第一次刻蚀，得到多个第一凹槽；

71、对所述第一凹槽的内壁进行第一次钝化处理；

72、对第一次钝化处理后的所述第一凹槽依次进行第二次刻蚀和第二次钝化处理，直至得到多个设定深度的所述凹槽，其中，所述凹槽在深度方向上的侧壁包括至少一个第三凹部和至少一个第三凸部，所述第三凹部所在位置对应的所述凹槽的内径大于所述第三凸部所在位置对应的所述凹槽的内径。

73、本技术实施例的第三方面，提供一种掩模版的制备方法，包括：

74、在基板的一侧设置金属层，其中，所述基板包括第一区域和第二区域，所述第二区域围绕所述第一区域，所述基板包括含硅材料层；

75、刻蚀所述第一区域的所述金属层，得到多个第一镂空，其中，所述第一镂空之间的所述金属层形成第一遮挡结构，所述第一遮挡结构用于形成掩模图形；

76、刻蚀所述第一区域的所述基板，得到至少两个第二镂空，以使所述第二镂空与所述第一镂空连通，其中，所述第二区域的所述基板形成第二遮挡结构。

77、本技术实施例提供的掩模版，在第一遮挡结构中设置金属层，第二遮挡结构设置含硅材料层，在第一遮挡结构中设置金属层，第二遮挡结构设置含硅材料层，则掩模版的微孔结构采用金属材料，用于支撑的第二遮挡结构采用硅材料，可以将硅掩模版的工艺与电铸工艺结合，即可以先在含硅材料层上设置凹槽，在凹槽设置过程中会形成凹凸形状的侧壁，将金属材料填充至凹槽内，再将凹槽之间的含硅材料层去掉，可以得到金属层形成的第一遮挡结构，第一遮挡结构的侧面也会形成第一凸部和第一凹部。刻蚀含硅材料层的厚度可以控制的较薄，且刻蚀较薄的含硅材料层的精度相比较于刻蚀较厚金属的精度更高，使得得到的第一遮挡结构上的镂空的密度更高，得到的掩模图形的分辨率更高。另外，结合掩模版的金属层能够被磁吸力吸附，在提高掩模版的分辨率的基础上，使得掩模版可以在磁吸力作用下与工艺目标对象贴合，可以抵抗重力下垂效应。另外，第一遮挡结构是掩模版的主体微孔结构，第一遮挡结构占用掩模版的面积大于第二遮挡结构占用掩模版的面积，则金属层占用掩模版的面积大于第二遮挡结构占用掩模版的面积，掩模版的工艺制程中，相对于支撑或夹持第二遮挡结构，利用金属层在磁吸力作用下的固定均匀性和固定强度更强，能够保证掩模版与工艺目标对象的贴合距离的均匀性，更好的抵抗重力下垂效应。