层叠体的制作方法

本发明涉及层叠体。

背景技术：

1、具备基底层和与基底层邻接的结晶质的透明导电层的层叠体是已知的(例如参照下述专利文献1)。专利文献1所记载的层叠体中，透明导电性层的厚度方向的一个面具有第一隆起。基底层的厚度方向的一个面具有第二隆起。基底层的第二隆起在厚度方向上投影时，与透明导电性层的第一隆起重合。

2、在专利文献1的层叠体的制造中，通过涂布包含颗粒的树脂组合物，从而在基底层上形成与颗粒形状对应的第二隆起。另外，在基底层的厚度方向的一个面形成薄膜，将追随于上述第二隆起的第一隆起形成于透明导电层。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2017-122992号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、透明导电层通过将非晶质的透明导电层加热而呈现结晶质。但是，专利文献1的层叠体中，因上述第二隆起而导致在非晶质的透明导电层的结晶化中，晶体的取向难以统一，换言之，晶体的生长受到阻碍，因此，结晶化的透明导电层的电阻率变高的不良情况。

3、另一方面，在透明导电层的厚度方向的一个面配置其它层时，还寻求透明导电性层与上述层的密合性。其它层包含例如涂布层。

4、本发明提供具备电阻率低、与其它层的密合性优异的透明导电层的层叠体。

5、用于解决问题的方案

6、本发明(1)包括一种层叠体，其具备基底层、以及与前述基底层的厚度方向的一个面邻接的结晶质的透明导电层，前述基底层包含树脂，前述透明导电层的厚度方向的一个面具备高度为3nm以上的第一隆起，前述基底层的前述一个面任选具备高度为3nm以上的第二隆起，前述第二隆起在厚度方向上投影时不与前述第一隆起重合。

7、本发明(2)包括(1)所述的层叠体，其中，前述第一隆起的每单位长度的数量多于前述第二隆起的每单位长度的数量。

8、本发明(3)包括(1)或(2)所述的层叠体，其中，前述基底层不具备前述第二隆起。

9、本发明(4)包括(1)～(3)中任一项所述的层叠体，其中，前述透明导电层包含晶界，所述晶界具有到达前述透明导电层的前述一个面的端部边缘，前述第一隆起开始隆起的隆起开始部位于前述端部边缘或其附近。

10、发明的效果

11、本发明的层叠体的透明导电层的电阻率低，与其它层的密合性优异。

技术特征：

1.一种层叠体，其具备基底层、以及与所述基底层的厚度方向的一个面邻接的结晶质的透明导电层，

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述第一隆起的每单位长度的数量多于所述第二隆起的每单位长度的数量。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述基底层不具备所述第二隆起。

4.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述透明导电层包含晶界，所述晶界具有到达所述透明导电层的所述一个面的端部边缘，

5.根据权利要求3所述的层叠体，其中，所述透明导电层包含晶界，所述晶界具有到达所述透明导电层的所述一个面的端部边缘，

技术总结层叠体(1)具备基底层(3)、以及与基底层(3)的厚度方向的一个面(31)邻接的结晶质的透明导电层(4)。基底层(3)包含树脂。透明导电层(4)的厚度方向的一个面(41)具备高度为3nm以上的第一隆起(42)。基底层(3)的一个面(31)任选具备高度为3nm以上的第二隆起(32)，第二隆起(32)在厚度方向上投影时不与第一隆起(42)重合。技术研发人员：藤野望,鸦田泰介受保护的技术使用者：日东电工株式会社技术研发日：技术公布日：2024/10/17