电解电容器用电极箔、电解电容器以及电解电容器用电极箔的制造方法与流程

本发明涉及电解电容器用电极箔、电解电容器以及电解电容器用电极箔的制造方法。

背景技术：

1、电解电容器的电极箔具备阳极体和覆盖阳极体的表面的至少一部分的电介质层。阳极体可以使用包含阀作用金属的金属箔。为了增加电解电容器的容量，金属箔的表面被通过蚀刻等进行了粗糙化。

2、电介质层例如通过对将表面粗糙化了的金属箔进行化成处理而形成。另外，也在研究利用原子层沉积法形成电介质层的方法(例如专利文献1)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2012-43960号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、若为了大容量化而形成高介电常数的金属氧化物的层(电介质层)，则在进行高电压的施加等时电介质层中的氧向阳极体侧移动，电介质层的绝缘性降低，有泄露电流增大的情况。

3、用于解决课题的手段

4、本发明的一个方面涉及一种电解电容器用电极箔，其具备包含阀作用金属的阳极体、覆盖上述阳极体的至少一部分的第1电介质层、和覆盖上述第1电介质层的至少一部分的第2电介质层，上述第2电介质层与上述第1电介质层相比介电常数高，上述第2电介质层的厚度t2大于上述第1电介质层的厚度t1，上述第1电介质层是抑制氧从上述第2电介质层向上述阳极体的扩散的层。

5、本发明的另一个方面涉及一种电解电容器，其具备上述的电解电容器用电极箔和覆盖上述第2电介质层的至少一部分的阴极部。

6、本发明的另一个方面涉及一种电解电容器用电极箔的制造方法，该制造方法包括：第1工序，准备包含阀作用金属的阳极体；第2工序，形成覆盖上述阳极体的至少一部分的第1电介质层；以及第3工序，在上述第2工序后，形成覆盖上述第1电介质层的至少一部分的第2电介质层，上述第2电介质层与上述第1电介质层相比介电常数高，上述第2电介质层的厚度t2大于上述第1电介质层的厚度t1，上述第1电介质层是抑制氧从上述第2电介质层向上述阳极体的扩散的层。

7、发明效果

8、根据本发明，对于电解电容器，能够在增大容量的同时抑制泄露电流的增大。

9、将本发明的新的特征记述于附加的权利要求的范围中，然而本发明在构成及内容两方面都应当与本发明的其他目的及特征一起地通过参照了附图的以下的详细说明来更加充分地理解。

技术特征：

1.一种电解电容器用电极箔，其具备：

2.根据权利要求1所述的电解电容器用电极箔，其中，

3.根据权利要求2所述的电解电容器用电极箔，其中，

4.根据权利要求3所述的电解电容器用电极箔，其中，

5.根据权利要求2～4中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，

6.根据权利要求5所述的电解电容器用电极箔，其中，

7.根据权利要求5所述的电解电容器用电极箔，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，

9.一种电解电容器，其具备权利要求1～8中任一项所述的电解电容器用电极箔和覆盖所述第2电介质层的至少一部分的阴极部。

10.根据权利要求9所述的电解电容器，其中，

11.根据权利要求9所述的电解电容器，其中，

12.一种电解电容器用电极箔的制造方法，所述制造方法包括：

13.根据权利要求12所述的电解电容器用电极箔的制造方法，其中，

14.根据权利要求12或13所述的电解电容器用电极箔的制造方法，其中，

15.根据权利要求12～14中任一项所述的电解电容器用电极箔的制造方法，其中，

16.根据权利要求15所述的电解电容器用电极箔的制造方法，其中，

17.根据权利要求16所述的电解电容器用电极箔的制造方法，其中，

18.根据权利要求15～17中任一项所述的电解电容器用电极箔的制造方法，其中，

19.根据权利要求18所述的电解电容器用电极箔的制造方法，其中，

20.根据权利要求18所述的电解电容器用电极箔的制造方法，其中，

21.根据权利要求12～20中任一项所述的电解电容器用电极箔的制造方法，其中，

技术总结电解电容器用电极箔具备包含阀作用金属的阳极体、覆盖阳极体的至少一部分的第1电介质层、和覆盖第1电介质层的至少一部分的第2电介质层。第2电介质层与第1电介质层相比介电常数高，第2电介质层的厚度T2大于第1电介质层的厚度T1。第1电介质层是抑制氧从第2电介质层向阳极体的扩散的层。技术研发人员：小川美和,栗原直美受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社技术研发日：技术公布日：2024/11/4