晶圆切割方法与流程

本公开总体上涉及一种晶圆切割方法，并且更具体地，涉及一种用于扩大切割道宽度的晶圆切割方法。

背景技术：

1、在半导体管芯生产工艺中，需要将完整的晶圆切割成管芯，再通过键合技术将不同功能的管芯连接并封装，以实现所需功能，由此提高集成度。目前，主流的切割方法包含机械切割、激光切割和等离子体刻蚀。在晶圆切割过程中，切割通常沿着管芯之间的切割道区域，使得分离出来的管芯的总体面积不仅包含管芯功能区域，还可能包含一部分切割道区域。这导致每个管芯的尺寸可能较大，进而导致后续的键合和封装过程中出现不期望的缺陷。

2、目前，需要一种以较低成本减小切割出来的管芯的尺寸的解决方案。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本公开提供了一种晶圆切割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有多个管芯区域以及位于相邻管芯区域之间的切割道区域；在所述切割道区域中切割出第一切割路径；以及在所述切割道区域中、在所述第一切割路径的相对两侧中的至少一侧上切割出附加切割路径；其中，所述第一切割路径与所述附加切割路径部分重叠，以形成组合切割路径。

2、在实施例中，所述附加切割路径包括位于所述第一切割路径的一侧上的第二切割路径和位于所述第一切割路径的另一侧上的第三切割路径。

3、在实施例中，所述第二切割路径与所述第一切割路径部分重叠，并且所述第三切割路径与所述第一切割路径部分重叠。

4、在实施例中，所述第二切割路径包括多条第二切割路径，所述多条第二切割路径中的相邻第二切割路径部分重叠，并且其中，所述第三切割路径包括多条第三切割路径，所述多条第三切割路径中的相邻第三切割路径部分重叠。

5、在实施例中，所述重叠的大小至少为切割刀片的宽度的一半加10μm。

6、在实施例中，在所述切割道区域中、在所述第一切割路径的相对两侧中的至少一侧上切割出附加切割路径的步骤包括：在所述第一切割路径的一侧上切割出至少一条附加切割路径；以及在所述第一切割路径的相对侧上切割出至少一条附加切割路径。

7、在实施例中，所述重叠的大小相同。

8、在实施例中，至少两个所述重叠的大小是不同的。

9、在实施例中，所述多条第二切割路径中的相邻第二切割路径之间的重叠和所述多条第三切割路径中的相邻第三切割路径之间的重叠是对称设置的。

10、在实施例中，所述第一切割路径和所述附加切割路径的数量的总和为奇数。

11、在实施例中，所述方法还包括：在切割所述附加切割路径之后，对所述晶圆进行清洗，其中，所述清洗的时间是切割单一路径时的清洗时间的至少三倍。

技术特征：

1.一种晶圆切割方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述附加切割路径包括位于所述第一切割路径的一侧上的第二切割路径和/或位于所述第一切割路径的另一侧上的第三切割路径。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二切割路径与所述第一切割路径部分重叠，并且所述第三切割路径与所述第一切割路径部分重叠。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二切割路径包括多条第二切割路径，所述多条第二切割路径中的相邻第二切割路径部分重叠，并且其中，所述第三切割路径包括多条第三切割路径，所述多条第三切割路径中的相邻第三切割路径部分重叠。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述重叠的大小至少为切割刀片的宽度的一半加10μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述切割道区域中、在所述第一切割路径的相对两侧中的至少一侧上切割出附加切割路径，包括：

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述重叠的大小是相同的。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，至少两个所述重叠的大小是不同的。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多条第二切割路径中的相邻第二切割路径之间的重叠和所述多条第三切割路径中的相邻第三切割路径之间的重叠是对称设置的。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述第一切割路径和所述附加切割路径的数量的总和为奇数。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：在切割所述附加切割路径之后，对所述晶圆进行清洗，其中，所述清洗的时间是切割单一路径时的清洗时间的至少三倍。

12.一种计算装置，包括：

技术总结本公开提供了一种晶圆切割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有多个管芯区域以及位于相邻管芯区域之间的切割道区域；在所述切割道区域中切割出第一切割路径；以及在所述切割道区域中、在所述第一切割路径的相对两侧中的至少一侧上切割出附加切割路径；其中，所述第一切割路径与所述附加切割路径相互重叠，以形成组合切割路径。技术研发人员：刘安,袁也受保护的技术使用者：英特尔产品（成都）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/12/2