一种石墨烯的制备优化方法和系统与流程

本发明涉及石墨烯制备工艺控制，尤其涉及一种石墨烯的制备优化方法和系统。

背景技术：

1、石墨烯材料具有极高的强度、优良的导电性和高导热性，在能源电力装备领域具有广泛的应用潜力。基于铜基体的石墨烯材料制备工艺中，温度、压力和气体流量等参数协同高效控制，一直是制备石墨烯工艺的难点。石墨烯高效制备也是高质量石墨烯走向复合导线工程应用的关键环节。

2、针对现有石墨烯制备工艺过程控制与评估仅限于定性化描述，无法进行定量，且制备的石墨烯仅存在与实验室层面，目前没有作为高导电率复合导线实际应用，没有进行过实际应用环境下的测量。对工程人员制造高质量的石墨烯铜复合导线带来了困难。因此，亟需一种石墨烯的制备方案，从而制备出高质量的石墨烯。

技术实现思路

1、本发明提供了一种石墨烯的制备优化方法和系统，解决了如何制备高质量石墨烯的技术问题。

2、本发明第一方面提供的一种石墨烯的制备优化方法，包括：

3、响应对目标制备装置的制备优化请求，确定所述目标制备装置内的目标铜箔基体；

4、采用预设检测法对所述目标铜箔基体进行缺陷检测，得到检测指标；

5、当所述检测指标未满足预设标准指标条件时，采用预设优化策略对所述目标铜箔基体上的石墨烯进行优化制备，得到目标优化石墨烯。

6、可选地，所述预设检测法包括光镜图观测法和拉曼光谱法，所述采用预设检测法对所述目标铜箔基体进行缺陷检测，得到检测指标，包括：

7、采用所述光镜图观测法对所述目标铜箔基体上的石墨烯进行缺陷检测，得到碳点检测指标；

8、采用所述拉曼光谱法对所述目标铜箔基体上的石墨烯进行缺陷检测，得到缺陷峰检测指标。

9、可选地，所述预设标准指标条件为所述碳点检测指标小于预设碳点检测阈值且所述缺陷峰检测指标小于预设缺陷峰检测阈值。

10、可选地，所述当所述检测指标未满足预设标准指标条件时，采用预设优化策略对所述目标铜箔基体上的石墨烯进行优化制备，得到目标优化石墨烯，包括：

11、当所述检测指标未满足预设标准指标条件时，则获取当前时刻所述目标制备装置的反应温度值；

12、比对所述反应温度值与预设标准温度阈值；

13、若所述反应温度值大于或等于所述预设标准温度阈值，则获取当前时刻所述目标制备装置的气氛体积比；

14、比对所述气氛体积比与预设标准体积比阈值；

15、若所述气氛体积比大于或等于所述预设标准体积比阈值，则获取当前时刻所述目标制备装置的反应时间；

16、比对所述反应时间与预设标准反应时间阈值；

17、若所述反应时间大于或等于所述预设标准反应时间阈值，则获取所述目标铜箔基体上的石墨烯的石墨烯层数；

18、比对所述石墨烯层数与预设标准层数；

19、若所述石墨烯层数小于所述预设标准层数，则获取所述目标铜箔基体上的石墨烯的石墨烯碳点数；

20、比对所述石墨烯碳点数与预设标准碳点数；

21、若所述石墨烯碳点数小于所述预设标准碳点数，则将当前时刻所述目标铜箔基体上的石墨烯作为目标优化石墨烯。

22、可选地，还包括：

23、若所述反应温度值小于所述预设标准温度阈值，则对所述目标制备装置启动加热操作，直至所述反应温度值大于或等于所述预设标准温度阈值。

24、可选地，还包括：

25、若所述气氛体积比小于所述预设标准体积比阈值，则对所述目标制备装置启动加压操作，直至所述气氛体积比大于或等于所述预设标准体积比阈值。

26、可选地，还包括：

27、若所述反应时间小于所述预设标准反应时间阈值，则对所述目标制备装置启动反应时间延长操作，直至所述反应时间大于或等于所述预设标准反应时间阈值。

28、可选地，还包括：

29、若所述石墨烯层数大于或等于所述预设标准层数，则跳转至所述比对所述气氛体积比与预设标准体积比阈值的步骤。

30、可选地，还包括：

31、若所述石墨烯碳点数大于或等于所述预设标准碳点数，则跳转至所述比对所述反应温度值与预设标准温度阈值的步骤。

32、可选地，还包括：

33、采用范德堡法电导率测量法对所述目标优化石墨烯关联的目标铜箔基体进行电导率测量，得到目标电导率；

34、根据所述目标电导率所处的预设电导率分级区间，确定所述目标优化石墨烯的质量等级。

35、本发明第二方面提供的一种石墨烯的制备优化系统，包括：

36、响应模块，用于响应对目标制备装置的制备优化请求，确定所述目标制备装置内的目标铜箔基体；

37、缺陷检测模块，用于采用预设检测法对所述目标铜箔基体进行缺陷检测，得到检测指标；

38、优化制备模块，用于当所述检测指标未满足预设标准指标条件时，采用预设优化策略对所述目标铜箔基体上的石墨烯进行优化制备，得到目标优化石墨烯。

39、本发明第三方面提供的一种电子设备，包括存储器及处理器，所述存储器中储存有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时，使得所述处理器执行如上述任一项所述的石墨烯的制备优化方法的步骤。

40、本发明第四方面提供的一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时实现如上述任一项所述的石墨烯的制备优化方法。

41、本发明第五方面提供的一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括存储在非暂态计算机可读存储介质上的计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，其中，当所述程序指令被计算机执行时，使所述计算机执行如上述任一项所述的石墨烯的制备优化方法。

42、从以上技术方案可以看出，本发明具有以下优点：

43、在本发明中，响应对目标制备装置的制备优化请求，确定目标制备装置内的目标铜箔基体，采用预设检测法对目标铜箔基体上的石墨烯进行缺陷检测，得到检测指标，检测指标未满足预设标准指标条件时，采用预设优化策略对目标铜箔基体上的石墨烯进行优化制备，得到目标优化石墨烯；本发明采用预设检测法对当前时刻的石墨烯进行缺陷检测，当石墨烯的检测指标未满足预设标准指标条件时，则采用预设优化策略调整目标制备装置制备石墨烯的过程中的制备条件，从而得到高质量的石墨烯；解决了如何制备高质量石墨烯的技术问题。

技术特征：

1.一种石墨烯的制备优化方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的石墨烯的制备优化方法，其特征在于，所述预设检测法包括光镜图观测法和拉曼光谱法，所述采用预设检测法对所述目标铜箔基体进行缺陷检测，得到检测指标，包括：

3.根据权利要求2所述的石墨烯的制备优化方法，其特征在于，所述预设标准指标条件为所述碳点检测指标小于预设碳点检测阈值且所述缺陷峰检测指标小于预设缺陷峰检测阈值。

4.根据权利要求1所述的石墨烯的制备优化方法，其特征在于，所述当所述检测指标未满足预设标准指标条件时，采用预设优化策略对所述目标铜箔基体上的石墨烯进行优化制备，得到目标优化石墨烯，包括：

5.根据权利要求4所述的石墨烯的制备优化方法，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求4所述的石墨烯的制备优化方法，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求4所述的石墨烯的制备优化方法，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求4所述的石墨烯的制备优化方法，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求4所述的石墨烯的制备优化方法，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求1所述的石墨烯的制备优化方法，其特征在于，还包括：

11.一种石墨烯的制备优化系统，其特征在于，包括：

12.一种电子设备，其特征在于，包括存储器及处理器，所述存储器中储存有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时，使得所述处理器执行如权利要求1-10任一项所述的石墨烯的制备优化方法的步骤。

13.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被执行时实现如权利要求1-10任一项所述的石墨烯的制备优化方法。

14.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品包括存储在非暂态计算机可读存储介质上的计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，其中，当所述程序指令被计算机执行时，使所述计算机执行如权利要求1-10任一项所述的石墨烯的制备优化方法。

技术总结本发明涉及石墨烯制备工艺控制技术领域，公开了一种石墨烯的制备优化方法和系统，响应对目标制备装置的制备优化请求，确定目标制备装置内的目标铜箔基体，采用预设检测法对目标铜箔基体上的石墨烯进行缺陷检测，得到检测指标，检测指标未满足预设标准指标条件时，采用预设优化策略对目标铜箔基体上的石墨烯进行优化制备，得到目标优化石墨烯；本发明采用预设检测法对当前时刻的石墨烯进行缺陷检测，当石墨烯的检测指标未满足预设标准指标条件时，则采用预设优化策略调整目标制备装置制备石墨烯的过程中的制备条件，从而得到高质量的石墨烯；解决了如何制备高质量石墨烯的技术问题。技术研发人员：成传晖,王玉,卓然,付莹,张瑞祥,黄之明,罗颜,陈秋霖,赵思诚,高萌,杨伟鸿受保护的技术使用者：南方电网科学研究院有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/12/23