低温镀膜设备的制作方法

本申请涉及真空镀膜，特别是涉及一种低温镀膜设备。

背景技术：

1、micro led(micro light emitting diode display)显示技术是指以自发光的微米量级的led为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度led阵列的显示技术。

2、micro led的显示屏电极部分可利用磁控溅射镀膜技术镀膜，例如镀有铜金属膜层，镀膜完成后可集成为超大规模集成发光单元的显示器件。因micro led在显示方面的应用目前仅处于小规模小尺寸的发展阶段，铜金属膜层的方块电阻要求一般在0.04ω/□(方块)左右，对应沉积厚度约600nm，满足1～5英寸的micro led显示屏驱动功耗的要求，该厚度范围满足micro led磁控溅射镀铜时的基片温升≤120℃。

3、参见图1，图中pannel为待镀膜的micro led基板(下文简称为基板)，基板的两相对面贴覆有pi(polyimide，聚酰亚胺)保护层。micro led基板边缘设置有电极，镀膜完成后形成膜层。

4、由于镀膜过程产生热量，在磁控溅射中镀制较厚的膜层(例如铜膜层)时都会出现温度过高的情况。这在有pi保护层的micro led上镀制要求厚度的金属膜层时，容易出现因温度升高导致局部pi保护层高温软化或材料变性，后道工艺无法剥离pi保护层。而且温度过高还会产生膜层热应力，导致不同层之间的附着力差、甚至脱落。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种低温镀膜设备。

2、本申请低温镀膜设备，用于提供真空环境，对工件进行镀膜，包括：

3、第一镀膜室，设置有第一阴极靶和防着板，且二者之间设置有工件通道；

4、冷却室，设置有水冷板；

5、第二镀膜室，设置有第二阴极靶和防着板，且二者之间设置有工件通道；

6、所述第一镀膜室、冷却室、第二镀膜室依次通过门阀连接。

7、以下还提供了若干可选方式，但并不作为对上述总体方案的额外限定，仅仅是进一步的增补或优选，在没有技术或逻辑矛盾的前提下，各可选方式可单独针对上述总体方案进行组合，还可以是多个可选方式之间进行组合。

8、可选的，低温镀膜设备包括：

9、第一制冷机，用于使所述水冷板保持预期温度；

10、第二制冷机，用于使所述防着板保持预期温度。

11、可选的，所述冷却室内的水冷板相对布置有两组，且两组之间设置有工件通道。

12、可选的，所述冷却室配置有惰性气体供应装置。

13、可选的，各镀膜室内设置有沿所述工件通道布置的传送轨道；

14、所述传送轨道为一条，且供工件往返运动；

15、或所述传送轨道为两条，分别供工件沿不同方向运动。

16、可选的，各镀膜室内还设置有用于吸引二次电子的辅助阳极。

17、可选的，所述低温镀膜设备，包括：

18、直流溅射电源，正极电连接于所述第一镀膜室的室壁，且室壁经电路接地，负极电连接于所述第一阴极靶；

19、直流脉冲偏压电源，正极电连接于所述辅助阳极，负极电连接于所述室壁。

20、本申请提供一种低温镀膜设备，用于提供真空环境，对工件进行镀膜，包括：

21、第三镀膜室，设置有阴极靶和防着板，且二者之间设置有工件通道；

22、冷却室，设置有水冷板；

23、所述冷却室一侧与所述第三镀膜室通过门阀连接，另一侧封闭。

24、可选的，低温镀膜设备包括：第四镀膜室，设置有阴极靶和防着板，且二者之间设置有工件通道；

25、所述工件通道具有相对的第一侧和第二侧，所述第三镀膜室内的阴极靶处于所述第一侧，所述第四镀膜室的阴极靶处于所述第二侧。

26、可选的，低温镀膜设备包括：第五镀膜室，设置有两组阴极靶，且两组阴极靶之间设置有工件通道；

27、所述第四镀膜室和第三镀膜室的阴极靶材质相同，所述第五镀膜室与第三镀膜室的阴极靶材质不同；

28、所述第五镀膜室与所述第四镀膜室之间连接有缓冲室，用于留置所述工件。

29、可选的，所述第三镀膜室和第四镀膜室的阴极靶均为阴极铜靶，所述第五镀膜室的阴极靶为阴极钛靶。

30、本申请低温镀膜设备至少具有以下技术效果：

31、本实施例将镀膜工艺拆分为第一镀膜室和第二镀膜室分别执行，并且在之间设置冷却室完成降温，从而执行连续镀膜，不影响加工节拍。

32、本申请第三镀膜室可完成一部分的膜层沉积，进入冷却室进行冷却，冷却完成后返回第三镀膜室完成另一部分的膜层沉积，从而执行连续镀膜，不影响加工节拍。

技术特征：

1.低温镀膜设备，用于提供真空环境，对工件进行镀膜，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的低温镀膜设备，其特征在于，包括：

3.如权利要求1所述的低温镀膜设备，其特征在于，所述冷却室内的水冷板相对布置有两组，且两组之间设置有工件通道。

4.如权利要求1所述的低温镀膜设备，其特征在于，所述冷却室配置有惰性气体供应装置。

5.如权利要求1所述的低温镀膜设备，其特征在于，各镀膜室内设置有沿所述工件通道布置的传送轨道；

6.如权利要求1所述的低温镀膜设备，其特征在于，各镀膜室内还设置有用于吸引二次电子的辅助阳极。

7.如权利要求6所述的低温镀膜设备，其特征在于，所述低温镀膜设备，包括：

8.低温镀膜设备，用于提供真空环境，对工件进行镀膜，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的低温镀膜设备，其特征在于，包括：第四镀膜室，设置有阴极靶和防着板，且二者之间设置有工件通道；

10.如权利要求9所述的低温镀膜设备，其特征在于，包括：第五镀膜室，设置有两组阴极靶，且两组阴极靶之间设置有工件通道；

技术总结本申请公开了一种低温镀膜设备，用于提供真空环境，对工件进行镀膜。低温镀膜设备包括：第一镀膜室，设置有第一阴极靶和防着板，且二者之间设置有工件通道；冷却室，设置有水冷板；第二镀膜室，设置有第二阴极靶和防着板，且二者之间设置有工件通道；所述第一镀膜室、冷却室、第二镀膜室依次通过门阀连接。本实施例将镀膜工艺拆分为第一镀膜室和第二镀膜室分别执行，并且在之间设置冷却室完成降温，从而执行连续镀膜，不影响加工节拍。在其他技术方案中，低温镀膜设备包括：第三镀膜室，设置有阴极铜靶和防着板，且二者之间设置有工件通道；冷却室，设置有水冷板；所述冷却室一侧与所述第三镀膜室通过门阀连接，另一侧封闭。技术研发人员：聂晶,娄国明,徐建柱,沈纬徵,郑博鸿受保护的技术使用者：安徽越好电子装备有限公司技术研发日：20230912技术公布日：2024/6/5